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硫化氧化两步法提高(110)取向ZnO纳米片比表面及其光电极应用
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作者 魏玉龙 包春雄 +3 位作者 高皓 黄欢 于涛 邹志刚 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1975-1980,共6页
以硫代乙酰胺为硫源,通过一种较温和的溶剂热法先将生长于氟掺杂的SnO_2(FTO)导电玻璃上的ZnO纳米片硫化,再将其在空气中高温焙烧氧化,利用ZnO/ZnS晶格的膨胀收缩效应使ZnO纳米片表面粗糙化,达到提高其比表面积的目的.系统研究了该硫化... 以硫代乙酰胺为硫源,通过一种较温和的溶剂热法先将生长于氟掺杂的SnO_2(FTO)导电玻璃上的ZnO纳米片硫化,再将其在空气中高温焙烧氧化,利用ZnO/ZnS晶格的膨胀收缩效应使ZnO纳米片表面粗糙化,达到提高其比表面积的目的.系统研究了该硫化氧化两步法中ZnO纳米片、硫化后的ZnS纳米片、硫化氧化后的ZnO纳米片薄膜的形貌、物相、比表面积及孔径分布的变化.并将硫化氧化前后两种ZnO纳米片阵列薄膜制成染料敏化太阳电池的光电极,分别对电池的电流密度-电压(J V)特性进行了表征.实验结果表明,经过硫化氧化后的ZnO纳米片的比表面积大约是未经该处理的ZnO纳米片的2倍,同时前者的太阳电池光电转换效率(IPCE)相对于后者提高33%. 展开更多
关键词 ZnO纳米片 硫化-氧化两步法 比表面积 光电极
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