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硒镓银晶体加工工艺
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作者 赵北君 朱世富 +5 位作者 朱居木 李正辉 李伟堂 李奇峰 银淑君 陈观雄 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期393-393,共1页
硒镓银(AgGaSe2)晶体是一种ⅠⅢⅥ2族三元化合物半导体,黄铜矿结构,4-2m点群。它是一种性能优异的中远红外非线性光学材料,可透过0.73~21μm的红外光,非线性系数大(d36=43×10-12m/V),... 硒镓银(AgGaSe2)晶体是一种ⅠⅢⅥ2族三元化合物半导体,黄铜矿结构,4-2m点群。它是一种性能优异的中远红外非线性光学材料,可透过0.73~21μm的红外光,非线性系数大(d36=43×10-12m/V),具有适宜的双折射,对3~18μm范围的二次谐波能实现相位匹配,还可进行三波混频和光参量振荡。用硒镓银晶体制作的倍频、混频和光参量振荡器件,能在3~18μm红外范围内提供多种频率的光源,而且在相当宽范围内连续可调,这在激光和军事技术方面有广泛用途。本文简要介绍硒镓银晶体定向切割及倍频器件加工工艺。实验所用晶体为本实验室采用改进Bridgman法生长出的AgGaSe2晶体。在晶锭表面有一些取向一致的半开放性小孔,它们是由于AgGaSe2晶体生长习性所导致的。用激光正反射法研究表明,这些小孔内部大都存在四个方向的显露面,用X射线衍射分析可进一步确定这些显露面属于{101}、{112}单形晶面族。硒镓银晶体光轴沿[001]方向,即晶体c轴方向。对于10.6μmCO2基频光的第Ⅰ类相位匹配角θm为57.5℃,此角即为以光轴为轴,基频光波矢为母线的正圆锥半顶角。因AgGaSe2晶体[101]方向与c轴夹角为61? 展开更多
关键词 硒镓银晶体 非线性光学晶体 晶体加工 半导体
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硒镓银晶体电容的准确测量
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作者 车明者 王延峰 +1 位作者 龙汉仪 张明高 《实用测试技术》 CAS 2000年第5期12-14,共3页
本文用交流电桥法对新型红外非线性光学晶体AgGaSe2 电容的准确测量进行了论述。在测量过程中 ,改变其测试条件 ,分析电容随测试条件的变化。根据所给的条件 ,应用公式 :C =ε·Sd 可以推导出表征介质极化程度的一个重要物理参数ε... 本文用交流电桥法对新型红外非线性光学晶体AgGaSe2 电容的准确测量进行了论述。在测量过程中 ,改变其测试条件 ,分析电容随测试条件的变化。根据所给的条件 ,应用公式 :C =ε·Sd 可以推导出表征介质极化程度的一个重要物理参数ε,从而对该晶体材料的研究和应用提供了一个重要的参考。 展开更多
关键词 硒镓银晶体 非线性光学 电容 准确测量
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硒镓银晶体电导率的测量
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作者 王延峰 车明者 +1 位作者 龙汉仪 张明高 《实用测试技术》 CAS 2001年第1期15-16,3,共3页
本文对新型红外非线性光学晶体硒镓银 (Ag GaSe2 )的电导率进行了准确测量。电导率能说明一种材料导电的难易程度 ,能直接反映出硒镓银的电学特性。硒镓银的电阻属于 1 0 8~ 1 0 11Ω的高电阻 ,测量中采用精度为千分之一的标准电阻对... 本文对新型红外非线性光学晶体硒镓银 (Ag GaSe2 )的电导率进行了准确测量。电导率能说明一种材料导电的难易程度 ,能直接反映出硒镓银的电学特性。硒镓银的电阻属于 1 0 8~ 1 0 11Ω的高电阻 ,测量中采用精度为千分之一的标准电阻对仪器进行了校准 ,提高了测量值的准确度 ,通过对电阻的准确测量 ,达到了对其电导率的准确测量的目的。为硒镓银的研究开发和应用提供了重要的依据。 展开更多
关键词 硒镓银晶体 电导率 测量 非线性光学
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硒镓银单晶体的生长及其应用 被引量:12
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作者 朱世富 李正辉 +1 位作者 赵北君 江洪安 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1993年第3期296-299,共4页
本文对新型红外非线性光学晶体 AgGaSe_2多晶的合成工艺、单晶的生长方法、非线性光学性质及其应用进行了论述。AgGaSe_2晶体是一种性能优异的红外非线性光学材料,可以在很宽的范围内制成红外倍频、混频和光参量振荡器件,能提供连续可... 本文对新型红外非线性光学晶体 AgGaSe_2多晶的合成工艺、单晶的生长方法、非线性光学性质及其应用进行了论述。AgGaSe_2晶体是一种性能优异的红外非线性光学材料,可以在很宽的范围内制成红外倍频、混频和光参量振荡器件,能提供连续可调光源。 展开更多
关键词 晶体生长 硒镓银晶体 倍频
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硒镓银(AgGaSe_2)晶体的热处理研究 被引量:1
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作者 赵北君 朱世富 +2 位作者 江洪安 刘军 李正辉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1995年第1期45-48,共4页
用改进的布里奇曼法生长出Φ18×30mmAgGaSe_2单晶体,并通过在共晶温度点以下迅速冷却的淬火热处理或在Ag_2Se及AgGaSe_2粉末围裹下的退火热处理,显著改善了AgGaSe_2晶体的透明度。其中尤以... 用改进的布里奇曼法生长出Φ18×30mmAgGaSe_2单晶体,并通过在共晶温度点以下迅速冷却的淬火热处理或在Ag_2Se及AgGaSe_2粉末围裹下的退火热处理,显著改善了AgGaSe_2晶体的透明度。其中尤以在AgGaSe_2多晶粉末围裹下的退火效果为佳。红外显微观察及红外透过曲线测量表明:晶体中引起红外吸收的微观散射中心呈层状分布,致使晶体的红外透过率与方向有关。 展开更多
关键词 硒镓银晶体 热处理 晶体 半导体化合物
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光学加工工艺与设备
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《中国光学》 EI CAS 1999年第1期95-95,共1页
O786 99010660硒镓银晶体加工工艺=Process technology of AgGaSe<sub>2</sub>crystals[刊,中]/赵北君,朱世富,朱居木,李正辉,李伟堂,李奇峰,银淑君,陈观雄(四川大学材料学系.四川,成都(610064))//人工晶体学报.-1997,2... O786 99010660硒镓银晶体加工工艺=Process technology of AgGaSe<sub>2</sub>crystals[刊,中]/赵北君,朱世富,朱居木,李正辉,李伟堂,李奇峰,银淑君,陈观雄(四川大学材料学系.四川,成都(610064))//人工晶体学报.-1997,26(3/4).—393介绍了硒镓银晶体定向切割及倍频器件加工工艺。(吴淑珍)O786 展开更多
关键词 加工工艺 人工晶体 光学加工 硒镓银晶体 晶体加工 工艺与设备 倍频器件 定向切割 学报 物质结构
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