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题名稀土元素Er掺杂提高WSe2纳米薄膜的光电特性
被引量：1
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作者
朱静怡
丁馨
张晓渝
马锡英
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机构
苏州科技大学物理科学与技术学院
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出处
《微纳电子技术》
北大核心
2020年第12期992-997,1027,共7页
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基金
江苏省十三五重点学科资助项目(20168765)
苏州科技大学科研基金资助项目(XKZ201609)
江苏省研究生科研创新计划资助项目(KYCX18_2551)。
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文摘
采用热蒸发法在Si片上沉积稀土元素Er掺杂的WSe2薄膜,研究了Er^3+掺杂对WSe2薄膜表面形貌、晶体结构﹑光致发光光谱、光吸收特性和电学特性的影响。研究发现薄膜在(004)晶面呈柱状择优生长,Er^3+掺杂不仅没有改变WSe2的晶体结构,还使薄膜结晶性显著增强,提高了光吸收特性,明显增加了光致发光强度。同时发现Er^3+掺杂WSe2薄膜的电子迁移率为未掺杂的4倍多。当光照强度由0增加到25 mW/cm^2时,Er^3+掺杂的WSe2/Si异质结的Ⅰ-Ⅴ曲线由整流特性逐步变成线性,相同偏压下光电流增加了约3倍,并且光电导灵敏度也明显增加。随着加热温度的升高,电导显著增大,电阻表现负温度系数。表明WSe2/Si异质结对温度和光强具有非常高的灵敏度,在高效率的温度传感器和光电探测器等方面有良好的应用前景。
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关键词
硒化钨(wse2)
Er3+掺杂
纳米薄膜
热蒸发法
异质结
光电特性
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Keywords
tungsten selenide(wse2)
Er3+doping
nanofilm
thermal evaporation
heterojunction
photoelectric characteristic
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分类号
TN383
[电子电信—物理电子学]
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