期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
扩硼硅pn结二极管室温近红外电致发光性能
被引量：
1
1
作者
李斯
高宇晗
+2 位作者
梁峰
李东升
杨德仁
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第5期625-628,共4页
采用扩散法制备了两种掺杂浓度的硅pn结二极管,对它们的室温近红外电致发光性能进行了研究。结果表明,轻掺硅pn结二极管室温电致发光谱中只有带边峰(1.1eV),而重掺硅pn结二极管在较大的注入电流下,除带边峰外还有0.78eV发光峰,该发光峰...
采用扩散法制备了两种掺杂浓度的硅pn结二极管,对它们的室温近红外电致发光性能进行了研究。结果表明,轻掺硅pn结二极管室温电致发光谱中只有带边峰(1.1eV),而重掺硅pn结二极管在较大的注入电流下,除带边峰外还有0.78eV发光峰,该发光峰的强度随注入电流增加呈指数增长。在低温光致发光谱中没有出现与缺陷相关的发光峰,在高分辨截面透射电镜照片中也没有发现位错或位错环等缺陷。0.78eV发光峰可能是由于大量硼扩散进入硅晶格内产生的应力造成带隙变化,注入的载流子在此处进行辐射复合产生的。
展开更多
关键词
扩硼
硅pn结发光二极管
近红外电致
发光
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
扩硼硅pn结二极管室温近红外电致发光性能
被引量：
1
1
作者
李斯
高宇晗
梁峰
李东升
杨德仁
机构
浙江大学硅材料国家重点实验室
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第5期625-628,共4页
基金
973项目“硅基杂质与缺陷发光中心的构建及器件”资助项目(2013CB632102)
文摘
采用扩散法制备了两种掺杂浓度的硅pn结二极管,对它们的室温近红外电致发光性能进行了研究。结果表明,轻掺硅pn结二极管室温电致发光谱中只有带边峰(1.1eV),而重掺硅pn结二极管在较大的注入电流下,除带边峰外还有0.78eV发光峰,该发光峰的强度随注入电流增加呈指数增长。在低温光致发光谱中没有出现与缺陷相关的发光峰,在高分辨截面透射电镜照片中也没有发现位错或位错环等缺陷。0.78eV发光峰可能是由于大量硼扩散进入硅晶格内产生的应力造成带隙变化,注入的载流子在此处进行辐射复合产生的。
关键词
扩硼
硅pn结发光二极管
近红外电致
发光
Keywords
Boron diffusion
Silicon
pn
junction diode
Near-infrared electroluminescence
分类号
TB43 [一般工业技术]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
扩硼硅pn结二极管室温近红外电致发光性能
李斯
高宇晗
梁峰
李东升
杨德仁
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
