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WVP1N06硅N沟增强型功率场效应晶体管的研制
1
作者
王嘉蓉
《现代电子技术》
2002年第9期87-88,90,共3页
介绍了研制 WVP1N0 6硅 N沟增强型功率场效应管的设计及基本工艺。
关键词
WVP1
n
06
硅n沟场效应晶体管
增强型
功率器件
技术性能参数
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
WVP1N06硅N沟增强型功率场效应晶体管的研制
1
作者
王嘉蓉
机构
国营八七七厂
出处
《现代电子技术》
2002年第9期87-88,90,共3页
文摘
介绍了研制 WVP1N0 6硅 N沟增强型功率场效应管的设计及基本工艺。
关键词
WVP1
n
06
硅n沟场效应晶体管
增强型
功率器件
技术性能参数
Keywords
Si
n
cha
n
n
el power field effect tra
n
sistor
e
n
ha
n
ceme
n
t type
power tra
n
sistor
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
TN32 [电子电信—物理电子学]
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1
WVP1N06硅N沟增强型功率场效应晶体管的研制
王嘉蓉
《现代电子技术》
2002
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