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SiO_2薄膜辅助硅-玻璃热键合技术的研究
1
作者
黄腾超
沈亦兵
+2 位作者
侯西云
娄迪
白剑
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第9期1310-1314,共5页
为了解决Si和普通玻璃进行直接键合时材料的热失配问题,提出了利用SiO2薄膜辅助进行硅-玻璃热键合(SGTB)的技术.通过分析SiO2薄膜辅助SGTB技术的化学物理过程,对键合过程中的工艺条件进行了优化.利用反应离子束蚀刻(RIBE)对基片进行抛光...
为了解决Si和普通玻璃进行直接键合时材料的热失配问题,提出了利用SiO2薄膜辅助进行硅-玻璃热键合(SGTB)的技术.通过分析SiO2薄膜辅助SGTB技术的化学物理过程,对键合过程中的工艺条件进行了优化.利用反应离子束蚀刻(RIBE)对基片进行抛光,使得键合表面达到2 nm级的表面粗糙度.在大气的环境下将处理过的玻璃、Si基片干燥, 进行预键合.预键合好的Si、玻璃基片在200℃的氧化环境下退火,基片之间的硅烷醇键发生聚合反应,形成硅氧键键合.实验结果表明,硅和玻璃基片的表面能经过预键合后有了提高,水分子和Si表面SiO2中的氧原子交连在一起,OH-数量增加,形成硅烷醇键.Si表面热生长SiO2薄膜的存在,减少了由Si、玻璃热膨胀系数和热传导系数差异引起的诱导应力.
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关键词
SiO1薄膜辅助
硅-玻璃热键合
反应离子束蚀刻
热诱导应力
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职称材料
题名
SiO_2薄膜辅助硅-玻璃热键合技术的研究
1
作者
黄腾超
沈亦兵
侯西云
娄迪
白剑
机构
浙江大学现代光学与仪器国家重点实验室
出处
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第9期1310-1314,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60077009)国家教育部博士点基金资助项目.
文摘
为了解决Si和普通玻璃进行直接键合时材料的热失配问题,提出了利用SiO2薄膜辅助进行硅-玻璃热键合(SGTB)的技术.通过分析SiO2薄膜辅助SGTB技术的化学物理过程,对键合过程中的工艺条件进行了优化.利用反应离子束蚀刻(RIBE)对基片进行抛光,使得键合表面达到2 nm级的表面粗糙度.在大气的环境下将处理过的玻璃、Si基片干燥, 进行预键合.预键合好的Si、玻璃基片在200℃的氧化环境下退火,基片之间的硅烷醇键发生聚合反应,形成硅氧键键合.实验结果表明,硅和玻璃基片的表面能经过预键合后有了提高,水分子和Si表面SiO2中的氧原子交连在一起,OH-数量增加,形成硅烷醇键.Si表面热生长SiO2薄膜的存在,减少了由Si、玻璃热膨胀系数和热传导系数差异引起的诱导应力.
关键词
SiO1薄膜辅助
硅-玻璃热键合
反应离子束蚀刻
热诱导应力
Keywords
SiO2 film assist
silicon
-
glass thermal bonding （SGTB）
reactive ion beam etching （RIBE）
thermally induced stress
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SiO_2薄膜辅助硅-玻璃热键合技术的研究
黄腾超
沈亦兵
侯西云
娄迪
白剑
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
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