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Si基微波单片集成电路的发展
被引量：
1
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作者
杨建军
刘英坤
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期205-208,281,共5页
随着半导体制造技术和材料技术的进步,Si基微波单片集成电路逐渐向高频、高线性、低噪声、低成本方向发展。介绍了近年国内外在Si基微波单片集成电路在制造工艺、电路结构和制作材料上的革新,阐述了三维Si微波单片集成电路技术、隔离槽...
随着半导体制造技术和材料技术的进步,Si基微波单片集成电路逐渐向高频、高线性、低噪声、低成本方向发展。介绍了近年国内外在Si基微波单片集成电路在制造工艺、电路结构和制作材料上的革新,阐述了三维Si微波单片集成电路技术、隔离槽技术、Si高阻衬底技术、SiGe技术等对Si基微波单片集成电路发展的影响,并列举了一些典型的应用。最后展望了Si基微波单片集成电路的发展前景。
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关键词
硅
基微波单片集成电路
三维
隔离槽
硅高阻硅衬底
锗
硅
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职称材料
题名
Si基微波单片集成电路的发展
被引量：
1
1
作者
杨建军
刘英坤
机构
河北工业大学信息工程学院
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期205-208,281,共5页
文摘
随着半导体制造技术和材料技术的进步,Si基微波单片集成电路逐渐向高频、高线性、低噪声、低成本方向发展。介绍了近年国内外在Si基微波单片集成电路在制造工艺、电路结构和制作材料上的革新,阐述了三维Si微波单片集成电路技术、隔离槽技术、Si高阻衬底技术、SiGe技术等对Si基微波单片集成电路发展的影响,并列举了一些典型的应用。最后展望了Si基微波单片集成电路的发展前景。
关键词
硅
基微波单片集成电路
三维
隔离槽
硅高阻硅衬底
锗
硅
Keywords
Si based MMIC
3D
deep trench isolation
Si high resistivity substrate
SiGe
分类号
TN454 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
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被引量
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1
Si基微波单片集成电路的发展
杨建军
刘英坤
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
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