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气体吸附对硅锗异质结纳米线电子结构与光学性质的影响
1
作者
顾芳
陆春玲
+2 位作者
刘清惓
张加宏
朱涵
《原子与分子物理学报》
北大核心
2024年第4期63-70,共8页
基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似(GGA),采用第一性原理方法探讨了沿[112]晶向的硅锗异质结纳米线作为气体传感器检测CO,CO_(2)和Cl2的能力,着重计算了其吸附气体分子前后的吸附能、能带结构与光学性质.几何结构优化计算表明:不同...
基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似(GGA),采用第一性原理方法探讨了沿[112]晶向的硅锗异质结纳米线作为气体传感器检测CO,CO_(2)和Cl2的能力,着重计算了其吸附气体分子前后的吸附能、能带结构与光学性质.几何结构优化计算表明:不同硅锗组分的[112]晶向的硅锗纳米线对CO,CO_(2)和Cl_(2)分子的吸附能的绝对值在0.001 eV至1.36 eV之间,其中Si_(24)Ge_(36)H_(32)对CO_(2)气体的吸附能最大,气敏性能最好.能带结构计算表明:吸附CO和CO_(2)分子的[112]晶向硅锗纳米线能带的简并度明显减小,带隙变化较小;而吸附Cl2分子后的价带顶与导带底之间产生了杂质能级使其带隙减小.光学性质计算表明:Si_(24)Ge_(36)H_(32)纳米线吸附CO, CO_(2)和Cl_(2)分子后的光学性质差异明显,主要体现在吸收谱的范围及吸收峰的峰值上,上述研究结果为[112]晶向Si_(24)Ge_(36)H_(32)纳米线可作为气体传感器敏感材料提供了一定的理论依据.
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关键词
硅锗异质结纳米线
气体吸附
电子
结
构
光学性质
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职称材料
题名
气体吸附对硅锗异质结纳米线电子结构与光学性质的影响
1
作者
顾芳
陆春玲
刘清惓
张加宏
朱涵
机构
南京信息工程大学物理与光电工程学院
南京信息工程大学江苏省气象探测与信息处理重点实验室
出处
《原子与分子物理学报》
北大核心
2024年第4期63-70,共8页
基金
国家自然科学基金(41875035,42275143)。
文摘
基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似(GGA),采用第一性原理方法探讨了沿[112]晶向的硅锗异质结纳米线作为气体传感器检测CO,CO_(2)和Cl2的能力,着重计算了其吸附气体分子前后的吸附能、能带结构与光学性质.几何结构优化计算表明:不同硅锗组分的[112]晶向的硅锗纳米线对CO,CO_(2)和Cl_(2)分子的吸附能的绝对值在0.001 eV至1.36 eV之间,其中Si_(24)Ge_(36)H_(32)对CO_(2)气体的吸附能最大,气敏性能最好.能带结构计算表明:吸附CO和CO_(2)分子的[112]晶向硅锗纳米线能带的简并度明显减小,带隙变化较小;而吸附Cl2分子后的价带顶与导带底之间产生了杂质能级使其带隙减小.光学性质计算表明:Si_(24)Ge_(36)H_(32)纳米线吸附CO, CO_(2)和Cl_(2)分子后的光学性质差异明显,主要体现在吸收谱的范围及吸收峰的峰值上,上述研究结果为[112]晶向Si_(24)Ge_(36)H_(32)纳米线可作为气体传感器敏感材料提供了一定的理论依据.
关键词
硅锗异质结纳米线
气体吸附
电子
结
构
光学性质
Keywords
SiGe heterojunction nanowire
Gas adsorption,
Eelectronic structure
Optical properties
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
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作者
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1
气体吸附对硅锗异质结纳米线电子结构与光学性质的影响
顾芳
陆春玲
刘清惓
张加宏
朱涵
《原子与分子物理学报》
北大核心
2024
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