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硅锗基区异质结双极晶体管的研究进展 被引量:4
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作者 谢自力 《半导体情报》 1997年第4期18-22,共5页
叙述了硅锗基区异质结双极晶体管的研究发展现状,分析了该晶体管的结构机理、特点及制造技术,并且阐述了该器件的发展前景。
关键词 应变层 异质结 硅销基区 双极晶体管
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