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表面键合对硅(111)量子面电子结构的影响
1
作者
尹君
黄伟其
+3 位作者
黄忠梅
苗信建
刘仁举
周年杰
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第9期1082-1086,共5页
将纳米硅薄膜看成理想的一维限制的量子面结构,通过第一性原理计算研究了不同厚度的硅(111)量子面的能带结构及态密度。随着量子面厚度的变化,在Si—H键钝化较好的量子面结构上,其带隙宽度变化主要遵循量子限制效应规律。当在表面掺杂时...
将纳米硅薄膜看成理想的一维限制的量子面结构,通过第一性原理计算研究了不同厚度的硅(111)量子面的能带结构及态密度。随着量子面厚度的变化,在Si—H键钝化较好的量子面结构上,其带隙宽度变化主要遵循量子限制效应规律。当在表面掺杂时,模拟计算表面含Si—N键的硅(111)量子面的结果表明:在一定厚度范围内,带隙宽度主要由量子限制效应决定;超过这个厚度,带隙宽度同时受量子限制效应和表面键合结构的影响。保持量子面厚度不变,表面掺杂浓度越大则带隙变窄效应越明显。同样,模拟计算含Si—Yb键的硅(111)量子面的结果也有同样的效应。几乎所有的模拟计算结果都显示:量子面的能带结构均呈现出准直接带隙特征。
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关键词
硅量子面
表
面
键合
量子
限制效应
带隙变窄效应
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职称材料
题名
表面键合对硅(111)量子面电子结构的影响
1
作者
尹君
黄伟其
黄忠梅
苗信建
刘仁举
周年杰
机构
贵州大学纳米光子物理研究所光电子技术与应用省重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第9期1082-1086,共5页
基金
国家自然科学基金(11264007)资助项目
文摘
将纳米硅薄膜看成理想的一维限制的量子面结构,通过第一性原理计算研究了不同厚度的硅(111)量子面的能带结构及态密度。随着量子面厚度的变化,在Si—H键钝化较好的量子面结构上,其带隙宽度变化主要遵循量子限制效应规律。当在表面掺杂时,模拟计算表面含Si—N键的硅(111)量子面的结果表明:在一定厚度范围内,带隙宽度主要由量子限制效应决定;超过这个厚度,带隙宽度同时受量子限制效应和表面键合结构的影响。保持量子面厚度不变,表面掺杂浓度越大则带隙变窄效应越明显。同样,模拟计算含Si—Yb键的硅(111)量子面的结果也有同样的效应。几乎所有的模拟计算结果都显示:量子面的能带结构均呈现出准直接带隙特征。
关键词
硅量子面
表
面
键合
量子
限制效应
带隙变窄效应
Keywords
silicon quantum surface
surface bond
quantum confinement effect
band gap narrowing effect
分类号
O471.5 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
表面键合对硅(111)量子面电子结构的影响
尹君
黄伟其
黄忠梅
苗信建
刘仁举
周年杰
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
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