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不同衬底制备硅薄膜的微结构研究
被引量：
5
1
作者
李红菊
张丽伟
+2 位作者
杨根
赵剑涛
张宇翔
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期1318-1321,共4页
本文用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在普通玻璃衬底、未织构的氧化锌掺铝(AZO)覆盖的普通玻璃衬底和石英衬底上室温下制备了微晶硅薄膜。然后用快速光热退火炉(RTP)在600℃下对样品进行了7m in的退火处理,借助Ram an和SEM对退...
本文用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在普通玻璃衬底、未织构的氧化锌掺铝(AZO)覆盖的普通玻璃衬底和石英衬底上室温下制备了微晶硅薄膜。然后用快速光热退火炉(RTP)在600℃下对样品进行了7m in的退火处理,借助Ram an和SEM对退火前后硅薄膜微结构进行了研究,并用声子限域理论和纳晶表面效应对实验现象进行了分析。结果表明:(1)薄膜沉积过程中,衬底结构对薄膜微结构有重要影响,相对来说石英衬底上沉积的硅薄膜最容易晶化,其次是玻璃衬底,再其次是未织构的AZO覆盖的玻璃衬底。初步分析认为,主要是因为衬底的无序结构与硅的晶体结构的失配程度不同造成的影响;(2)退火后,薄膜晶粒尺寸均增大。进一步推测,AZO薄膜微结构随退火的变化将导致硅薄膜微结构受到牵连影响。
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关键词
拉曼
SEM
硅薄膜微结构
衬底
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职称材料
题名
不同衬底制备硅薄膜的微结构研究
被引量：
5
1
作者
李红菊
张丽伟
杨根
赵剑涛
张宇翔
机构
郑州大学材料物理教育部重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期1318-1321,共4页
文摘
本文用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在普通玻璃衬底、未织构的氧化锌掺铝(AZO)覆盖的普通玻璃衬底和石英衬底上室温下制备了微晶硅薄膜。然后用快速光热退火炉(RTP)在600℃下对样品进行了7m in的退火处理,借助Ram an和SEM对退火前后硅薄膜微结构进行了研究,并用声子限域理论和纳晶表面效应对实验现象进行了分析。结果表明:(1)薄膜沉积过程中,衬底结构对薄膜微结构有重要影响,相对来说石英衬底上沉积的硅薄膜最容易晶化,其次是玻璃衬底,再其次是未织构的AZO覆盖的玻璃衬底。初步分析认为,主要是因为衬底的无序结构与硅的晶体结构的失配程度不同造成的影响;(2)退火后,薄膜晶粒尺寸均增大。进一步推测,AZO薄膜微结构随退火的变化将导致硅薄膜微结构受到牵连影响。
关键词
拉曼
SEM
硅薄膜微结构
衬底
Keywords
Raman
SEM
microstructure of silicon thin film
substrate
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
不同衬底制备硅薄膜的微结构研究
李红菊
张丽伟
杨根
赵剑涛
张宇翔
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
5
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