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利用MEMS技术研制硅脉象传感器
被引量：
3
1
作者
王璐
温殿忠
+2 位作者
刘红梅
田丽
莫兵
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第9期1226-1231,共6页
利用MEMS技术在N型<100>晶向的单晶硅衬底上设计并制作了以纳米硅/单晶硅异质结为源极和漏极的P-MOSFETs脉象传感器。在方形硅膜上制作四个以纳米硅/单晶硅异质结为源极和漏极P-MOSFETs,并将P-MOSFETs的沟道电阻设计成惠斯通电桥...
利用MEMS技术在N型<100>晶向的单晶硅衬底上设计并制作了以纳米硅/单晶硅异质结为源极和漏极的P-MOSFETs脉象传感器。在方形硅膜上制作四个以纳米硅/单晶硅异质结为源极和漏极P-MOSFETs,并将P-MOSFETs的沟道电阻设计成惠斯通电桥结构,从而实现对微小脉象信号的准确检测。实验结果表明,该硅脉象传感器在恒压源-3.0V供电条件下,灵敏度为1.623mV/kPa,准确度为2.029%F.S。
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关键词
MEMS
硅脉象传感器
MOSFET
纳米
硅
/单晶
硅
异质结
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职称材料
题名
利用MEMS技术研制硅脉象传感器
被引量：
3
1
作者
王璐
温殿忠
刘红梅
田丽
莫兵
机构
黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室
黑龙江大学集成电路重点实验室
哈尔滨工业大学MEMS中心
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第9期1226-1231,共6页
基金
国家自然科学基金资助(60676044)
黑龙江省教育厅科学技术研究项目资助(11541266)
黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室基金资助(DZZD20100037)
文摘
利用MEMS技术在N型<100>晶向的单晶硅衬底上设计并制作了以纳米硅/单晶硅异质结为源极和漏极的P-MOSFETs脉象传感器。在方形硅膜上制作四个以纳米硅/单晶硅异质结为源极和漏极P-MOSFETs,并将P-MOSFETs的沟道电阻设计成惠斯通电桥结构,从而实现对微小脉象信号的准确检测。实验结果表明,该硅脉象传感器在恒压源-3.0V供电条件下,灵敏度为1.623mV/kPa,准确度为2.029%F.S。
关键词
MEMS
硅脉象传感器
MOSFET
纳米
硅
/单晶
硅
异质结
Keywords
MEMS
silicon pulse sensor
MOSFET
nc-Si/c-Si heterojunction
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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作者
出处
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被引量
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1
利用MEMS技术研制硅脉象传感器
王璐
温殿忠
刘红梅
田丽
莫兵
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010
3
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