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氮化硅粉体制备技术及粉体质量研究进展
被引量：
6
1
作者
向茂乔
耿玉琦
朱庆山
《化工学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第1期73-84,共12页
氮化硅(Si_(3)N_(4))具有优异的物化性能,在国防、电子信息等关键领域都占据重要的地位。高质量粉体是制备高性能Si_(3)N_(4)陶瓷的首要前提。通常高质量Si_(3)N_(4)粉体需要满足粒径细、分布窄、α相含量高、杂质含量低等条件。基于合...
氮化硅(Si_(3)N_(4))具有优异的物化性能,在国防、电子信息等关键领域都占据重要的地位。高质量粉体是制备高性能Si_(3)N_(4)陶瓷的首要前提。通常高质量Si_(3)N_(4)粉体需要满足粒径细、分布窄、α相含量高、杂质含量低等条件。基于合成反应体系综述了当前国内外制备Si_(3)N_(4)粉体的方法,着重从强化传热与传质角度介绍了改善粉体质量的研究进展,并介绍了当前工业生产现状,展望了高质量Si_(3)N_(4)粉体制备技术的发展趋势和方向。
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关键词
氮化
硅
粉
体
技术
碳热氮化
法
硅
粉直接氮化
法
化学气相沉积
法
硅胺前体转化法
合成机理
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职称材料
题名
氮化硅粉体制备技术及粉体质量研究进展
被引量：
6
1
作者
向茂乔
耿玉琦
朱庆山
机构
中国科学院过程工程研究所多相复杂系统国家重点实验室
中国科学院大学化学工程学院
出处
《化工学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第1期73-84,共12页
基金
中国科学院青年创新促进会人才项目(292021000085)
南京绿色制造产业创新研究院重大项目(E0010708)。
文摘
氮化硅(Si_(3)N_(4))具有优异的物化性能,在国防、电子信息等关键领域都占据重要的地位。高质量粉体是制备高性能Si_(3)N_(4)陶瓷的首要前提。通常高质量Si_(3)N_(4)粉体需要满足粒径细、分布窄、α相含量高、杂质含量低等条件。基于合成反应体系综述了当前国内外制备Si_(3)N_(4)粉体的方法,着重从强化传热与传质角度介绍了改善粉体质量的研究进展,并介绍了当前工业生产现状,展望了高质量Si_(3)N_(4)粉体制备技术的发展趋势和方向。
关键词
氮化
硅
粉
体
技术
碳热氮化
法
硅
粉直接氮化
法
化学气相沉积
法
硅胺前体转化法
合成机理
Keywords
silicon nitride
powder technology
carbo-thermal nitriding method
silicon directly nitriding method
chemical vapor deposition method
silamine precursor conversion method
synthesis mechanism
分类号
TQ174 [化学工程—陶瓷工业]
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出处
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1
氮化硅粉体制备技术及粉体质量研究进展
向茂乔
耿玉琦
朱庆山
《化工学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
6
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