硅纳米管和纳米线场效应晶体管的模拟和比较 被引量：1

1

作者 朱兆旻 张存 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第4期209-213,235,共6页

从硅纳米管和纳米线场效应晶体管的结构出发,先用Silvaco公司的TCAD仿真软件模拟出硅纳米管和纳米线的电势分布,然后根据电势分布依次求出两种器件的有效哈密顿量、非平衡格林函数及自能函数和电子浓度,再从电子浓度推导出电流密度与电... 从硅纳米管和纳米线场效应晶体管的结构出发,先用Silvaco公司的TCAD仿真软件模拟出硅纳米管和纳米线的电势分布,然后根据电势分布依次求出两种器件的有效哈密顿量、非平衡格林函数及自能函数和电子浓度,再从电子浓度推导出电流密度与电压方程,并对其进行了分析比较。仿真结果显示,在沟道横截面积相同的情况下,纳米管器件的阈值电压比纳米线器件的高,且随管内外径之差的增加而减小。栅压比较大的情况下,在饱和区纳米管器件比纳米线器件能提供更大的驱动电流。两者在亚阈值区域表现相似,亚阈值摆幅分别为58和57 mV/dec。纳米管器件的饱和电压比纳米线器件的略小,在饱和区纳米管器件的电流更加平直,短沟道效应更不明显。 展开更多

关键词 纳米管 纳米线 非平衡格林函数 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 器件建模

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Si纳米线场效应晶体管研究进展 被引量：2

2

作者 张严波 熊莹 +2 位作者 杨香 韩伟华 杨富华 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第11期641-648,663,共9页

从Si纳米线场效应晶体管(SiNWFET)的结构原理、Si纳米线的制作工艺以及器件电学性能的改善措施三个方面介绍了SiNWFET的研究进展。通过分析SiNWFET的漏极电压对沟道电势的影响,表明SiNWFET自身的细沟道和围栅结构对于改善亚阈值特性和... 从Si纳米线场效应晶体管(SiNWFET)的结构原理、Si纳米线的制作工艺以及器件电学性能的改善措施三个方面介绍了SiNWFET的研究进展。通过分析SiNWFET的漏极电压对沟道电势的影响,表明SiNWFET自身的细沟道和围栅结构对于改善亚阈值特性和抑制短沟道效应起着关键作用。针对Si纳米线的制备,介绍了光刻、刻蚀与热氧化等自上而下的方法和气-液-固生长这种自下而上的方法。分析了SiNWFET的电学性能,探讨了为改善电学性能而进行的器件结构和工艺的改进,包括选择沟道取向,采用多条纳米线、应变纳米线或新材料作为沟道以及减小源-漏接触电阻等措施。最后对SiNWFET所面临的挑战和前景作了展望。 展开更多

关键词 纳米线 场效应晶体管 短沟道效应 围栅 自限制氧化

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氧化铟纳米线场效应晶体管制备及其电学性能 被引量：2

3

作者 曹焕琦 朱长军 王安祥 《纺织高校基础科学学报》 CAS 2018年第4期446-451,共6页

为获得大量高质量、且尺寸均一的氧化铟纳米线,以高纯度氧化铟粉末与石墨粉末的混合物为原材料,利用化学气相沉积法制备出尺寸约50nm的氧化铟纳米线.分别以二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)和氧化铪(HfO2)材料作为栅极绝缘层,计算分析其... 为获得大量高质量、且尺寸均一的氧化铟纳米线,以高纯度氧化铟粉末与石墨粉末的混合物为原材料,利用化学气相沉积法制备出尺寸约50nm的氧化铟纳米线.分别以二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)和氧化铪(HfO2)材料作为栅极绝缘层,计算分析其构筑的场效应晶体管的电学性能(迁移率、阈值电压、开关比等).对比3种场效应晶体管可知以氮化硅为栅绝缘层材料,提升器件电学性能是最直接也是效果最显著的.其器件的电学性能优于其它2种.其器件的迁移率高达149cm2·V-1·s-1,器件的开关比高达107. 展开更多

关键词 氧化铟 纳米线 场效应晶体管 迁移率 阈值电压

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三方晶硒纳米线的大面积合成及其场效应晶体管特性

4

作者 赵云 陶洪 +2 位作者 兰林峰 覃东欢 曹镛 《真空与低温》 2008年第2期68-72,共5页

采用液相反应成功制备了高质量硒纳米线。利用透射电镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)以及X射线衍射仪(XRD)研究了纳米的形貌结构特征。结果表明,硒纳米线为单晶结构,生长方向沿[001]面,平行于螺旋轴。结合光刻技术及磁控溅射镀膜技术,... 采用液相反应成功制备了高质量硒纳米线。利用透射电镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)以及X射线衍射仪(XRD)研究了纳米的形貌结构特征。结果表明,硒纳米线为单晶结构,生长方向沿[001]面,平行于螺旋轴。结合光刻技术及磁控溅射镀膜技术,成功制备了硒纳米线场效应晶体管器件。初步测试表明,这种硒纳米线为p型半导体。 展开更多

关键词 硒纳米线 光刻 场效应晶体管

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硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管

5

作者 洪文婷 韩伟华 +2 位作者 王昊 吕奇峰 杨富华 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第6期345-354,共10页

硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管已经成为高速、低功耗纳米级器件的重要发展方向。首先,从气相-液相-固相生长和选择区域生长的角度,阐明了在硅衬底上无位错生长高晶体质量Ⅲ-Ⅴ族纳米线的机制。在此基础上,介绍了垂直结构和水平结构Ⅲ-Ⅴ族纳... 硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管已经成为高速、低功耗纳米级器件的重要发展方向。首先,从气相-液相-固相生长和选择区域生长的角度,阐明了在硅衬底上无位错生长高晶体质量Ⅲ-Ⅴ族纳米线的机制。在此基础上,介绍了垂直结构和水平结构Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管的制备方法。研究表明,垂直结构纳米线容易实现高密度生长,而水平结构纳米线有利于逻辑栅的制作。通过比较垂直生长、水平生长、衬底转移和自上而下纳米加工技术制备Ⅲ-Ⅴ族纳米线的工艺优缺点,为水平结构Ⅲ-Ⅴ族纳米线在硅衬底上的大面积异构集成及其器件的制作提供了新的解决方案。 展开更多

关键词 场效应晶体管(FET) Ⅲ-Ⅴ族纳米线 硅衬底 气相-液相-固相生长 选择区域生长(SAG)

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氧化锌纳米线晶体管的电学特性研究 被引量：3

6

作者 付晓君 张海英 徐静波 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期778-781,785,共5页

成功制作了氧化锌纳米线沟道场效应晶体管器件,所制作器件的电学性能通过I-V测试进行了分析。使用了水浴法生长了单晶性完整的氧化锌纳米线,该纳米线被用作背栅场效应晶体管的沟道,采用光刻方式制备的器件具有良好的直流特性,进行退火... 成功制作了氧化锌纳米线沟道场效应晶体管器件,所制作器件的电学性能通过I-V测试进行了分析。使用了水浴法生长了单晶性完整的氧化锌纳米线,该纳米线被用作背栅场效应晶体管的沟道,采用光刻方式制备的器件具有良好的直流特性,进行退火后进一步改善器件的源漏接触,提高器件性能,最终制备成功的场效应晶体管显示出p型MOS的特性,其开关态电流比达到105。在Vds=2.5 V时,跨导峰值为0.4μS,栅氧电容约为0.9 fF,器件夹断电压Vth为0.6 V,沟道迁移率约为87.1 cm2/V.s,计算得到氧化锌纳米线载流子浓度ne=6.8×108 cm-3。在Vgs=0 V时,器件沟道电阻率为100Ω.cm。 展开更多

关键词 氧化锌 纳米线 场效应晶体管 背栅 退火

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美国制出硅纳米晶体管 展现出明显的量子限制效应

7

《航天器工程》 2011年第3期97-97,共1页

据科技网报道，美国物理学家组织网2011年3月21日报道，美国得克萨斯大学的一个研究小组用非常细的纳米线制造出一种晶体管，表现出明显的量子限制效应，纳米线的直径越小，电流越强。该技术有望在生物感测、集成电路缩微制造方面发挥... 据科技网报道，美国物理学家组织网2011年3月21日报道，美国得克萨斯大学的一个研究小组用非常细的纳米线制造出一种晶体管，表现出明显的量子限制效应，纳米线的直径越小，电流越强。该技术有望在生物感测、集成电路缩微制造方面发挥重要作用。相关研究发表在最近出版的《纳米快报》上。 展开更多

关键词 美国得克萨斯大学 量子限制效应 纳米晶体管 物理学家 集成电路 纳米线 微制造 硅

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上海集成电路研发中心开发成功多晶硅纳米线场效应管生物芯片

8

《中国集成电路》 2013年第1期1-1,共1页

上海集成电路研发中心基于国内12英寸生产线40nm标准CMOS工艺平台,开发出了最小线宽为10nm的多晶硅纳米线场效应管生物芯片,芯片对miRNA标准样品的检测灵敏度可达1fM,为目前所报道的最高检测灵敏度,并能区分非特异性结合的样品。

关键词 生物芯片 场效应管 硅纳米线 研发中心 集成电路 多晶 开发 上海

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上海集成电路研发中心多晶硅纳米线场效应管生物芯片开发成功

9

《集成电路应用》 2013年第1期44-44,共1页

近日，上海集成电路研发中心基于国内12英寸生产线40nm标准CMOST艺平台开发出了最小线宽为10nm的多晶硅纳米线场效应管生物芯片，芯片对miRNA标准样品的检测灵敏度可达1fM，

关键词 芯片开发 场效应管 硅纳米线 研发中心 集成电路 生物芯片 多晶 上海

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Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管的研究进展 被引量：2

10

作者 张望 韩伟华 +2 位作者 吕奇峰 王昊 杨富华 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第2期87-97,共11页

从器件结构和电学特性等方面,对具有垂直结构和水平结构的Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管的最新研究进展进行了综述。对于垂直器件,虽然高质量的垂直Ⅲ-Ⅴ族纳米线易于获得,但栅极的逻辑布线难以实现;对于水平结构器件,虽然栅极的逻辑布线与当前... 从器件结构和电学特性等方面,对具有垂直结构和水平结构的Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管的最新研究进展进行了综述。对于垂直器件,虽然高质量的垂直Ⅲ-Ⅴ族纳米线易于获得,但栅极的逻辑布线难以实现;对于水平结构器件,虽然栅极的逻辑布线与当前的平面硅差异不大,但无催化剂条件下难以选区定位生长水平Ⅲ-Ⅴ族纳米线。硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管不仅能有效提高沟道迁移率等性能,而且可以保证与硅工艺的兼容性,同时降低Ⅲ-Ⅴ族材料晶体管高昂的成本。研究表明,水平结构的硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管将具有更大的发展潜力。 展开更多

关键词 晶体管 Ⅲ-Ⅴ族纳米线 垂直结构 水平结构 硅基衬底

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真空栅介质场效应晶体管自热效应模型

11

作者 苏亚丽 赖俊桦 +2 位作者 钱俊杰 叶雨欣 张国和 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第8期85-92,共8页

针对纳米尺度金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)热传输尺度效应对自热效应影响加剧的问题,提出一种考虑尺度影响的真空栅介质垂直堆叠硅纳米线(SiNWs)环栅场效应晶体管(GAA FET)自热效应模型。首先,分析硅薄膜与SiNWs内声子散射自... 针对纳米尺度金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)热传输尺度效应对自热效应影响加剧的问题,提出一种考虑尺度影响的真空栅介质垂直堆叠硅纳米线(SiNWs)环栅场效应晶体管(GAA FET)自热效应模型。首先,分析硅薄膜与SiNWs内声子散射自由程之间的关系,量化用于衡量声子边界散射的SiNW热导率衰减因子;然后,根据国际上现阶段关于纳米硅薄膜热导率的解析模型,推导得到考虑尺度效应影响的SiNW热导率解析模型;最后,结合纳尺度器件热传输的关键路径,建立起考虑尺度影响的GAA SiNWs FET自热效应模型。在TCAD软件中采用所提自热效应模型实现了GAA SiNWs FET自热效应的数值计算。仿真结果表明:低热导率真空栅介质、垂直堆叠多热源与热传输尺度效应将导致真空栅介质GAA SiNWs FET热生成与扩散过程更加复杂,加剧器件自热效应;通过真空栅介质间隙与环绕气体压强之间的折中设计能够最大化栅极热传输能力,达到抑制器件自热效应以改善器件性能及其可靠性的目的;与传统自热效应模型估算的热点温度值相比,所提出的自热效应模型预测的真空栅器件内热点温度提高了30%,表明该自热效应模型能够有效的揭示GAA FET内SiNW热传输尺度效应对自热效应的影响机制。 展开更多

关键词 场效应晶体管 热导率 热传输 硅纳米线 自热效应

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纳米MOSFET的多栅结构和应变硅纳米线结构 被引量：1

12

作者 李小明 韩伟华 +2 位作者 张严波 陈燕坤 杨富华 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第11期689-696,共8页

介绍了在进入22nm技术节点后MOSFET器件的两个发展方向,即多栅结构和应变硅纳米线结构。首先通过分析特征长度与有效栅极数量的关系,表明多栅结构器件可以有效增强栅极对沟道的控制,抑制短沟道效应,接近理想的亚阈值斜率;然后分析了应... 介绍了在进入22nm技术节点后MOSFET器件的两个发展方向,即多栅结构和应变硅纳米线结构。首先通过分析特征长度与有效栅极数量的关系,表明多栅结构器件可以有效增强栅极对沟道的控制,抑制短沟道效应,接近理想的亚阈值斜率;然后分析了应变对能带结构的影响,从理论上论述了应变沟道可以显著提高载流子迁移率;最后介绍了悬浮硅纳米线通过热氧化诱导形成应变沟道的方法,并对应力来源进行了分析。纳米结构CMOS晶体管由平面沟道结构向立体沟道结构转变,将成为器件未来主流的发展方向。 展开更多

关键词 场效应晶体管 多栅结构 应变 硅纳米线 围栅

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硅纳米线传感器灵敏度研究进展 被引量：1

13

作者 方敏 闫江 +7 位作者 魏千惠 张青竹 魏淑华 王艳蓉 张兆浩 熊恩毅 张双 张静 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2021年第3期225-232,253,共9页

对基于一维纳米材料的硅纳米线场效应晶体管(SiNW-FET)传感器在疾病早期诊断中检测超低浓度生物标志物的优势进行了简单阐述,提出提高SiNW-FET传感器检测灵敏度的重要性和必要性。介绍了SiNW-FET传感器的工作原理、检测灵敏度和检测限(L... 对基于一维纳米材料的硅纳米线场效应晶体管(SiNW-FET)传感器在疾病早期诊断中检测超低浓度生物标志物的优势进行了简单阐述,提出提高SiNW-FET传感器检测灵敏度的重要性和必要性。介绍了SiNW-FET传感器的工作原理、检测灵敏度和检测限(LOD)。重点讨论了通过对SiNW表面修饰方法的优化、使用不同结构形状SiNW和降低传感器德拜屏蔽效应等方法提高SiNW-FET传感器的灵敏度,对各种提高灵敏度的方法和对应方法下SiNW-FET传感器的检测限或灵敏度进行了对比总结。最后,总结了提高SiNW-FET传感器灵敏度的方法和目前亟待解决的问题,并展望了其发展趋势。 展开更多

关键词 硅纳米线场效应晶体管(sinw-fet) 一维纳米材料 传感器 灵敏度 检测限(LOD) 表面修饰

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多壁碳纳米管互连的单壁碳纳米管晶体管的频率特性 被引量：1

14

作者 朱玉振 王胜 +5 位作者 魏贤龙 丁力 张志勇 梁学磊 陈清 彭练矛 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第11期2122-2127,共6页

用多壁碳纳米管(MWCNTs)作为互连线制备出了单壁碳纳米管场效应晶体管(SWCNT FETs),对比研究了用多壁碳纳米管作为互连线和用金属作为互连线的两种情况.结果表明,二者的直流(DC)性能基本一致,而用多壁碳纳米管作为互连线的交流(AC)性能... 用多壁碳纳米管(MWCNTs)作为互连线制备出了单壁碳纳米管场效应晶体管(SWCNT FETs),对比研究了用多壁碳纳米管作为互连线和用金属作为互连线的两种情况.结果表明,二者的直流(DC)性能基本一致,而用多壁碳纳米管作为互连线的交流(AC)性能略优于用金属作为互连的情况.交流测量表明,至少在20MHz的频率下,多壁碳纳米管互连的单壁碳纳米管晶体管仍有很好的响应速率,器件能够正常工作. 展开更多

关键词 多壁碳纳米管 互连线 单壁碳纳米管 场效应晶体管

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硅纳米线界面态的化学钝化方法概述

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作者 窦亚梅 韩伟华 杨富华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期675-683,共9页

分析了界面态对硅无结纳米线晶体管（JNT）亚阈值摆幅和电导率的影响,并详细总结了化学钝化硅纳米线界面态的方法以及对器件性能的影响。化学钝化方法主要包括各向同性的氢氟酸（HF）腐蚀钝化和各向异性的四甲基氢氧化铵（TMAH）腐蚀钝... 分析了界面态对硅无结纳米线晶体管（JNT）亚阈值摆幅和电导率的影响,并详细总结了化学钝化硅纳米线界面态的方法以及对器件性能的影响。化学钝化方法主要包括各向同性的氢氟酸（HF）腐蚀钝化和各向异性的四甲基氢氧化铵（TMAH）腐蚀钝化。HF钝化方法以氢饱和硅表面悬挂键来减少其表面界面态,TMAH钝化方法则通过各向异性腐蚀形成Si—O键。化学处理后得到了光滑的硅纳米线晶面表面结构,从而有效地抑制界面态对电导率的影响,使器件达到理想的亚阈值摆幅。研究结果表明,利用化学腐蚀钝化方法优化界面态,能够有效改善硅纳米线晶体管的性能。 展开更多

关键词 硅无结纳米线晶体管(JNT) 电导率 亚阈值摆幅 界面态 化学处理

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硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线及其若干半导体器件

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作者 陶桂龙 许高博 徐秋霞 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第6期411-420,共10页

综述了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线与异质结制备技术的研究进展。针对基于Ⅲ-Ⅴ族纳米线的半导体器件,重点介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管的研究现状,详细介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管和隧穿场效应晶体管的制备流程、工艺技术和器... 综述了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线与异质结制备技术的研究进展。针对基于Ⅲ-Ⅴ族纳米线的半导体器件,重点介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管的研究现状,详细介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管和隧穿场效应晶体管的制备流程、工艺技术和器件的电学性能,并对影响器件电学性能的因素进行了分析。概括介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线激光器和硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线太阳电池的研究成果,基于硅衬底的Ⅲ-Ⅴ族纳米线太阳电池为低成本、高效能的太阳电池领域开辟了新途径。研究结果表明,采用硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线制备的场效应晶体管、激光器及太阳电池等半导体器件相对于Si,Ge等传统半导体材料制备的器件有着巨大的优势,在未来集成电路技术中具有越来越大的影响力。 展开更多

关键词 Ⅲ-Ⅴ族纳米线 异质结 场效应晶体管 激光器 太阳电池

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第VI族元素半导体纳米线的可控合成及其纳米电子学器件研究

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作者 覃东欢 刘红梅 +3 位作者 陶洪 兰林峰 陈军武 曹镛 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期76-79,84,共5页

采用化学液相反应,以亚硒酸或者原碲酸为原料,合成出尺寸均匀、高结晶度的硒、碲纳米线。高分辨电镜分析结果表明:合成的硒、碲纳米线均为三方晶单晶结构,生长方向沿其螺旋轴即[001]方向生长。结合光刻、电子束刻蚀技术,分别制备了硒、... 采用化学液相反应,以亚硒酸或者原碲酸为原料,合成出尺寸均匀、高结晶度的硒、碲纳米线。高分辨电镜分析结果表明:合成的硒、碲纳米线均为三方晶单晶结构,生长方向沿其螺旋轴即[001]方向生长。结合光刻、电子束刻蚀技术,分别制备了硒、碲纳米线场效应晶体管器件(FET)。对器件测试的结果显示:硒和碲纳米线均为p型半导体,其相应的空穴迁移率分别为30.7,70cm2V-1s-1。这对新型纳米线电子学器件的开发应用具有重要意义。 展开更多

关键词 VI族半导体 纳米线 场效应晶体管

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基于可控Cd掺杂In_2O_3纳米线的电学特性研究

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作者 郭慧尔 葛焱 +2 位作者 王春来 李琳珑 于永强 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期780-783,共4页

文章利用化学气相沉积法合成了不同摩尔比的Cd掺杂的In2O3纳米线,制备了基于单根In2O3纳米线的底栅场效应晶体管,并研究了其电输运特性。结果表明,相对未掺杂的In2O3纳米线,In2O3∶Cd纳米线的电导率有1～2个数量级变化,载流子迁移率高达... 文章利用化学气相沉积法合成了不同摩尔比的Cd掺杂的In2O3纳米线,制备了基于单根In2O3纳米线的底栅场效应晶体管,并研究了其电输运特性。结果表明,相对未掺杂的In2O3纳米线,In2O3∶Cd纳米线的电导率有1～2个数量级变化,载流子迁移率高达58.1cm2/(V.s),载流子浓度高达3.7×1018 cm-3。可控Cd掺杂In2O3纳米线将在纳米光电子器件方面有着广泛的应用前景。 展开更多

关键词 In2O3纳米线 化学气相沉积 Cd掺杂 场效应晶体管

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锗纳米线的性能与应用

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作者 裴立宅 谭伟 +1 位作者 赵海生 俞海云 《微纳电子技术》 CAS 2008年第2期91-96,108,共7页

重点分析讨论了锗纳米线在电学、光学、光电导等特性及其在场效应晶体管制造方面的研究应用现状与最新进展。综合分析表明,未经处理的锗纳米线表面存在一层氧化物及缺陷,与电极连接时欧姆接触性能较差,在制备锗纳米线器件以前必须对锗... 重点分析讨论了锗纳米线在电学、光学、光电导等特性及其在场效应晶体管制造方面的研究应用现状与最新进展。综合分析表明,未经处理的锗纳米线表面存在一层氧化物及缺陷,与电极连接时欧姆接触性能较差,在制备锗纳米线器件以前必须对锗纳米线表面进行钝化以便沉积电极;对锗纳米线进行掺杂可以改善Ge纳米线的性能,制造出实用Ge纳米线器件。指出在一根纳米线上生长硅/锗半导体纳米线形成硅/锗半导体界面,直接用单根纳米线制造具有完整功能的电子器件是将来重要的研究方向。 展开更多

关键词 锗纳米线 场效应晶体管 缺陷 欧姆接触 钝化

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一种在硅材料表面组装金纳米颗粒的新方法

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作者 张栋 肖淼 +2 位作者 马迅 程国胜 张兆春 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期25-28,50,共5页

以氯金酸、L-半胱氨酸为反应试剂,利用内电流和金硫自组装效应,在硅材料表面组装了较为均一的金纳米颗粒,并利用荧光分析与硅纳米线场效应晶体管对该方法进行了相关验证。结果表明:经氢氟酸处理后的硅材料,在氯金酸和L-半胱氨酸混合溶... 以氯金酸、L-半胱氨酸为反应试剂,利用内电流和金硫自组装效应,在硅材料表面组装了较为均一的金纳米颗粒,并利用荧光分析与硅纳米线场效应晶体管对该方法进行了相关验证。结果表明:经氢氟酸处理后的硅材料,在氯金酸和L-半胱氨酸混合溶液中反应3min可在硅表面得到较为均匀、稳定的金纳米颗粒层,其中,氯金酸浓度为0.5mmol/L,氯金酸和L-半胱氨酸浓度比为3∶1。荧光分析表明该方法组装的金颗粒表面已氨基功能化,使得金纳米颗粒修饰的硅材料在应用于生物检测时可直接醛基化修饰蛋白,简化了实验操作。同时,该方法可以在硅纳米线场效应晶体管中特异性组装金纳米颗粒,有力地支持了相关器件在疾病检测方面的应用。 展开更多

关键词 金纳米颗粒 硅材料 荧光分析 硅纳米线场效应晶体管

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