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大尺寸集成电路和硅片表面加工技术
被引量：
2
1
作者
陈杰
高诚辉
《现代制造工程》
CSCD
2007年第11期127-131,共5页
随着半导体技术的发展,特别是大尺寸硅片在集成电路中的应用,对硅片表面平整度及加工精度提出了越来越高的要求。根据当前硅片向直径400mm以上及特征线宽0.07μm发展的趋势,主要介绍以在线电解修整(Electrolytic In-process Dressing,EL...
随着半导体技术的发展,特别是大尺寸硅片在集成电路中的应用,对硅片表面平整度及加工精度提出了越来越高的要求。根据当前硅片向直径400mm以上及特征线宽0.07μm发展的趋势,主要介绍以在线电解修整(Electrolytic In-process Dressing,ELID)磨削和化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)等复合加工为主的几种硅片表面加工技术,并简要说明其加工机理和应用。
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关键词
硅片表面加工
ELID磨削
工件旋转式磨削
化学机械抛光
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职称材料
题名
大尺寸集成电路和硅片表面加工技术
被引量：
2
1
作者
陈杰
高诚辉
机构
福州大学机械工程及自动化学院
出处
《现代制造工程》
CSCD
2007年第11期127-131,共5页
文摘
随着半导体技术的发展,特别是大尺寸硅片在集成电路中的应用,对硅片表面平整度及加工精度提出了越来越高的要求。根据当前硅片向直径400mm以上及特征线宽0.07μm发展的趋势,主要介绍以在线电解修整(Electrolytic In-process Dressing,ELID)磨削和化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)等复合加工为主的几种硅片表面加工技术,并简要说明其加工机理和应用。
关键词
硅片表面加工
ELID磨削
工件旋转式磨削
化学机械抛光
Keywords
Surface machining of silicon wafer
ELID grinding
Work-rotation grinding
Chemical Mechanical Polishing（CMP）
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
大尺寸集成电路和硅片表面加工技术
陈杰
高诚辉
《现代制造工程》
CSCD
2007
2
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