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硅片粘合杂质双扩散制造晶闸管
1
作者
陈福元
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第5期50-51,共2页
本文介绍硅片粘合杂质双扩散制造晶闸管工艺,结合光刻门极化学挖槽技术,简化制管工序,改善了器件的电性能指标。
关键词
硅片粘合
杂质扩散
晶闸管
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职称材料
适合于制作绝缘体上硅的硅片粘合技术及其应用
2
作者
龚裕才
邹修庆
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1995年第2期48-50,共3页
本文介绍了将我们开发的硅片粘合技术与传统V形槽隔离工艺相结合而研制成功的一种新的介质隔离方法。文中指出了传统V形槽介质隔离方法的不足,给出了新的介质隔离方法的工艺路线,介绍了该方法在抗辐照集成稳压器中的应用。
关键词
介质隔离
集成电路
硅
硅片粘合
绝缘体
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职称材料
题名
硅片粘合杂质双扩散制造晶闸管
1
作者
陈福元
机构
浙江大学功率器件研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第5期50-51,共2页
文摘
本文介绍硅片粘合杂质双扩散制造晶闸管工艺,结合光刻门极化学挖槽技术,简化制管工序,改善了器件的电性能指标。
关键词
硅片粘合
杂质扩散
晶闸管
分类号
TN340.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
适合于制作绝缘体上硅的硅片粘合技术及其应用
2
作者
龚裕才
邹修庆
机构
重庆电子工业部第
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1995年第2期48-50,共3页
文摘
本文介绍了将我们开发的硅片粘合技术与传统V形槽隔离工艺相结合而研制成功的一种新的介质隔离方法。文中指出了传统V形槽介质隔离方法的不足,给出了新的介质隔离方法的工艺路线,介绍了该方法在抗辐照集成稳压器中的应用。
关键词
介质隔离
集成电路
硅
硅片粘合
绝缘体
Keywords
SOI,Dielectric isolation,Radiation hardening,Integrated voltage regulator
分类号
TN405.95 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
硅片粘合杂质双扩散制造晶闸管
陈福元
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994
0
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职称材料
2
适合于制作绝缘体上硅的硅片粘合技术及其应用
龚裕才
邹修庆
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1995
0
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