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基于统计反演的硅片微区电阻率测试方法
1
作者
边泽鹏
刘新福
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第4期347-352,共6页
提出了一种基于统计反演重建电阻率分布图像的硅片电阻率测试方法,该方法采用马尔科夫链蒙特卡洛(MCMC)方法求解电阻抗成像技术(EIT)的逆问题,可以避免确定性方法中迭代误差和分辨率低的问题。建立了一种基于MCMC方法的电阻率分布图像...
提出了一种基于统计反演重建电阻率分布图像的硅片电阻率测试方法,该方法采用马尔科夫链蒙特卡洛(MCMC)方法求解电阻抗成像技术(EIT)的逆问题,可以避免确定性方法中迭代误差和分辨率低的问题。建立了一种基于MCMC方法的电阻率分布图像重建算法,搭建了电压数据采集系统以测量边缘电压。对比MCMC算法重建的硅片微区电阻率分布图像与4D-333A测试仪的测量结果,二者的电阻率分布情况呈现出相同的分布趋势。将采用MCMC算法得出的256个单元的数值与采用其他重建方法得出的数值、真实的电阻率进行对比,发现MCMC算法得到的数值与真实数值最接近的单元数最多,为88个,比其他重建方法更为准确。
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关键词
硅片电阻率
电阻
抗成像技术(EIT)
统计反演
贝叶斯方法
马尔科夫链蒙特卡洛(MCMC)方法
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职称材料
题名
基于统计反演的硅片微区电阻率测试方法
1
作者
边泽鹏
刘新福
机构
河北工业大学机械工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第4期347-352,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(69272001)
天津市自然科学基金资助项目(013602011)
河北省高层次人才资助项目(C2013005003)。
文摘
提出了一种基于统计反演重建电阻率分布图像的硅片电阻率测试方法,该方法采用马尔科夫链蒙特卡洛(MCMC)方法求解电阻抗成像技术(EIT)的逆问题,可以避免确定性方法中迭代误差和分辨率低的问题。建立了一种基于MCMC方法的电阻率分布图像重建算法,搭建了电压数据采集系统以测量边缘电压。对比MCMC算法重建的硅片微区电阻率分布图像与4D-333A测试仪的测量结果,二者的电阻率分布情况呈现出相同的分布趋势。将采用MCMC算法得出的256个单元的数值与采用其他重建方法得出的数值、真实的电阻率进行对比,发现MCMC算法得到的数值与真实数值最接近的单元数最多,为88个,比其他重建方法更为准确。
关键词
硅片电阻率
电阻
抗成像技术(EIT)
统计反演
贝叶斯方法
马尔科夫链蒙特卡洛(MCMC)方法
Keywords
silicon wafer resistivity
electrical impedance tomography(EIT)
statistical inversion
Bayesian method
Markov chain Monte Carlo(MCMC)method
分类号
TN304.07 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
基于统计反演的硅片微区电阻率测试方法
边泽鹏
刘新福
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023
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