用于硅漂移探测器读出的低噪声前放ASIC芯片研制

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作者 刘灿文 邓智 +1 位作者 叶祥柯 李政 《核电子学与探测技术》 北大核心 2025年第4期441-446,共6页

本文介绍了一款用于硅漂移探测器(Silicon Drift Detector,SDD)的低噪声CMOS前放ASIC的设计和测试情况。本文通过原理图仿真确定了前放输入晶体管的尺寸和电流,并对前放结构和相关晶体管尺寸进行了优化;通过版图后仿真保证了实际芯片性... 本文介绍了一款用于硅漂移探测器(Silicon Drift Detector,SDD)的低噪声CMOS前放ASIC的设计和测试情况。本文通过原理图仿真确定了前放输入晶体管的尺寸和电流,并对前放结构和相关晶体管尺寸进行了优化;通过版图后仿真保证了实际芯片性能和仿真性能的一致性。最终芯片核心电路的版图尺寸为770μm×580μm。仿真输出波形上升时间约为50 ns,探测器漏电流为0.2 pA,达峰时间为12μs时的等效噪声电荷(Equivalent Noise Charge,ENC)约为4.8 e^(-)@20℃。对前放芯片进行了纯电子学测试,实际测得芯片输出波形上升时间约为60 ns,12μs达峰时间时ENC约为5.3 e^(-)@20℃。连SDD进行了^(55) Fe Mn-Kα能谱测试,在温度为-80℃,探测器漏电流为0.005 pA,采用数字梯形滤波电路上升时间为20μs时,测得5.9 keV能峰的能量分辨率半高宽为149.9 eV。 展开更多

关键词 电荷灵敏前放 低噪声 ASIC 硅漂移探测器

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硅漂移(SDD)阵列探测器X射线能谱测量诊断 被引量：6

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作者 杨进蔚 张炜 +1 位作者 宋先瑛 李旭 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期331-334,共4页

采用最新的SDD探测器阵列测量HL-2A托卡马克等离子体软X射线(1～20keV)辐射的能谱,获得电子温度、Zeff、重金属杂质含量绝对值及其时、空分布。由于SDD探测器较之传统的Si(Li)探测器有体积小、计数率高(≥106/s),能量分辨和量子效率高,... 采用最新的SDD探测器阵列测量HL-2A托卡马克等离子体软X射线(1～20keV)辐射的能谱,获得电子温度、Zeff、重金属杂质含量绝对值及其时、空分布。由于SDD探测器较之传统的Si(Li)探测器有体积小、计数率高(≥106/s),能量分辨和量子效率高,不需液氮冷却的特点,并采用高速ADC和海量缓存器,电子温度测量的时、空分辨能力接近汤姆逊散射和ECE等方法,而测量精确度、使用寿命、造价、抗干扰能力、适应性等方面优于后者,且信息获取量大,可获得多种等离子体参数而备受重视,是一种最先进的诊断手段。 展开更多

关键词 硅漂移探测器 软X射线能谱 电子温度 磁约束聚变装置

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硅漂移探测器中逃逸峰的分析与计算

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作者 廖学亮 刘明博 +1 位作者 程大伟 沈学静 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期1297-1300,共4页

能量色散X射线荧光光谱所使用的硅漂移探测器(SDD)在检测过程中会在个别含量较高待测元素所产生的较强特征峰的低能侧形成逃逸峰,其相应的特征峰也会损失一部分强度,逃逸峰的产生位置与探测器的成分有关;SDD探测器中入射特征峰与逃逸峰... 能量色散X射线荧光光谱所使用的硅漂移探测器(SDD)在检测过程中会在个别含量较高待测元素所产生的较强特征峰的低能侧形成逃逸峰,其相应的特征峰也会损失一部分强度,逃逸峰的产生位置与探测器的成分有关;SDD探测器中入射特征峰与逃逸峰之间的能量差值为1.739 keV,等于硅原子的K_(α)特征能量,逃逸峰的强度与入射X射线的强度成正比,即与相应元素的含量/特征峰强度成正比,通常的入射特征峰逃逸概率比较低,在逃逸峰强度较低时对测试结果影响较小,当基体元素含量较高时产生的逃逸峰较大就会导致测试结果偏差较大;通过理论计算可以看出,逃逸峰的产生概率与探测器角度及元素种类等条件有关,从硅原子的质量吸收系数的变化趋势可以发现,随着入射特征线能量的增大硅原子对其的质量吸收系数降低,相应入射线的逃逸峰产生概率也会降低。当逃逸峰与其他待测元素的特征能量峰位置有重合时,会干扰相应元素的准确测量,导致相应元素的特征峰强度偏大,尤其是当待测元素含量较低时,其产生的特征峰强度较小,逃逸峰导致的本底强度所产生的干扰相对更大,因此需要对逃逸峰进行准确计算和校正。搭建了相应的平台进行测试,并以Fe和Mn元素为例,通过对SDD探测器中两种元素产生的逃逸峰概率进行理论分析与计算,并与实际测试谱图得到的逃逸概率值进行对比,发现两种数据符合较好,并且经对比发现在Fe_(2)O_(3)样品中的Fe∶K_(β)线的逃逸峰与Cr∶K_(α)峰重合,Fe∶K_(α)线的逃逸峰与Ti∶K_(α)峰有部分重合,在扣去逃逸峰后可以降低检出限,以更好地对Cr和Ti进行准确定量,该方法可扩展到其他含量较高元素的逃逸峰计算与校正,尤其是在土壤、矿物、合金检测等个别元素含量较高的样品中多元素检测方面的应用,可提高X射线荧光方法的测试准确度。 展开更多

关键词 逃逸峰 能量色散X射线荧光光谱法 硅漂移探测器

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硅漂移探测器的制作工艺及特性研究 被引量：6

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作者 吴广国 黄勇 +7 位作者 贾彬 曹学蕾 孟祥承 王焕玉 李秀芝 梁琨 杨茹 韩德俊 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期436-441,共6页

采用双面并行的平面工艺研制出了有源区面积5mm2的硅漂移探测器(SDD)。这种双面并行的平面工艺使得SDD绝大部分正面和背面的pn结结构能够并行完成,极大地减少了工艺步骤,降低了器件制作的难度。对研制的SDD的漏电流、电势分布、光电子... 采用双面并行的平面工艺研制出了有源区面积5mm2的硅漂移探测器(SDD)。这种双面并行的平面工艺使得SDD绝大部分正面和背面的pn结结构能够并行完成,极大地减少了工艺步骤,降低了器件制作的难度。对研制的SDD的漏电流、电势分布、光电子的漂移特性等进行了测量和分析,对238Puα射线源的能谱进行了测量,对正常工作状态下出现的悬空阳极电位进行了分析和讨论。报道了利用阳极漏电流、光电子漂移特性、悬空阳极电位对SDD芯片进行中测和封装前快速筛选的方法。 展开更多

关键词 硅漂移探测器 制作工艺 光响应度 漂移特性 悬空阳极电位

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电子照射对硅漂移探测器性能的影响 被引量：3

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作者 张斌全 韦飞 +1 位作者 冷双 王世金 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期235-238,共4页

由于高能电子辐射的长期照射,新一代太阳X射线探测器硅漂移传感器的探测性能可能发生变化.通过用电子放射源模拟空间电子对硅漂移探测器进行辐射照射试验,以测试电子照射对传感器能量分辨率、效率、信号幅度等性能的影响.试验结果表明,... 由于高能电子辐射的长期照射,新一代太阳X射线探测器硅漂移传感器的探测性能可能发生变化.通过用电子放射源模拟空间电子对硅漂移探测器进行辐射照射试验,以测试电子照射对传感器能量分辨率、效率、信号幅度等性能的影响.试验结果表明,长期的电子照射造成硅漂移探测器面损伤和体损伤,使其漏电流增大,信号幅度减小,能量分辨率也受到照射的影响,而探测效率未发生变化. 展开更多

关键词 太阳X射线 硅漂移探测器 电子 照射

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EAST全超导托卡马克上硅漂移探测器软X射线能谱诊断 被引量：3

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作者 许平 林士耀 +6 位作者 胡立群 张继宗 段艳敏 钟国强 卢洪伟 陈开云 无 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期757-763,共7页

采用性能优越的15道硅漂移探测器(SDD)阵列,在EAST全超导托卡马克上建立了1套较为完善的软X射线能谱诊断系统,用以测量等离子体在软X射线辐射能段(1～20keV)的能谱。该诊断系统的观测范围基本覆盖了整个等离子体空间,因此,可满足EAST不... 采用性能优越的15道硅漂移探测器(SDD)阵列,在EAST全超导托卡马克上建立了1套较为完善的软X射线能谱诊断系统,用以测量等离子体在软X射线辐射能段(1～20keV)的能谱。该诊断系统的观测范围基本覆盖了整个等离子体空间,因此,可满足EAST不同放电位形下电子温度测量的要求。利用该诊断系统,可获得时间分辨达50ms、空间分辨约为7cm的电子温度剖面。通过对比发现,由该诊断系统所得到的电子温度与其它电子温度诊断系统所测量的电子温度基本一致。此外,该诊断系统还可监测在软X射线能量范围内出现的一些金属杂质的特征线辐射。 展开更多

关键词 EAST托卡马克 电子温度 软X射线能谱 硅漂移探测器

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制造硅光电探测器的锂扩散和漂移技术

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作者 孙承松 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 1991年第3期93-96,共4页

本文介绍了制造硅光电探测器的锂扩散和漂移技术,这种探测器是为接受1.06μm波长的光而设计的,由于锂的特殊性质不能采取常规的扩散技术,而是在真空镀膜机中进行,漂移是在恒温箱中加一定电压来完成。经过漂移可使探测器的峰值响应波长移... 本文介绍了制造硅光电探测器的锂扩散和漂移技术,这种探测器是为接受1.06μm波长的光而设计的,由于锂的特殊性质不能采取常规的扩散技术,而是在真空镀膜机中进行,漂移是在恒温箱中加一定电压来完成。经过漂移可使探测器的峰值响应波长移向1.06μm。本文也从理论上计算了漂移补偿区的厚度,与实验值基本符合。 展开更多

关键词 硅 光探测器 锂 扩散 漂移

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大面积硅锂漂移探测器制备及其性能

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作者 丁洪林 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第2期178-181,共4页

制备了大面积硅锂漂移探测器,其性能为:探测器的灵敏面积123.6 cm^2;灵敏层深度2 mm;在室温和300 V反向偏压的工作条件下漏电流小于20 μA;对^(241)Am 5.486 MeV α粒子的能量分辨(FWHM)为77.67 keV。

关键词 大面积 硅锂 探测器 漂移室

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硅漂移探测器探测效率标定研究 被引量：2

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作者 郄晓雨 郭思明 +4 位作者 郭锴悦 蒋政 余涛 吴金杰 任世伟 《电子测量与仪器学报》 CSCD 北大核心 2022年第10期49-54,共6页

单能X射线标定装置是基于布拉格衍射原理产生单能X射线的装置,能量连续可调的单能X射线可以为探测器提供能量可选的详细标定实验。使用蒙特卡洛计算软件对两个不同型号的硅漂移探测器的探测效率进行模拟计算,得到3~50 keV能量段的探测效... 单能X射线标定装置是基于布拉格衍射原理产生单能X射线的装置,能量连续可调的单能X射线可以为探测器提供能量可选的详细标定实验。使用蒙特卡洛计算软件对两个不同型号的硅漂移探测器的探测效率进行模拟计算,得到3~50 keV能量段的探测效率,在单能X射线标定装置上完成了硅漂移探测器探测效率的标定实验,得到实验测量的探测效率曲线,并与模拟效率曲线对比。其中,PNDetector公司的MLC型硅漂移探测器的实验结果与理论计算结果的误差最大值为4.23%@15 keV,KETEX公司的BEV 133型硅漂移探测器的实验结果与理论计算结果的最大误差为-6.88%@12 keV。结果表明,在7~16 keV能量段,两个探测器的实验标定结果与理论计算结果相符,在8 keV左右,实际探测效率大于90%。研究成果验证了使用基于布拉格晶体衍射原理的单能X射线用于探测器标定的优越性,为国产化X射线探测器提供可靠的性能研究与测试平台。 展开更多

关键词 单能硬X射线 硅漂移探测器 探测效率 探测器效率标定

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束流漂移对硅条探测器阵列测量的影响

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作者 孙浩瀚 林承键 +7 位作者 马南茹 王东玺 贾会明 杨磊 杨峰 钟福鹏 温培威 姚永进 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期1287-1293,共7页

为研究束流漂移对结构紧凑、覆盖立体角较大的硅条探测器阵列测量的影响,利用蒙特卡罗方法,模拟了不同方向、不同大小的束流漂移对熔合蒸发残余核α衰变和卢瑟福散射角分布的影响,表明束流漂移距离小于3.0 mm时,探测器阵列的对称性能将... 为研究束流漂移对结构紧凑、覆盖立体角较大的硅条探测器阵列测量的影响,利用蒙特卡罗方法,模拟了不同方向、不同大小的束流漂移对熔合蒸发残余核α衰变和卢瑟福散射角分布的影响,表明束流漂移距离小于3.0 mm时,探测器阵列的对称性能将计数误差控制在10%以下。开展了25 MeV和40 MeV 6Li+209Bi体系的实验测量,利用监视器数据研究了束流漂移的情况,结果表明,所有轮次的束流漂移均未超过3.0 mm。对束流漂移进行修正后,用3种不同的立体角刻度方法得到了弹性散射角分布,感兴趣的40 MeV数据与文献数据基本一致。 展开更多

关键词 硅条探测器阵列 蒙特卡罗模拟 束流漂移 角分布

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一种硅漂移探测器的优化设计与特性研究

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作者 刘瑶光 殷华湘 +2 位作者 吴次南 许高博 翟琼华 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第1期7-11,共5页

硅漂移探测器(SDD)因能量分辨率高和计数率高广泛应用于X射线的探测分析。阐述了同心圆环结构的圆柱形硅漂移探测器的工作原理,基于该结构采用TCAD仿真其内部电势分布、电场分布和电子浓度分布,依照仿真结果对器件结构进行优化,并对所... 硅漂移探测器(SDD)因能量分辨率高和计数率高广泛应用于X射线的探测分析。阐述了同心圆环结构的圆柱形硅漂移探测器的工作原理,基于该结构采用TCAD仿真其内部电势分布、电场分布和电子浓度分布,依照仿真结果对器件结构进行优化,并对所研制的器件电学特性进行了测试分析。结果表明,优化后的硅漂移探测器内部漂移电场较为均匀并且电场强度较强,能够满足探测器的设计需求。 展开更多

关键词 半导体探测器 硅漂移探测器 模拟仿真 测试

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赛默飞发布新型UltraDry硅漂移(电制冷)探测器

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《电子测量技术》 2012年第8期140-141,共2页

为NORAN System 7微区分析系统提供最优的探测器尺寸、分析速度和分辨率中国上海,2012年8月10日——7月30日,科学服务领域的世界领导者赛默飞世尔科技（以下简称：赛默飞）在2012显微镜学和微区分析大会上发布新型赛默飞UltraDry硅漂移... 为NORAN System 7微区分析系统提供最优的探测器尺寸、分析速度和分辨率中国上海,2012年8月10日——7月30日,科学服务领域的世界领导者赛默飞世尔科技（以下简称：赛默飞）在2012显微镜学和微区分析大会上发布新型赛默飞UltraDry硅漂移（电制冷）X射线探测器。 展开更多

关键词 X射线探测器 电制冷 漂移 硅 微区分析 分析速度 分辨率 显微镜

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硅微条探测器 被引量：7

13

作者 孟祥承 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期4-18,共15页

硅微条探测器的位置分辨率可好于σ=1.4μm,这是任何气体探测器和闪烁探测器很难作到的。主要介绍硅微条探测器的特点、结构、工作原理及其在近年来的发展和在高能物理、核医学等领域应用概况。

关键词 硅微条探测器 P-N结 耗尽层 死层 像素探测器 硅片探测器 电荷耦合探测器 硅漂移室

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Si(Li)探测器漂移电源

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作者 董成富 古中道 原振东 《核电子学与探测技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期60-62,共3页

本文介绍了一种在Ｓｉ（Ｌｉ）探测器漂移过程中的漂移电源，这种电源和其它普通电源完全不同，它主要由双向可控硅和双向触发二极管等新型器件组成，使输出直流电压从０～１０００Ｖ范围内连续可调，输出电流最大为１００ｍＡ，当硅片... 本文介绍了一种在Ｓｉ（Ｌｉ）探测器漂移过程中的漂移电源，这种电源和其它普通电源完全不同，它主要由双向可控硅和双向触发二极管等新型器件组成，使输出直流电压从０～１０００Ｖ范围内连续可调，输出电流最大为１００ｍＡ，当硅片在漂移过程中，由于温度升高而电流增加时，漂移电压可随之下降，从而保持加在硅片上的功率基本不变，这样保证了不致造成损坏硅片现象。用此电源已成功地漂移出４０块Ｓｉ（Ｌｉ）探测器，现已投入在空间实验中使用，取得了良好而满意的效果。 展开更多

关键词 漂移电源 功率限制 导通角 电阻率 硅探测器

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BESIII硅像素探测器寻迹方法的初步研究

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作者 黄亮 李卫东 +3 位作者 袁野 吴智 修青磊 王亮亮 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期547-552,561,共7页

随着BESIII漂移室运行时间的增加,其老化问题日趋严重,各种升级替换方案也在研究过程中。论文对替换方案之一的硅像素探测器(SPT)的基本结构、探测原理和初步模拟工作进行了介绍。阐述了硅像素探测器的径迹重建算法的原理、算法的设计... 随着BESIII漂移室运行时间的增加,其老化问题日趋严重,各种升级替换方案也在研究过程中。论文对替换方案之一的硅像素探测器(SPT)的基本结构、探测原理和初步模拟工作进行了介绍。阐述了硅像素探测器的径迹重建算法的原理、算法的设计和开发。最后使用不同动量的单粒子径迹模拟事例对算法进行调试,并对匹配效率、重建性能和探测器物质量对算法的影响进行了检验和分析。 展开更多

关键词 BESⅢ 漂移室 硅像素探测器 模拟 径迹重建

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新型半导体探测器发展和应用 被引量：14

16

作者 孟祥承 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期87-96,共10页

新型半导体探测器如硅微条、Pixel、CCD、硅漂移室等,近些年发展很快,在高能物理和天体物理实验中作为顶点及径迹探测器应用很广。主要是它们的位置分辨率非常高,像硅微条探测器,目前可做到好于1.4μm,这是任何气体探测器和闪烁探测器... 新型半导体探测器如硅微条、Pixel、CCD、硅漂移室等,近些年发展很快,在高能物理和天体物理实验中作为顶点及径迹探测器应用很广。主要是它们的位置分辨率非常高,像硅微条探测器,目前可做到好于1.4μm,这是任何气体探测器和闪烁探测器很难做到的。主要介绍这些新型半导体探测器的结构、原理、及其发展在高能物理、天体物理、核医学等领域应用。 展开更多

关键词 半导体探测器 硅微条探测器 像素探测器 硅片探测器 电荷耦合探测器 硅漂移室

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基于SDD与DPP的X荧光分析及其在光伏硅杂质元素分析中的应用 被引量：6

17

作者 宁方敏 徐建元 +2 位作者 谭继廉 徐惠忠 田宇紘 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1637-1640,共4页

采用硅漂移探测器(SDD)和DPP数字脉冲处理器(DPP)相结合,以及双靶X光管激发系统的X荧光分析方法,测定了光伏硅中杂质元素的含量,并采用不同含量的国家标准物质元素,对其最低检测限、精密度、准确度、稳定性等进行了实验,以检验所研制设... 采用硅漂移探测器(SDD)和DPP数字脉冲处理器(DPP)相结合,以及双靶X光管激发系统的X荧光分析方法,测定了光伏硅中杂质元素的含量,并采用不同含量的国家标准物质元素,对其最低检测限、精密度、准确度、稳定性等进行了实验,以检验所研制设备及所建立方法的可行性和实用性。研究结果表明,运用该设备及方法所测得的数据,可满足欧盟ARTIST计划和美国太阳能工业协会对光伏硅中杂质元素的限制要求。 展开更多

关键词 X荧光分析 sdd硅漂移探测器 DPP数字脉冲处理器 光伏硅 杂质 元素分析

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SDD-EDXRF中FP法无标样校正钒钛铁间吸收增强效应 被引量：3

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作者 刘敏 庹先国 +2 位作者 李哲 石睿 张金钊 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1192-1195,1200,共5页

依据基本参数法(FP法)无标样分析原理建立了数理模型,计算得到了模型中质量吸收系数(μ)、激发因子(E)等关键参数,并将其应用于能量色散X荧光(EDXRF)分析。实验中,对V-Ti-Fe伪三元系样品利用基于硅漂移探测器(SDD)的EDXRF测量系统(SDD-E... 依据基本参数法(FP法)无标样分析原理建立了数理模型,计算得到了模型中质量吸收系数(μ)、激发因子(E)等关键参数,并将其应用于能量色散X荧光(EDXRF)分析。实验中,对V-Ti-Fe伪三元系样品利用基于硅漂移探测器(SDD)的EDXRF测量系统(SDD-EDXRF)进行能谱测量,采用自行开发的FP法无标样分析程序,分析得到了三元系混合样品中各元素的含量。结果表明该无标样数理模型能较好地克服V-Ti-Fe元素间的吸收增强效应,方法的精密度相对标准偏差低于0.9%,测量值与实际值的最低相对误差小于1%。 展开更多

关键词 FP法 无标样 能量色散X荧光分析 硅漂移探测器 伪三元系

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FP法在SDD-EDXRF无标样分析技术中的应用研究 被引量：3

19

作者 刘敏 庹先国 +1 位作者 李哲 石睿 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第9期1096-1099,1104,共5页

为实现能量色散X荧光(EDXRF)技术对元素含量的无标样分析,建立了基本参数法(FP法)数理分析模型,并计算得到了模型中质量吸收系数(μ)、激发因子(E)等关键参数。实验中,利用基于硅漂移探测器(SDD)的EDXRF测量系统(SDD-EDXRF),对Fe-Cu、Fe... 为实现能量色散X荧光(EDXRF)技术对元素含量的无标样分析,建立了基本参数法(FP法)数理分析模型,并计算得到了模型中质量吸收系数(μ)、激发因子(E)等关键参数。实验中,利用基于硅漂移探测器(SDD)的EDXRF测量系统(SDD-EDXRF),对Fe-Cu、Fe-Ti两种伪二元体系样品进行能谱测量,并采用自行开发的FP法计算程序,分析得到了混合样品中各元素含量,含量的计算值与实际值的最低相对误差小于2%,精密度相对标准偏差低于0.8%。结果表明,所建立的FP法分析模型,能较好克服元素间的吸收增强效应,可应用于SDD-EDXRF的无标样分析过程。 展开更多

关键词 能量色散X荧光分析 基本参数法 硅漂移探测器 伪二元系

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HL-2A装置SDD软X射线PHA阵列实验结果 被引量：2

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作者 张轶泼 刘仪 +4 位作者 杨进蔚 宋先瑛 李旭 袁国梁 潘传红 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期97-102,共6页

用软X射线脉冲高度分析(PHA)阵列系统获得了等离子体的电子温度剖面和电子速率分布的时间演化。测量结果表明,电子温度剖面在OH阶段较平缓,接近抛物线1.0×[1-(r/a)2]2分布;而在ECRH(功率0.8MW)阶段,等离子体中心(z=0)电子温度上升... 用软X射线脉冲高度分析(PHA)阵列系统获得了等离子体的电子温度剖面和电子速率分布的时间演化。测量结果表明,电子温度剖面在OH阶段较平缓,接近抛物线1.0×[1-(r/a)2]2分布;而在ECRH(功率0.8MW)阶段,等离子体中心(z=0)电子温度上升了0.6keV,边缘(z=30cm)处只上升了0.1keV,反映出ECRH功率沉积在等离子体中心区域;在ECRH期间有大量的高能电子产生,因而电子速率分布在ECRH期间显著改变;等离子体中心的高能电子的数量和能量都比等离子体边缘的增加更大,ECRH(～0.8MW)期间等离子体中心(z=0)产生的高能电子的能量可达17keV。分析表明:在ECRH(纵场Bt=1.3T)放电期间,ECRH加热效果显著,ECRH的功率主要沉积在等离子体中心附近;电子温度剖面在ECRH阶段较OH阶段峰化;ECRH期间有大量的高能电子产生,电子速率分布被改变成为非麦克斯韦分布。 展开更多

关键词 软X射线脉冲高度分析 硅漂移探测器 电子温度分布 电子速率分布 ECRH

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