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Al－SiO_xN_y－Si系统有效功函数差和界面特性的研究
1
作者
李观启
严东军
+2 位作者
黄美浅
曾绍鸿
刘百勇
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
1995年第2期53-58,共6页
本文采用氩离子刻蚀法，将ＳｉＯｘＮｙ膜减薄成不同厚度的样片，并制成Ａｌ－ＳｉＯｘＮｙ－Ｓｉ系统的ＭＩＳ电容器。利用平带电压随膜厚度变化的关系和最小二乘法，测定有效功函数差和Ｓｉ－ＳｉＯｘＮｙ系统的固定电荷密度。结果表...
本文采用氩离子刻蚀法，将ＳｉＯｘＮｙ膜减薄成不同厚度的样片，并制成Ａｌ－ＳｉＯｘＮｙ－Ｓｉ系统的ＭＩＳ电容器。利用平带电压随膜厚度变化的关系和最小二乘法，测定有效功函数差和Ｓｉ－ＳｉＯｘＮｙ系统的固定电荷密度。结果表明，该系统的平带电压值明显高于Ａｌ－ＳｉＯ２－Ｓｉ系统的值，原因是固定电荷密度增大、有效功函数差减小和相对介电常数增大的综合结果。有效功函数差的减小与Ｓｉ－ＳｉＯｘＮｙ界面态密度的增大有关。
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关键词
氧化
膜
氮
化
功函数
界面态
硅氮氧化膜
半导体
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职称材料
题名
Al－SiO_xN_y－Si系统有效功函数差和界面特性的研究
1
作者
李观启
严东军
黄美浅
曾绍鸿
刘百勇
机构
华南理工大学应用物理系
出处
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
1995年第2期53-58,共6页
文摘
本文采用氩离子刻蚀法，将ＳｉＯｘＮｙ膜减薄成不同厚度的样片，并制成Ａｌ－ＳｉＯｘＮｙ－Ｓｉ系统的ＭＩＳ电容器。利用平带电压随膜厚度变化的关系和最小二乘法，测定有效功函数差和Ｓｉ－ＳｉＯｘＮｙ系统的固定电荷密度。结果表明，该系统的平带电压值明显高于Ａｌ－ＳｉＯ２－Ｓｉ系统的值，原因是固定电荷密度增大、有效功函数差减小和相对介电常数增大的综合结果。有效功函数差的减小与Ｓｉ－ＳｉＯｘＮｙ界面态密度的增大有关。
关键词
氧化
膜
氮
化
功函数
界面态
硅氮氧化膜
半导体
Keywords
s: oxide
nitridation
work funtion
interface state
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
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1
Al－SiO_xN_y－Si系统有效功函数差和界面特性的研究
李观启
严东军
黄美浅
曾绍鸿
刘百勇
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
1995
0
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