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白光LED用新型硅基氮化物红色荧光粉研究进展 被引量:7
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作者 耿秀娟 陈永杰 +2 位作者 田彦文 王瓒 肖林久 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第11期15-17,共3页
综述目前白光LED用新型硅基氮化物红色荧光粉的最新研究成果和发展状况,介绍了该荧光粉在制备合成方面的最新进展,最后展望了硅基氮化物红色荧光粉的发展前景。
关键词 白光LED 氮化物 红色荧光粉
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Density functional theory study on the structure and properties of Si3N4 clusters 被引量:3
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作者 ZHANG Cai-rong ZHANG Bi-xia +2 位作者 CHEN Yu-hong LI Wei-xue XU Guang-ji 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第B04期171-174,共4页
关键词 硅氮化物 结构 特性 密度函数理论
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半导体照明中光色转换用发光材料的研究进展 被引量:2
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作者 肖志国 《中国材料进展》 CAS CSCD 2009年第7期57-66,共10页
鉴于半导体照明市场的目前状况以及无机发光材料的研究动态与发展趋势,结合大连路明发光科技股份有限公司、日亚化学公司等国内外一些重要单位的研发工作,侧重对几类可与蓝光芯片或近紫外芯片匹配的典型荧光材料体系的研究进展作了评述... 鉴于半导体照明市场的目前状况以及无机发光材料的研究动态与发展趋势,结合大连路明发光科技股份有限公司、日亚化学公司等国内外一些重要单位的研发工作,侧重对几类可与蓝光芯片或近紫外芯片匹配的典型荧光材料体系的研究进展作了评述,并对国外硅基含氮荧光材料的研究进展作了介绍。 展开更多
关键词 蓝光芯片 钇铝石榴石YAG:Ce 酸盐 氮化物 氮氧化物
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GdO存储层中氧含量及掺氮对MONOS存储器特性的影响
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作者 李育强 刘璐 +1 位作者 朱剑云 徐静平 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期17-21,共5页
采用反应溅射法制备以GdOx或GdON为存储层的MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Si)电容存储器,研究了GdOx中氧含量以及掺氮对MONOS存储器存储特性的影响。实验结果表明,含氧气氛中制备的GdO其氧空位(电荷陷阱)较少,且界面处存在较多Gd-Si... 采用反应溅射法制备以GdOx或GdON为存储层的MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Si)电容存储器,研究了GdOx中氧含量以及掺氮对MONOS存储器存储特性的影响。实验结果表明,含氧气氛中制备的GdO其氧空位(电荷陷阱)较少,且界面处存在较多Gd-Si键,导致界面态密度增加,因而存储特性欠佳;引入氮至GdO中可诱导出大量的深能级电子陷阱,并能提高介电常数、减少界面缺陷,因此GdON样品表现出好的存储特性:较大的存储窗口(±13V/1s的编程/擦除电压下,存储窗口4.1V)、高的工作速度、好的保持特性以及优良的疲劳特性(105循环编程/擦除后,存储窗口几乎不变)。 展开更多
关键词 金属-氧化物-氮化物-氧化物存储器 存储特性 氧化钆 氮氧化钆
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