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三元复合驱采出水除硅技术研究 被引量:5
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作者 高清河 钱慧娟 +2 位作者 侯志峰 罗忠贵 陈新萍 《油气田地面工程》 北大核心 2010年第4期16-17,共2页
以大庆油田三元复合驱采出水为研究对象,采用化学混凝法对三元复合驱采出水除硅技术进行了实验研究。研究结果表明,化学混凝法除硅的最佳反应温度为45℃,最佳反应时间为20min,混凝剂氧化镁的最佳加药量为5.0g/L。聚丙烯酰胺浓度对除硅... 以大庆油田三元复合驱采出水为研究对象,采用化学混凝法对三元复合驱采出水除硅技术进行了实验研究。研究结果表明,化学混凝法除硅的最佳反应温度为45℃,最佳反应时间为20min,混凝剂氧化镁的最佳加药量为5.0g/L。聚丙烯酰胺浓度对除硅有一定影响,且体系中硅离子浓度越高,混凝剂用量越大。 展开更多
关键词 三元复合驱 采出水 化学混凝法 硅技术
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2012中国多晶硅技术与市场高层论坛在京召开 被引量:1
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作者 包婧文 《太阳能》 2012年第16期40-41,共2页
7月19日,2012中国多晶硅技术与市场高层论坛在北京中国科技会堂召开。此次论坛由中国能源投资网、美国国家可持续发展研究中心联合主办,北京中招环球投资咨询有限公司承办,PolyPlant Project(PPP)公司独家赞助支持。中国投资协会... 7月19日,2012中国多晶硅技术与市场高层论坛在北京中国科技会堂召开。此次论坛由中国能源投资网、美国国家可持续发展研究中心联合主办,北京中招环球投资咨询有限公司承办,PolyPlant Project(PPP)公司独家赞助支持。中国投资协会能源发展研究中心副理事长、中国能源投资网CEO张杰主持了会议,国务院参事、中国可再生能源学会理事长石定寰,PPP公司董事长兼首席执行官Terry T. 展开更多
关键词 中国科技会堂 硅技术 论坛 市场 多晶 能源投资 可持续发展 可再生能源
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硅技术发展交响乐指挥:许居衍院士如是说
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作者 吴波 朱天蔚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期1-4,10,共5页
关键词 硅技术 许居衍 半导体 市场竞争 中国
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道康宁有机硅技术亮相中国电力展
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作者 安可 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第11期90-91,共2页
在近日开幕的中国国际电力展上,“中国电力自主创新”的主题引起了诸多参展商和观众的共鸣。其中,有机硅行业的领先企业美国道康宁公司为电力输配行业提供的有机硅技术应用引起了各方人士的广泛关注。
关键词 电力 中国 硅技术 有机行业 美国道康宁公司 自主创新 技术应用 参展商
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有机硅技术给消费者带来完美舒适的穿着体验
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《纺织导报》 CAS 北大核心 2012年第8期12-12,共1页
如果您拥有目前流行的7款牛仔服中的任何一款.您将感受到有机硅给纺织面料带来的优点。因为无论在织物制造过程还是使纺织品达到持久舒适的优异性能,有机硅都起着非常重要的作用。
关键词 舒适 消费者 硅技术 穿着 纺织面料 制造过程 有机 牛仔服
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吉林石化公司利用废催化剂合成四氯化硅技术获国家专利
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作者 张晓君 孟繁辉 《精细石油化工》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期70-70,共1页
吉林石化公司研究院开发成功的利用废催化剂合成四氯化硅技术,日前获得国家发明专利(ZL:02123777.8)。
关键词 吉林石化公司研究院 废催化剂 硅技术 国家专利 氯化 合成 国家发明专利
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2015年硅技术淘汰半导体进入纳米时代
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《现代电子技术》 2006年第2期90-90,共1页
据日前最新发布的一份名为《全球半导体技术路线图》的报告显示,全球主要的半导体厂商正在规划“后硅晶体管”时代的蓝图。据预计,到2015年,全球半导体产业将从当前的“硅技术”向“纳米技术”过渡。
关键词 半导体技术 硅技术 纳米时代 半导体产业 晶体管 纳米技术 路线图 全球
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吉林石化公司开发成功利用废触体合成四氯化硅技术
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作者 田波 《低温与特气》 CAS 2006年第1期44-44,共1页
废触体是有机氯硅烷合成过程中排出的富含硅、铜、碳的废渣。吉林石化公司研究院以有机硅废触体和氯气为原料,通过气固相直接法合成反应制备四氯化硅,反应生成的四氯化硅作为载气循环利用,用于控制流化床内反应温度及流化气速。
关键词 吉林石化公司研究院 有机废触体 四氯化 合成过程 硅技术 开发 有机氯 合成反应 循环利用 反应生成
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面向电源设计的MOSFET硅技术平台
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《电子产品世界》 1998年第8期52-54,共3页
为笔记本电脑增强动力移动微处理器领域最新推出的产品对笔记本电脑电源的设计人员提出了新的挑战,并进一步加重了直流—直流转换器的功率负担。直流—直流转换器是用来为笔记本电脑输送电能的装置,而笔记本电脑对电源的要求是非常苛... 为笔记本电脑增强动力移动微处理器领域最新推出的产品对笔记本电脑电源的设计人员提出了新的挑战,并进一步加重了直流—直流转换器的功率负担。直流—直流转换器是用来为笔记本电脑输送电能的装置,而笔记本电脑对电源的要求是非常苛刻的。Intel公司最新推出的移动... 展开更多
关键词 电源 MOSFET 硅技术 微机
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道康宁探讨有机硅技术在中国绿色机场建设中的应用
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《上海建材》 2010年第5期47-47,共1页
作为有机硅,硅基技术和创新领域的全球领导者,道康宁公司在出席今年7月17—18日在北京举行的第三届中国机场发展论坛时发表演讲,探讨了如何通过有机硅技术延长机场跑道的使用寿命,以及创建更具吸引力、安全节能的航站楼幕墙。
关键词 机场建设 硅技术 中国 应用 道康宁公司 技术 使用寿命 机场跑道
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tei Solutions、Mears与K2 Energy合作探索在太阳能电池开发中应用Mears硅技术
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《电子与电脑》 2011年第1期103-103,共1页
致力于提供100mm和300mm研发服务的晶圆代工厂tei Solutions宣布与美国新兴材料技术公司Mears Technologies合作,探索在太阳能电池的开发和生产中应用Mears硅技术(MST)。Mears将采用tei的100mm超净厂生产电池,并在2011年1月进行测试。
关键词 太阳能电池 电池开发 硅技术 应用 合作 材料技术 生产
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BRIDGELUX宣布固态照明氮化镓上硅技术再次突破性进展
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《电子与电脑》 2011年第9期79-79,共1页
Bridgelux公司刷新自己创下在业界"氮化镓(GaN-on-Si)"技术最高每W流明纪录。该公司利用独家缓冲层技术,成功在8英寸硅晶圆生成无裂痕GaN-on-Si层,并且不会在室温下弯曲变形。
关键词 硅技术 氮化镓 固态照明 突破性 弯曲变形 缓冲层 晶圆 刷新
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Soitec最新应变绝缘硅技术可提高电子迁移率80%
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《集成电路应用》 2004年第12期50-50,共1页
法国SoireeSA公司声称面向局部耗散(partially-depleted)CM0s芯片推出业界首项不含锗(Ge)的应变绝缘硅(strained silicom-on-insulator)技术。Soiree的新型PD-sSOI工艺基于该公司的Smart Cut SOI技术,据称能将芯片设计的电子迁移率提... 法国SoireeSA公司声称面向局部耗散(partially-depleted)CM0s芯片推出业界首项不含锗(Ge)的应变绝缘硅(strained silicom-on-insulator)技术。Soiree的新型PD-sSOI工艺基于该公司的Smart Cut SOI技术,据称能将芯片设计的电子迁移率提升80%。 展开更多
关键词 电子迁移率 绝缘 硅技术 SOI工艺 SOI技术 芯片设计 CM SA公司 提升 法国
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有机硅技术与时俱进道康宁助力新一代LED应用市场迅猛增长
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《汽车工艺与材料》 2009年第1期37-37,共1页
发光二极管(LED)自20世纪60年代问世以来,人们一直希望它能够取代白炽灯、卤素灯以及荧光灯,从而节约能源。如今,来自道康宁公司的有机硅技术正在为开创新一代LED技术及其应用市场发挥着重要作用。“LED已经普遍应用于手机键盘、... 发光二极管(LED)自20世纪60年代问世以来,人们一直希望它能够取代白炽灯、卤素灯以及荧光灯,从而节约能源。如今,来自道康宁公司的有机硅技术正在为开创新一代LED技术及其应用市场发挥着重要作用。“LED已经普遍应用于手机键盘、大屏幕电视和交通信号灯等细分应用中,然而到目前为止,LED还未能在家庭和办公室的照明上发挥更为广泛的作用”,道康宁公司光源管理产品全球市场经理Billy Han介绍说。 展开更多
关键词 LED技术 全球市场 硅技术 应用 与时俱进 道康宁公司 发光二极管 交通信号灯
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SiGe半导体推出用于移动设备的基于硅技术的集成式WiFi前端IC
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《电子与电脑》 2010年第6期85-85,共1页
SiGe半导体公司扩展其全面广泛的产品系列,推出RF开关/LNA前端IC(FEIC)产品SE2601T。新器件专门为提高嵌入式应用中融合型蓝牙/WiFi芯片组的性能和功能性而设计,能够满足新一代智能电话、上网本、个人媒体播放器和数码相机对融合... SiGe半导体公司扩展其全面广泛的产品系列,推出RF开关/LNA前端IC(FEIC)产品SE2601T。新器件专门为提高嵌入式应用中融合型蓝牙/WiFi芯片组的性能和功能性而设计,能够满足新一代智能电话、上网本、个人媒体播放器和数码相机对融合多种连接能力(如WiFi和蓝牙)不断增长的需求。 展开更多
关键词 SiGe半导体公司 WIFI 移动设备 前端 集成式 硅技术 IC 嵌入式应用
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SiGe半导体推出用于移动设备基于硅技术的集成式WiFi^(TM)前端IC
16
作者 本刊通讯员 《电子与封装》 2010年第6期47-47,共1页
全球最大、最成功的基于硅技术的射频(RF)前端解决方案供应商SiGe半导体公司扩展其全面广泛的产品系列,推出RF开关/LNA前端IC(FEIC)产品SE2601T。新器件专门为提高嵌入式应用中融合型蓝牙/WiFi芯片组的性能和功能性而设计,能够满... 全球最大、最成功的基于硅技术的射频(RF)前端解决方案供应商SiGe半导体公司扩展其全面广泛的产品系列,推出RF开关/LNA前端IC(FEIC)产品SE2601T。新器件专门为提高嵌入式应用中融合型蓝牙/WiFi芯片组的性能和功能性而设计,能够满足新一代智能电话、上网本、 展开更多
关键词 SiGe半导体公司 硅技术 前端 移动设备 集成式 IC 嵌入式应用 RF开关
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用于应变硅技术的高应力SiN薄膜的开发
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作者 Bhadri Varadarajan Jim Sims Akhil Singhal Mike Christensen Gengwei Jiang Kevin Ilcisin Krishnan Shrinivasan Mohamad Ayoub Vineet Dharmadhikari Ming Xi 《集成电路应用》 2006年第5期36-39,共4页
在高级CMOS器件中,高应力氮化硅(SiN)薄膜是增强应变的主要方法,如果要改善PMOS或NMOS器件性能,则分别需要采用具有压应力和张应力的氮化硅薄膜。我们对相关机理进行了回顾。根据不同的淀积和工艺处理条件的组合,从而得刭了张应... 在高级CMOS器件中,高应力氮化硅(SiN)薄膜是增强应变的主要方法,如果要改善PMOS或NMOS器件性能,则分别需要采用具有压应力和张应力的氮化硅薄膜。我们对相关机理进行了回顾。根据不同的淀积和工艺处理条件的组合,从而得刭了张应力大于1.6GPa和压应力大于2.9GPa的氮化硅薄膜覆盖。 展开更多
关键词 SiN薄膜 应变硅技术 高应力 氮化薄膜 开发 CMOS器件 器件性能 NMOS PMOS 处理条件
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飞兆半导体引入碳化硅技术扩展产品创新
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作者 本刊通讯员 《电子与封装》 2011年第5期37-37,共1页
为了满足半导体应用提高效率和性能的需求,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布收购碳化硅(Silicon Carbide,SiC)功率晶体管企业TranSiC公司,扩展其领先的技术能力。
关键词 飞兆半导体公司 碳化 产品创新 硅技术 功率晶体管 技术能力
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为电机启动器和加热系统设计一个兼具机械和硅技术双重优势的继电器
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作者 Benoit RENARD Laurent GONTHIER 《中国集成电路》 2017年第1期57-60,共4页
前言 混合式继电器是将固态继电器和机械继电器并联在一起构成的开关元件,兼具机械继电器的低压降与硅器件的可靠性,常用于电器设备的电机启动器或加热器控制功能。欧盟RoHS指令可能会影响到机械继电器的工作可靠性,因此,混合式继电器... 前言 混合式继电器是将固态继电器和机械继电器并联在一起构成的开关元件,兼具机械继电器的低压降与硅器件的可靠性,常用于电器设备的电机启动器或加热器控制功能。欧盟RoHS指令可能会影响到机械继电器的工作可靠性,因此,混合式继电器日益受到市场的青睐。 展开更多
关键词 机械继电器 电机启动器 加热系统 硅技术 优势 设计 ROHS指令 固态继电器
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从稻壳中提取纳米二氧化硅技术获专利
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《农村科学实验》 2006年第9期37-37,共1页
吉林大学化学学院(邮编:130012,电话:0431—8499134)王子忱教授发明的“一种用稻壳制备高纯纳米二氧化硅的方法”,前不久获得了国家专利。
关键词 纳米二氧化 国家专利 稻壳 硅技术 提取 化学学院 吉林大学
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