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硅微通道板电子倍增器 被引量:9
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作者 端木庆铎 李野 +5 位作者 卢耀华 姜德龙 但唐仁 高延军 富丽晨 田景全 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期1680-1682,共3页
本文采用感应耦合等离子体刻蚀机 (ICP)和低压化学气相淀积 (LPCVD)技术制备了硅微孔列阵和连续打拿极 ,得到具有一定性能的硅微通道板 .同时分析讨论了微孔列阵的表面形貌、反应离子刻蚀的尺寸效应以及电子增益系数等问题 .与传统工艺... 本文采用感应耦合等离子体刻蚀机 (ICP)和低压化学气相淀积 (LPCVD)技术制备了硅微孔列阵和连续打拿极 ,得到具有一定性能的硅微通道板 .同时分析讨论了微孔列阵的表面形貌、反应离子刻蚀的尺寸效应以及电子增益系数等问题 .与传统工艺相比 ,新工艺将微通道板基体材料与打拿极材料的选择分开、微孔列阵形成和连续打拿极制作过程分开 。 展开更多
关键词 通道板 电子倍增器
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硅微通道板微加工技术研究 被引量:5
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作者 王国政 袁云龙 +5 位作者 杨超 凌海容 王蓟 杨继凯 李野 端木庆铎 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1804-1810,共7页
微通道板(MCP)是二维通道电子倍增器,广泛用于电子、离子、紫外辐射和X-射线的探测与成像。提出一种硅微通道板(Si-MCP)制备工艺,分别采用干法刻蚀和电化学腐蚀微加工技术制备了硅微通道阵列(SMA)。重点研究了硅感应耦合等离子体刻蚀和... 微通道板(MCP)是二维通道电子倍增器,广泛用于电子、离子、紫外辐射和X-射线的探测与成像。提出一种硅微通道板(Si-MCP)制备工艺,分别采用干法刻蚀和电化学腐蚀微加工技术制备了硅微通道阵列(SMA)。重点研究了硅感应耦合等离子体刻蚀和光电化学腐蚀的特性,结果表明:硅光电化学腐蚀技术易于制备高长径比微通道,微通道侧壁更光滑、可制备倾斜通道、更适合制备Si-MCP.制备出通道周期为6μm、长径比大于50的SMA结构。采用厚层氧化实现了Si-MCP基体绝缘,采用原子层沉积工艺制备了连续倍增极,制作出Si-MCP样品。测试结果表明,采用半导体微加工技术制备的Si-MCP电子增益特性具有可行性。 展开更多
关键词 通道板 光电化学腐蚀 原子层沉积 加工技术
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硅微通道板像增强器的研究 被引量:5
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作者 王国政 李野 +4 位作者 高延军 姜德龙 付申成 吴奎 端木庆铎 《电子器件》 CAS 2008年第1期308-311,共4页
微通道板作为电子倍增器件可以对电子、离子、紫外和软X射线进行探测和成像。传统微通道板制备是采用玻璃纤维拉制和氢还原等技术,提出分别采用半导体体微加工和电化学腐蚀制备硅微通道板的新技术。在干法刻蚀中采用ICP技术制备了孔径... 微通道板作为电子倍增器件可以对电子、离子、紫外和软X射线进行探测和成像。传统微通道板制备是采用玻璃纤维拉制和氢还原等技术,提出分别采用半导体体微加工和电化学腐蚀制备硅微通道板的新技术。在干法刻蚀中采用ICP技术制备了孔径为6~20μm、间隔4~8μm、长径比15-30的硅微通道板,初步试验结果为对于长径比为16的样品,电子增益为10°数量级。同时,开展了湿法电化学腐蚀技术制作硅微通道板的研究,分析讨论了电化学腐蚀微通道板的机理。结果表明,干法和湿法刻蚀技术可以制备高长径比硅微通道板,与ICP技术型比,电化学腐蚀具有较低的成本。 展开更多
关键词 通道板 加工 刻蚀 像增强器
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基于硅微通道板的CoNiP微米管阵列的磁性
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作者 童新 连柯楠 +6 位作者 付梦秋 谭人玮 赵振杰 熊大元 徐少辉 朱一平 王连卫 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第11期751-756,共6页
利用压差液流法在硅微通道板(MCP)孔道内侧壁上沉积钴镍磷(CoNiP)软磁性材料,制备了钴镍磷微米管阵列。比较了液流沉积与直接水热法沉积两种工艺方法,验证了液流法对于宏多孔硅化学沉积的优化。以不同方式对所得样品进行退火,观察平行... 利用压差液流法在硅微通道板(MCP)孔道内侧壁上沉积钴镍磷(CoNiP)软磁性材料,制备了钴镍磷微米管阵列。比较了液流沉积与直接水热法沉积两种工艺方法,验证了液流法对于宏多孔硅化学沉积的优化。以不同方式对所得样品进行退火,观察平行和垂直于微米管长轴方向的矫顽力和剩磁比(Mr/Ms),发现垂直于微米管阵列长轴方向的剩磁比明显大于平行于微米管阵列长轴方向的,这表明制备样品的易磁化方向为垂直于微米管阵列长轴的方向,同时电流退火使垂直和平行于微米管长轴方向的矫顽力的大小关系发生反转。 展开更多
关键词 通道板(si-mcp) 高深宽比 米管阵列 液流沉积 易磁化方向
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硅微通道板电沉积Fe-Ni微米线阵列结构及磁性能 被引量:1
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作者 付梦秋 连柯楠 +6 位作者 童新 谭人玮 赵振杰 徐少辉 朱一平 熊大元 王连卫 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第12期797-800,806,共5页
采用恒流电镀法,以硅微通道板(Si-MCP)为衬底,在其内沉积铁镍合金材料,得到了三维磁微米线阵列结构并研究了其磁性能。X射线衍射(XRD)图谱显示所沉积的铁镍合金呈现面心立方(FCC)晶体结构,其中(111)晶面和(200)晶面取向度较大。能谱仪(E... 采用恒流电镀法,以硅微通道板(Si-MCP)为衬底,在其内沉积铁镍合金材料,得到了三维磁微米线阵列结构并研究了其磁性能。X射线衍射(XRD)图谱显示所沉积的铁镍合金呈现面心立方(FCC)晶体结构,其中(111)晶面和(200)晶面取向度较大。能谱仪(EDS)能谱显示电沉积的合金成分中Fe约占17%,Ni约占83%。使用振动磁强计分别测试外加磁场方向垂直样品表面和平行样品的磁滞回线,发现当外加磁场垂直样品表面时矩形比Mr/Ms为0.37,磁场平行样品表面时矩形比Mr/Ms为0.03,结果说明样品易磁化方向与表面垂直,并且具有明显的磁各向异性,这主要是由于磁微米线阵列的形状各向异性。 展开更多
关键词 通道板(si-mcp) 电沉积 铁镍合金 米线阵列 磁滞回线
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基于硅微通道板的NiFeP磁微米线阵列制备及软磁性能
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作者 连柯楠 童新 +6 位作者 付梦秋 谭人玮 徐少辉 朱一平 熊大元 赵振杰 王连卫 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第12期801-806,共6页
以硅微通道板(Si-MCP)作为基底,采用真空化学镀的方法在其孔道内沉积一层镍铁磷合金层,进而形成一个排列整齐的阵列结构。对这种阵列的形貌进行了研究,发现它是由无数根空心正方形微米线构成。此外,还分别研究了平行于微米线阵列和垂直... 以硅微通道板(Si-MCP)作为基底,采用真空化学镀的方法在其孔道内沉积一层镍铁磷合金层,进而形成一个排列整齐的阵列结构。对这种阵列的形貌进行了研究,发现它是由无数根空心正方形微米线构成。此外,还分别研究了平行于微米线阵列和垂直于微米线阵列的磁滞回线,结果表明样品的易磁化方向是垂直于轴向的,与常规情况不同,这可能是由于硅微通道板表面沉积了过多的合金造成的。最后研究了不同的快速热退火温度对样品矫顽力和矩形比的影响,结果表明矫顽力和矩形比都随着温度升高先减小再增加,在300℃左右时矫顽力和矩形比达到最小,此时软磁性能最好。 展开更多
关键词 通道板(si-mcp) 米线阵列 镍铁磷 软磁性 真空化学镀
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纳米石墨烯微通道板的场发射特性
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作者 吴大军 钱斌 王连卫 《常熟理工学院学报》 2018年第5期13-18,共6页
纳米石墨烯丰富的尖端和缺陷能够提高材料的场发射性能.然而其与衬底的粘附性差导致在场发射过程中容易发生真空间隙击穿,引起器件失效.本文采用新颖的溶剂热渗碳方法制备了纳米石墨烯包覆硅微通道板,形成石墨烯微通道板(MLG-MCPs).纳... 纳米石墨烯丰富的尖端和缺陷能够提高材料的场发射性能.然而其与衬底的粘附性差导致在场发射过程中容易发生真空间隙击穿,引起器件失效.本文采用新颖的溶剂热渗碳方法制备了纳米石墨烯包覆硅微通道板,形成石墨烯微通道板(MLG-MCPs).纳米石墨烯的表面形貌和晶体机构由Raman和TEM进行表征,MLG横向尺寸50~100 nm,呈涟漪和褶皱形状,具有较高的结晶度.场发射测试结果显示800℃退火能增加缺陷密度,降低功函数,开启电场降至2.0 V/μm(10μA/cm^2),显示了较好的场发射特性. 展开更多
关键词 纳米石墨烯 通道板 场发射 电子发射 渗碳
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微纳BNT铁电薄膜阵列制备及性能研究
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作者 苗凤娟 陶佰睿 +1 位作者 胡志高 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期139-142,148,共5页
采用溶胶-凝胶和旋涂抽滤方法,在硅微通道(Si-MCP)衬底的内壁上涂敷前驱物,然后分别在600℃,650℃,700℃和750℃条件下制备Bi3.15Nd0.85Ti3O12/Si-MCP微纳薄膜阵列,并对其结构及铁电特性进行表征.研究结果显示,退火温度越高,Si-MCP内被... 采用溶胶-凝胶和旋涂抽滤方法,在硅微通道(Si-MCP)衬底的内壁上涂敷前驱物,然后分别在600℃,650℃,700℃和750℃条件下制备Bi3.15Nd0.85Ti3O12/Si-MCP微纳薄膜阵列,并对其结构及铁电特性进行表征.研究结果显示,退火温度越高,Si-MCP内被局域化的微纳薄膜结晶颗粒尺寸越大,同时BNT/Si-MCP微纳薄膜阵列越趋向沿c轴取向,尤其在750℃下制备的薄膜具有表面形貌均匀和c轴取向程度高等优点,且剩余极化强度可达93.8μC/cm2. 展开更多
关键词 铁电薄膜 纳薄膜阵列 通道板 钕掺杂太酸铋
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基于三维结构的钯催化电极的制备及其性能分析
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作者 岳馨瑶 付月 徐少辉 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第2期122-129,共8页
利用MEMS技术制备了硅微通道板(Si-MCP)并以此作为基底制备宏孔导电网络(MECN),利用3种方式在其外表面和孔道内壁沉积钯纳米粒子合成了三维乙醇催化电极。通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等表征手段对电极形貌和组分... 利用MEMS技术制备了硅微通道板(Si-MCP)并以此作为基底制备宏孔导电网络(MECN),利用3种方式在其外表面和孔道内壁沉积钯纳米粒子合成了三维乙醇催化电极。通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等表征手段对电极形貌和组分进行了分析,基于液流沉积的样品孔道内壁的钯纳米粒子最为均匀和致密。电化学测试结果也表明此种样品具有最优的电催化活性和运行稳定性(连续扫描后,催化电流仅下降11%)。其中,液流沉积形成的样品对高浓度乙醇的电催化氧化电流密度可达554 mA/cm2,此数值分别是真空无电镀样品产生的电流密度的3.5倍,电镀样品产生的电流密度的35倍。研究结果说明,液流沉积形成的丰富活性位点有助于提高三维微型催化电极的电化学性能,因此基于液流沉积的Pd/MECN电极将在乙醇燃料电池方面具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 通道板(si-mcp) 多孔导电网络(MECN) 液流沉积 纳米钯催化 乙醇燃料电池
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