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L波段硅脉冲功率管52000器件小时的脉冲射频加速寿命试验
被引量：
7
1
作者
王因生
陶有迁
+4 位作者
徐全胜
金毓铨
傅义珠
丁晓明
王志楠
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期473-477,共5页
利用红外热像显微测量峰值结温方法对L波段硅脉冲功率晶体管在脉冲射频(f=1.3 GHz,Pin=40 W,τ=150μs,D=10%)和峰值结温220°C条件下进行52 000器件小时的脉冲射频加速寿命试验。由此估算出该功率管在峰值结温125°C和上述RF...
利用红外热像显微测量峰值结温方法对L波段硅脉冲功率晶体管在脉冲射频(f=1.3 GHz,Pin=40 W,τ=150μs,D=10%)和峰值结温220°C条件下进行52 000器件小时的脉冲射频加速寿命试验。由此估算出该功率管在峰值结温125°C和上述RF条件下,器件失效率λ≤1.59×10-7h-1。试验分析表明,采用本试验方法可以更真实地评估射频功率管的可靠性水平。
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关键词
硅微波脉冲功率管
可靠性
寿命试验
峰值结温
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职称材料
L波段250W宽带硅微波脉冲功率晶体管
被引量：
3
2
作者
硅微波脉冲功率晶体管攻关组
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期373-373,共1页
关键词
L波段
硅
微波
脉冲功率
晶体管
功率
增益
性能
功率
密度
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职称材料
L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验
被引量：
4
3
作者
黄雒光
董四华
+1 位作者
刘英坤
郎秀兰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期494-497,共4页
Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pi...
Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pin=40W,TW=150μs,D=10%)进行了壳温为200℃的高温加速老化试验,应用Arrhenius模型对试验结果进行了分析和计算。推导得出了L波段Si微波脉冲功率晶体管在室温(25℃)工作条件下的平均寿命为6.2×106h。
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关键词
硅
微波
脉冲功率
晶体管
加速老化
可靠性
寿命试验
Arrhenius模型
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职称材料
题名
L波段硅脉冲功率管52000器件小时的脉冲射频加速寿命试验
被引量：
7
1
作者
王因生
陶有迁
徐全胜
金毓铨
傅义珠
丁晓明
王志楠
机构
南京电子器件研究所
中国国防科技信息研究中心
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期473-477,共5页
文摘
利用红外热像显微测量峰值结温方法对L波段硅脉冲功率晶体管在脉冲射频(f=1.3 GHz,Pin=40 W,τ=150μs,D=10%)和峰值结温220°C条件下进行52 000器件小时的脉冲射频加速寿命试验。由此估算出该功率管在峰值结温125°C和上述RF条件下,器件失效率λ≤1.59×10-7h-1。试验分析表明,采用本试验方法可以更真实地评估射频功率管的可靠性水平。
关键词
硅微波脉冲功率管
可靠性
寿命试验
峰值结温
Keywords
Si microwave pulsed power transistors
reliability
life test
peak junction temperature
分类号
TN323.4 [电子电信—物理电子学]
TN306 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
L波段250W宽带硅微波脉冲功率晶体管
被引量：
3
2
作者
硅微波脉冲功率晶体管攻关组
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期373-373,共1页
关键词
L波段
硅
微波
脉冲功率
晶体管
功率
增益
性能
功率
密度
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验
被引量：
4
3
作者
黄雒光
董四华
刘英坤
郎秀兰
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期494-497,共4页
文摘
Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pin=40W,TW=150μs,D=10%)进行了壳温为200℃的高温加速老化试验,应用Arrhenius模型对试验结果进行了分析和计算。推导得出了L波段Si微波脉冲功率晶体管在室温(25℃)工作条件下的平均寿命为6.2×106h。
关键词
硅
微波
脉冲功率
晶体管
加速老化
可靠性
寿命试验
Arrhenius模型
Keywords
Si microwave pulse power transistor
accelerated fatigue
reliability
lifetime test
Arrhenius model
分类号
TN323.4 [电子电信—物理电子学]
TN306 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
L波段硅脉冲功率管52000器件小时的脉冲射频加速寿命试验
王因生
陶有迁
徐全胜
金毓铨
傅义珠
丁晓明
王志楠
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011
7
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
L波段250W宽带硅微波脉冲功率晶体管
硅微波脉冲功率晶体管攻关组
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验
黄雒光
董四华
刘英坤
郎秀兰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
4
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已选择
0
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参考文献
引证文献
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