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带有TiN阻挡层的新型Au金属化系统在硅微波器件中的应用: 1; 作者郭伟玲李志国 +1 位作者程尧海孙英华《北京工业大学学报》 CAS CSCD 1996年第4期37-40,共4页; 将带有ＴｉＮ、Ｗ和Ｍｏ阻挡层的Ａｕ金属化系统用在高频大功率三极管上，对其ＥＢ结进行了高温大电流应力和高温存储试验。结果表明采用ＴｉＮ作阻挡层的管子的寿命比用Ｗ作阻挡层的管子提高了两倍多：用ＴｉＮ作阻挡层的管子和用Ｗ作... 展开更多; 关键词金属化氮化钛硅微波器件微波半导体器件金; 在线阅读下载PDF 职称材料

对硅微波功率器件金属化系统的改进: 2; 作者郭伟玲李志国 +2 位作者吉元程尧海孙英华《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第6期37-39,共3页; 将带有ＴｉＮ、Ｍｏ和Ｗ阻挡层的Ａｕ金属化系统用在高频功率管上，对其ＥＢ结进行了高温大电流应力试验。结果表明采用ＴｉＮ作阻挡层的器件寿命比用Ｗ作阻挡层的器件提高了２．２倍，比用Ｍｏ作阻挡层的器件提高了１．３倍。ＳＥＭ和... 展开更多; 关键词阻挡层金属化系统硅微波器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

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