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S波段硅微波功率晶体管的加速寿命试验
1
作者
童亮
彭浩
+1 位作者
高金环
黄杰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期321-325,共5页
为了在尽量短的时间内对S波段硅微波功率晶体管的长期可靠性进行研究,依据温度应力阿列尼乌斯(Arrhenius)模型,进行了两种S波段硅微波功率晶体管的可靠性寿命评价试验。试验采用步进应力加速寿命试验摸底,找出了最高试验应力水平,并根...
为了在尽量短的时间内对S波段硅微波功率晶体管的长期可靠性进行研究,依据温度应力阿列尼乌斯(Arrhenius)模型,进行了两种S波段硅微波功率晶体管的可靠性寿命评价试验。试验采用步进应力加速寿命试验摸底,找出了最高试验应力水平,并根据摸底结果分别进行了3组恒定应力加速寿命试验,最高试验壳温分别为250℃和220℃,大幅度提高了温度应力,加快了试验速度。试验全程采用数据采集卡实施实时监测,并对失效样品进行了失效分析,最大程度地保证了试验数据的准确性。通过对试验结果的统计分析,推算出了两种S波段硅微波功率晶体管的平均寿命。
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关键词
硅微波功率晶体管
加速寿命试验
阿列尼乌斯模型
可靠性
S波段
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职称材料
L波段250W宽带硅微波脉冲功率晶体管
被引量：
3
2
作者
硅微波脉冲功率晶体管攻关组
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期373-373,共1页
关键词
L波段
硅
微波
脉冲
功率
晶体管
功率
增益
性能
功率
密度
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职称材料
L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验
被引量：
4
3
作者
黄雒光
董四华
+1 位作者
刘英坤
郎秀兰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期494-497,共4页
Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pi...
Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pin=40W,TW=150μs,D=10%)进行了壳温为200℃的高温加速老化试验,应用Arrhenius模型对试验结果进行了分析和计算。推导得出了L波段Si微波脉冲功率晶体管在室温(25℃)工作条件下的平均寿命为6.2×106h。
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关键词
硅
微波
脉冲
功率
晶体管
加速老化
可靠性
寿命试验
Arrhenius模型
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职称材料
题名
S波段硅微波功率晶体管的加速寿命试验
1
作者
童亮
彭浩
高金环
黄杰
机构
国家半导体器件质量监督检验中心
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期321-325,共5页
文摘
为了在尽量短的时间内对S波段硅微波功率晶体管的长期可靠性进行研究,依据温度应力阿列尼乌斯(Arrhenius)模型,进行了两种S波段硅微波功率晶体管的可靠性寿命评价试验。试验采用步进应力加速寿命试验摸底,找出了最高试验应力水平,并根据摸底结果分别进行了3组恒定应力加速寿命试验,最高试验壳温分别为250℃和220℃,大幅度提高了温度应力,加快了试验速度。试验全程采用数据采集卡实施实时监测,并对失效样品进行了失效分析,最大程度地保证了试验数据的准确性。通过对试验结果的统计分析,推算出了两种S波段硅微波功率晶体管的平均寿命。
关键词
硅微波功率晶体管
加速寿命试验
阿列尼乌斯模型
可靠性
S波段
Keywords
silicon microwave power transistor
accelerate lifetime test
Arrhenius model
reliability
S-band
分类号
TN323.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
L波段250W宽带硅微波脉冲功率晶体管
被引量：
3
2
作者
硅微波脉冲功率晶体管攻关组
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期373-373,共1页
关键词
L波段
硅
微波
脉冲
功率
晶体管
功率
增益
性能
功率
密度
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验
被引量：
4
3
作者
黄雒光
董四华
刘英坤
郎秀兰
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期494-497,共4页
文摘
Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pin=40W,TW=150μs,D=10%)进行了壳温为200℃的高温加速老化试验,应用Arrhenius模型对试验结果进行了分析和计算。推导得出了L波段Si微波脉冲功率晶体管在室温(25℃)工作条件下的平均寿命为6.2×106h。
关键词
硅
微波
脉冲
功率
晶体管
加速老化
可靠性
寿命试验
Arrhenius模型
Keywords
Si microwave pulse power transistor
accelerated fatigue
reliability
lifetime test
Arrhenius model
分类号
TN323.4 [电子电信—物理电子学]
TN306 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
S波段硅微波功率晶体管的加速寿命试验
童亮
彭浩
高金环
黄杰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
在线阅读
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职称材料
2
L波段250W宽带硅微波脉冲功率晶体管
硅微波脉冲功率晶体管攻关组
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验
黄雒光
董四华
刘英坤
郎秀兰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
4
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职称材料
已选择
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引证文献
统计分析
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