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题名基于硅基图形衬底的Ⅲ-Ⅴ族材料异质生长
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作者
吕奇峰
洪文婷
马刘红
王昊
韩伟华
杨富华
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机构
中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心
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出处
《微纳电子技术》
北大核心
2015年第12期800-810,共11页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61376096)
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文摘
介绍了基于硅基图形衬底的Ⅲ-Ⅴ族材料异质生长的方法,主要包括选区生长Ⅲ-Ⅴ族纳米线和微通道外延薄膜。选区生长Ⅲ-Ⅴ族纳米线可以有效控制Ⅲ-Ⅴ族纳米线的直径,并控制位错扩散,从而可以在硅衬底上生长出高晶体质量的Ⅲ-Ⅴ族材料。同时,微沟道外延可以将位错限制在外延材料中极小范围内,保证外延材料的器件层晶体质量良好。微沟道外延分为两种形式:垂直生长和横向生长,原理分别是高深宽比陷阱和横向过生长。通过这两种生长形式,可以分别制备纳米条及纳米薄膜。硅基图形衬底的设计为Ⅲ-Ⅴ族材料在硅基衬底上集成提供了有效的途径,势必成为Ⅲ-Ⅴ族材料和硅异质集成的主流方法之一。
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关键词
硅基图形衬底
Ⅲ-Ⅴ族材料
微通道外延
选区生长
纳米结构
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Keywords
patterned silicon substrate
Ⅲ-Ⅴ material
micro-channel epitaxy
selective area growth
nanostructure
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分类号
TN304.054
[电子电信—物理电子学]
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题名束流强度分布与膜厚的关系
被引量：1
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作者
李震
王文燕
强宇
王丛
高达
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机构
华北光电技术研究所
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出处
《红外》
CAS
2019年第9期23-27,共5页
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文摘
为了验证束流强度分布对膜厚的影响,通过束流分布的理论计算模拟出外延膜的分布,并与外延实验样品数据进行了对比,结果证实了我们的猜测,可以部分解释膜厚分布不均的情况。利用公式计算束流强度的分布,得出最薄点应为最厚点的73.26%。实验测试的膜厚的最厚点为8.1582 m,最薄点为5.9362 m,比例为72.76%,与计算结果基本相符。因此,可以确定束流强度分布对膜厚有一定的影响。但实际材料的膜厚不仅受束流分布的影响,还与其他工艺参数相关。由于采用了理论计算与实验相互对比的方法,比单纯实验所得出的结果更准确可靠。
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关键词
MBE
硅基衬底
束流分布
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Keywords
MBE
silicon substrate
beam distribution
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分类号
TN302
[电子电信—物理电子学]
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题名Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管的研究进展
被引量：2
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作者
张望
韩伟华
吕奇峰
王昊
杨富华
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机构
中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心
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出处
《微纳电子技术》
北大核心
2016年第2期87-97,共11页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61376096)
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文摘
从器件结构和电学特性等方面,对具有垂直结构和水平结构的Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管的最新研究进展进行了综述。对于垂直器件,虽然高质量的垂直Ⅲ-Ⅴ族纳米线易于获得,但栅极的逻辑布线难以实现;对于水平结构器件,虽然栅极的逻辑布线与当前的平面硅差异不大,但无催化剂条件下难以选区定位生长水平Ⅲ-Ⅴ族纳米线。硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管不仅能有效提高沟道迁移率等性能,而且可以保证与硅工艺的兼容性,同时降低Ⅲ-Ⅴ族材料晶体管高昂的成本。研究表明,水平结构的硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管将具有更大的发展潜力。
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关键词
晶体管
Ⅲ-Ⅴ族纳米线
垂直结构
水平结构
硅基衬底
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Keywords
transistor
Ⅲ-Ⅴ nanowire
vertical structure
horizontal structure
silicon substrate
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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