期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
硅基自旋注入研究进展
1
作者 卢启海 黄蓉 +4 位作者 郑礴 李俊 韩根亮 闫鹏勋 李成 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第9期641-646,683,共7页
自旋注入、自旋探测和自旋操控是构建半导体自旋电子器件的基础。在硅基材料上采用电的方式进行自旋注入,有利于自旋器件与微电子芯片的集成化,是当前该领域的研究热点课题之一。简要概述了硅基自旋注入的研究进展,首先介绍了半导体自... 自旋注入、自旋探测和自旋操控是构建半导体自旋电子器件的基础。在硅基材料上采用电的方式进行自旋注入,有利于自旋器件与微电子芯片的集成化,是当前该领域的研究热点课题之一。简要概述了硅基自旋注入的研究进展,首先介绍了半导体自旋注入的原理和方法,着重评述了以磁隧道结(MTJ)结构为核心的硅基自旋注入的研究进程,然后详细论述了硅基自旋注入的测试原理、器件结构和实验方法,最后给出了硅基自旋注入的主要研究目标和发展方向,并展望了硅基自旋电子器件的前景。 展开更多
关键词 自旋电子器件 硅基自旋注入 自旋探测 Hanle曲线 磁隧道结
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部