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高精度固态调制器绝缘栅双极晶体管驱动电路 被引量:1
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作者 石秀倩 何大勇 +3 位作者 李飞 甘楠 牟雅洁 李京祎 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期120-128,共9页
加法器式固态调制器是一种使用绝缘栅双极晶体管(IGBT)控制储能电容放电来产生脉冲高压的装置,相比传输线型调制器,具有模块化、稳定性好、寿命长等优势。但IGBT的正常工作需要利用栅极驱动电路将控制信号进行放大才能实现,驱动电路的... 加法器式固态调制器是一种使用绝缘栅双极晶体管(IGBT)控制储能电容放电来产生脉冲高压的装置,相比传输线型调制器,具有模块化、稳定性好、寿命长等优势。但IGBT的正常工作需要利用栅极驱动电路将控制信号进行放大才能实现,驱动电路的性能直接影响IGBT的开关特性,最终影响脉冲电压质量,尤其是驱动电路的导通抖动指标,这是影响脉冲电压精度的关键因素之一。根据加法器式固态调制器中IGBT的工作特性,以提高脉冲电压精度为目标,对驱动电路进行研究。分析了开关抖动对输出电压精度的影响,介绍了设计原理,研制了驱动电路板,并利用放电模块对其工作性能进行了实验测试。测试结果表明,该款驱动电路的导通抖动为300 ps,相比1 ns的商用驱动电路抖动压缩至1/3,在1 kV充电电压下,放电模块在0.5Ω的负载上放电,形成上升时间为500 ns、导通抖动峰、峰值在5 ns以下的脉冲电压,当发生退饱和故障时,驱动电路能够在4μs时间内关断IGBT,该款驱动电路满足高精度固态调制器的工作要求。 展开更多
关键词 固态调制器 脉冲电压精度 绝缘晶体管 栅极驱动电路 导通抖动
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一种基于开通栅极电压的新型IGBT键合线老化监测方法
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作者 柴育恒 葛兴来 +3 位作者 张林林 王惠民 张艺驰 邓清丽 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第1期244-254,I0020,共12页
绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistors,IGBT)的可靠运行是牵引变流器安全和性能的重要保障。键合线老化作为IGBT的一种常见失效模式,对其进行监测具有重要意义。文中提出一种基于开通栅极电压ugem的键合线老化监测方... 绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistors,IGBT)的可靠运行是牵引变流器安全和性能的重要保障。键合线老化作为IGBT的一种常见失效模式,对其进行监测具有重要意义。文中提出一种基于开通栅极电压ugem的键合线老化监测方法,该方法可有效避免温度和负载电流带来的影响。首先,基于IGBT等效电路模型,系统分析ugem受键合线断裂影响的原因;其次,利用双脉冲测试进行验证,同时对温度和负载电流带来的影响进行分析;在此基础上,考虑到使用ugem局部特征将受到温度和电流的干扰,提出将开通栅极电压整体波形用于键合线老化的监测,并进一步利用有监督的线性判别分析进行数据降维以及采用支持向量机实现键合线断裂根数的检测。最后,通过实验对所提监测方法的有效性进行验证。 展开更多
关键词 绝缘晶体管模块 键合线老化 开通栅极电压 状态监测
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3300V碳化硅肖特基二极管及混合功率模块研制 被引量:1
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作者 王永维 王敬轩 +3 位作者 刘忠山 闫伟 王勇 党冀萍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期190-193,214,共5页
基于数值仿真结果,采用结势垒肖特基(JBS)结构和多重场限环终端结构实现了3 300 V/50 A 4H-Si C肖特基二极管(SBD),所用4H-Si C外延材料厚度为35μm、n型掺杂浓度为2×1015cm-3。二极管芯片面积为49 mm2,正向电压2.2 V下电流达到50... 基于数值仿真结果,采用结势垒肖特基(JBS)结构和多重场限环终端结构实现了3 300 V/50 A 4H-Si C肖特基二极管(SBD),所用4H-Si C外延材料厚度为35μm、n型掺杂浓度为2×1015cm-3。二极管芯片面积为49 mm2,正向电压2.2 V下电流达到50 A,比导通电阻13.7 mΩ·cm2;反偏条件下器件的雪崩击穿电压为4 600 V。基于这种3 300 V/50 A 4H-Si C肖特基二极管,研制出3 300 V/600 A混合功率模块,该模块包含24只3 300 V/50 A Si IGBT与12只3 300 V/50 A 4H-Si C肖特基二极管,Si C肖特基二极管为模块的续流二极管。模块的动态测试结果为:反向恢复峰值电流为33.75 A,反向恢复电荷为0.807μC,反向恢复时间为41 ns。与传统的Si基IGBT模块相比,该混合功率模块显著降低了器件开关过程中的能量损耗。 展开更多
关键词 4H-SIC 肖特势垒二 混合功率模块 绝缘晶体管(IGBT) 多重场限环
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一种用于改善IGBT开关过冲的主动栅极控制技术 被引量:2
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作者 谢海超 王学梅 《电源学报》 CSCD 北大核心 2024年第4期280-291,共12页
绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)的广泛应用对其开关性能提出了很高的要求,传统的栅极驱动CGD(conventional gate drive)对IGBT开关过程中的电压和电流过冲调节效果有限,主要因其降低过冲总是以牺牲开关时... 绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)的广泛应用对其开关性能提出了很高的要求,传统的栅极驱动CGD(conventional gate drive)对IGBT开关过程中的电压和电流过冲调节效果有限,主要因其降低过冲总是以牺牲开关时间和开关损耗为代价。基于此,提出1种新的主动栅极驱动AGD(active gate drive)控制方法,用于抑制IGBT开关过程中产生的电流和电压过冲,其原理是在IGBT高di/dt和dv/dt阶段主动调节驱动电压,减小电流和电压的变化率,从而抑制电流和电压过冲。实验结果表明,相比传统驱动方法,所提方法可在基本不降低开关速度和不增加开关损耗的同时,显著降低IGBT开关过程中的电流和电压过冲。 展开更多
关键词 绝缘晶体管 主动栅极驱动 电压和电流过冲
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超薄顶硅层SOI基新颖阳极快速LIGBT
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作者 陈文锁 张培建 钟怡 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期509-513,555,共6页
提出一种利用浅槽隔离(STI)技术的超薄顶硅层绝缘体上硅(SOI)基新颖阳极快速横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT),简称STI-SOI-LIGBT。该新结构器件整体构建在顶硅层厚度为1μm、介质层厚度为2μm的SOI材料上,其阳极采用STI和p+埋层结构设计... 提出一种利用浅槽隔离(STI)技术的超薄顶硅层绝缘体上硅(SOI)基新颖阳极快速横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT),简称STI-SOI-LIGBT。该新结构器件整体构建在顶硅层厚度为1μm、介质层厚度为2μm的SOI材料上,其阳极采用STI和p+埋层结构设计。新器件STI-SOI-LIGBT的制造方法可以采用半导体工艺生产线常用的带有浅槽隔离工艺的功率集成电路加工技术,关键工艺的具体实现步骤也进行了讨论。器件+电路联合仿真实验说明:新器件STISOI-LIGBT完全消除了正向导通过程中的负微分电阻现象,与常规结构LIGBT相比,正向压降略微增加6%,而关断损耗大幅降低86%。此外,对关键参数的仿真结果说明新器件还具有工艺容差大的设计优点。新器件STI-SOI-LIGBT非常适用于SOI基高压功率集成电路。 展开更多
关键词 绝缘体上(SOI) 浅槽隔离(STI) 横向绝缘晶体管(LIGBT) 负微分电阻(NDR) 功率集成电路
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SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益的研究 被引量:2
6
作者 陈越政 钱钦松 孙伟锋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期54-57,共4页
采用二维器件模拟仿真软件Tsuprem4和Medici模拟了SOI-LIGBT的n型缓冲层掺杂剂量、阳极p+阱区长度、漂移区长度以及阳极所加电压对SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益β的影响,通过理论分析定性的解释了产生上述现象的原因和机理,并且通过实... 采用二维器件模拟仿真软件Tsuprem4和Medici模拟了SOI-LIGBT的n型缓冲层掺杂剂量、阳极p+阱区长度、漂移区长度以及阳极所加电压对SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益β的影响,通过理论分析定性的解释了产生上述现象的原因和机理,并且通过实验测试结果进一步验证了分析结论的正确性。其中,n型缓冲层掺杂剂量对电流增益β的影响最为明显,漂移区长度的影响最弱。基本完成了对SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益β主要工艺影响因素的定性分析,对于SOI-LIGBT的设计有一定的借鉴意义。 展开更多
关键词 绝缘体上横向绝缘晶体管 电流增益β n型缓冲层 漂移区长度
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压接型IGBT内部栅极电压一致性影响因素及调控方法 被引量:2
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作者 张冠柔 傅实 +4 位作者 彭程 李学宝 唐新灵 赵志斌 崔翔 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第5期393-401,共9页
压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)的驱动印制电路板(PCB)寄生参数不一致会引起瞬态过程中内部IGBT芯片栅极电压不一致,芯片不能同时开通,造成芯片的瞬态不均流。结合压接型IGBT驱动PCB结构及运行工况,建立了包含驱动源、芯片模型、驱动PCB... 压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)的驱动印制电路板(PCB)寄生参数不一致会引起瞬态过程中内部IGBT芯片栅极电压不一致,芯片不能同时开通,造成芯片的瞬态不均流。结合压接型IGBT驱动PCB结构及运行工况,建立了包含驱动源、芯片模型、驱动PCB的一体化电路模型,分析了栅极内电阻、栅射极电容以及驱动电阻对驱动电压一致性的影响。在此基础上提出了驱动PCB电感匹配、并联芯片数匹配以及集中电阻补偿的驱动PCB的调控方法,以实现对栅极电压一致性的有效调控。研究表明驱动电阻是造成芯片栅极电压不一致的主要因素。利用上述调控方法可将芯片开通时间的不均衡度由79.2%分别降低至2.86%、7.1%和7.5%,实验验证了所提出的驱动PCB调控方法的有效性。 展开更多
关键词 压接型绝缘晶体管(IGBT) 并联均流 栅极电压一致性 驱动印制电路板(PCB) 布线原则 调控方法
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一种新型可调驱动电压的SiC/Si混合开关驱动电路 被引量:1
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作者 付永升 任海鹏 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第7期2774-2785,I0021,共13页
为提高碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(silicon carbide metal oxide semiconductor filed effect transistor,SiC-MOSFET)与硅基绝缘栅极双极晶体管(silicon insulated gate bipolar transistor,Si-IGBT)并联混合开关(SiC/Si hybr... 为提高碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(silicon carbide metal oxide semiconductor filed effect transistor,SiC-MOSFET)与硅基绝缘栅极双极晶体管(silicon insulated gate bipolar transistor,Si-IGBT)并联混合开关(SiC/Si hybrid switch,SiC/Si HyS)的可靠性与适用性,该文提出一种可变驱动电压的SiC/Si HyS栅极驱动电路结构,采用一路脉冲宽度调制(pulse width modulation,PWM)控制信号和一个驱动芯片产生不同电压幅值的栅极控制信号,分别控制SiC/Si HyS中的SiC-MOSFET和Si-IGBT。相比于传统采用2个独立驱动电路的SiC/Si HyS驱动结构,该驱动电路大幅度降低SiC/Si HyS栅极驱动电路的复杂度,降低SiC-MOSFET关断过程中Si-IGBT误导通的可能性,提升混合开关的工作可靠性。该文首先分析所设计驱动电路工作原理,给出驱动电压调节方法;其次,建立耦合电容端电压纹波和系统启动时电容端电压暂态数学模型,通过仿真和实验验证模型准确性;搭建2 kW的SiC/Si混合开关Buck电路,验证该文所提混合开关驱动电路可行性,从SiC/Si HyS功率器件关断损耗、驱动电路功率损耗、成本以及体积4个方面分析所提驱动结构的优势。 展开更多
关键词 宽禁带半导体器件 碳化金属氧化物半导体场效应晶体管 硅基绝缘栅极双极晶体管 混合开关 驱动电路 耦合电容
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瓦克推出电动汽车用有机硅导热材料
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《塑料工业》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期150-150,共1页
在2018年上海新能源汽车及充换电技术大会(EVTech Shanghai 2018)上,瓦克新推出多款电动汽车用有机硅导热产品。其中,新的SEMICOSILPaste非固化型导热硅脂可作为填缝剂用于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源线路板(PCB)的热管理。... 在2018年上海新能源汽车及充换电技术大会(EVTech Shanghai 2018)上,瓦克新推出多款电动汽车用有机硅导热产品。其中,新的SEMICOSILPaste非固化型导热硅脂可作为填缝剂用于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源线路板(PCB)的热管理。同时展示的还有ELASTOSILRT 76XX TC系列加成固化导热灌封胶,此产品黏度低、导热性好,由于流动性特别优异,尤其适合复杂结构的灌封。瓦克展台的另一亮点是SEMICOSIL96X TC系列导热填缝胶. 展开更多
关键词 导热材料 有机 汽车用 电动 绝缘晶体管 新能源汽车 导热 复杂结构
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优化IGBT开关性能的自适应变电阻有源驱动电路研究
10
作者 周家民 黄连生 +3 位作者 陈晓娇 窦盛 何诗英 张秀青 《太阳能学报》 CSCD 北大核心 2024年第12期132-138,共7页
针对IGBT开通过程中的电流及电压振荡提出一种新型自适应IGBT有源栅极驱动电路(NAAGD)。该电路结合互补IGBT的电压电流信息进行开通驱动电阻的投切控制,可实现开通过程电流及电压振荡的抑制,且可自适应电压电流等级的变化。与现有有源... 针对IGBT开通过程中的电流及电压振荡提出一种新型自适应IGBT有源栅极驱动电路(NAAGD)。该电路结合互补IGBT的电压电流信息进行开通驱动电阻的投切控制,可实现开通过程电流及电压振荡的抑制,且可自适应电压电流等级的变化。与现有有源驱动电路(AGD)方案相比,NAAGD的自适应响应具有更好的即时性;同时,相比传统驱动电路(CGD)增大驱动电阻抑制振荡的方法,可优化开通损耗。最后通过实验验证所提NAAGD的有效性。 展开更多
关键词 绝缘晶体管 自适应 损耗 有源栅极驱动 振荡
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电动汽车用IGBT及逆变器的电磁兼容性分析 被引量:21
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作者 郭彦杰 王丽芳 廖承林 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期1732-1737,共6页
为了抑制电动汽车中的电磁干扰,提高整车的稳定性和安全性,建立了包含杂散参数的绝缘栅极双极型晶体管(IGBT)和三相电压型脉宽调制(PWM)逆变器的等效电路模型,计算得到了IGBT对周边设备的干扰传播增益;并通过仿真和实车实验分析了电动... 为了抑制电动汽车中的电磁干扰,提高整车的稳定性和安全性,建立了包含杂散参数的绝缘栅极双极型晶体管(IGBT)和三相电压型脉宽调制(PWM)逆变器的等效电路模型,计算得到了IGBT对周边设备的干扰传播增益;并通过仿真和实车实验分析了电动汽车用逆变器差模电压和共模电流干扰的时域、频域特征以及IGBT开关过程、PWM控制策略和干扰传播路径阻抗对干扰特性的影响。得出如下结论:逆变器的差模干扰主要是由IGBT开关过程和PWM控制策略所决定;逆变器的共模干扰本质上是由三相PWM脉冲之和不为0所引起,并且更多的受干扰传播路径阻抗特性的影响。上述模型和结论为整车电磁兼容性分析和干扰抑制打下了良好的基础。 展开更多
关键词 电磁兼容 电磁干扰 绝缘栅极晶体管 等效电路模型 杂散参数 逆变器 电动汽车
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IGBT关断瞬态电压尖峰影响及抑制 被引量:7
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作者 汪波 胡安 +1 位作者 陈明 唐勇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第7期501-504,共4页
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种性能优良的全控型电力电子器件,由于线路和器件内部分布电感的存在,关断时集电极电流的快速变化会感应产生一个较大的电压尖峰从而引起过电压击穿。分析了栅极结电容放电时间常数和拖尾电流对电压尖峰的影... 绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种性能优良的全控型电力电子器件,由于线路和器件内部分布电感的存在,关断时集电极电流的快速变化会感应产生一个较大的电压尖峰从而引起过电压击穿。分析了栅极结电容放电时间常数和拖尾电流对电压尖峰的影响,通过改变栅极驱动电阻和温度可以抑制电压尖峰。分析了电压尖峰引起过压击穿的失效机理以及失效模式,表明IGBT过压击穿引起失效的本质仍然是结温过高引起的热击穿失效。 展开更多
关键词 绝缘晶体管 关断瞬态 电压尖峰 栅极电阻 失效机理
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沟槽栅场终止型IGBT瞬态数学模型 被引量:7
13
作者 汪波 罗毅飞 +1 位作者 刘宾礼 普靖 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第12期50-57,共8页
沟槽栅场终止型代表了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的最新结构。由于沟槽栅结构与平面栅结构在基区载流子输运、栅极结电容计算等方面存在较大的不同,沿用平面栅结构的建模方法不可避免会存在较大的偏差。基于对沟槽栅场终止型IGBT结构特... 沟槽栅场终止型代表了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的最新结构。由于沟槽栅结构与平面栅结构在基区载流子输运、栅极结电容计算等方面存在较大的不同,沿用平面栅结构的建模方法不可避免会存在较大的偏差。基于对沟槽栅场终止型IGBT结构特点及模型坐标系的分析,考虑载流子二维效应将基区分成PNP和PIN两部分,根据PIN部分的沟槽栅能否被PNP部分的耗尽层覆盖分析了栅极结电容计算方法,提出一种沟槽栅场终止型IGBT瞬态数学模型,并进行仿真与实验验证。 展开更多
关键词 绝缘晶体管 沟槽栅 瞬态数学模型 栅极结电容
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弧焊逆变电源本脉冲反馈控制
14
作者 田松亚 陈丽华 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期83-84,96,共3页
由于IGBT(Insulatedgatebipolartransistor)较其它电力电子器件开关频率高、载流容量大、开通损耗小、饱和压降低等优点 ,已逐渐成为逆变焊机的主流 ,为了提高IGBT逆变电源的可靠性 ,设计了本脉冲反馈技术的控制电路 ,该电路实现整个电... 由于IGBT(Insulatedgatebipolartransistor)较其它电力电子器件开关频率高、载流容量大、开通损耗小、饱和压降低等优点 ,已逐渐成为逆变焊机的主流 ,为了提高IGBT逆变电源的可靠性 ,设计了本脉冲反馈技术的控制电路 ,该电路实现整个电弧负载变化范围内焊接电流的无超调快速控制 ,既可满足焊接静特性和动特性要求 ,又可保证逆变弧焊电源的可靠性。本电路适用于单端正激式。 展开更多
关键词 弧焊逆变电源 绝缘栅极晶体管 反馈控制 逆变焊机 IGBT
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压缩感知理论在IGBT状态监测中的应用 被引量:3
15
作者 李庭 陈杰 +2 位作者 于泓 邱瑞昌 刘志刚 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第S01期163-171,共9页
该文引入压缩感知理论,有效降低了IGBT状态监测系统的采样频率。对功率半导体器件而言,各种电气参数的准确测量是保障其状态监测系统预测精度的重要基础,其中关断峰值电压作为判别IGBT老化状态的重要参数之一,其获取方式严重依赖于高速... 该文引入压缩感知理论,有效降低了IGBT状态监测系统的采样频率。对功率半导体器件而言,各种电气参数的准确测量是保障其状态监测系统预测精度的重要基础,其中关断峰值电压作为判别IGBT老化状态的重要参数之一,其获取方式严重依赖于高速率采样单元。为了大幅度降低信号采集过程所需的数据量,引入压缩感知理论对信号进行压缩采样和重构。由于关断电压波形在时域下不具备显著的稀疏性,为此引入傅里叶基和离散小波基对信号进行稀疏表示,并讨论其在不同变换基下的稀疏性。此外为了便于压缩感知理论实际工程的实现,对比分析不同观测矩阵下信号的重构精度。最后通过仿真和数据分析,证明了压缩感知理论应用于基于关断峰值电压的状态监测系统的可行性和准确性。 展开更多
关键词 绝缘晶体管 状态监测 压缩感知 稀疏
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矿用变频器IGBT尖峰电压抑制的协调优化方法 被引量:2
16
作者 王越 史晗 +1 位作者 荣相 蒋德智 《工矿自动化》 北大核心 2022年第12期129-136,143,共9页
目前常用优化母排结构参数、改变栅极驱动电阻、设计吸收电路等方法抑制因杂散电感引起的矿用变频器中绝缘栅双极型晶体管(IGBT)尖峰电压,但现有研究未揭示各方法之间的协调统一关系及协调优化准则。针对该问题,以BPJ5−630−1140型矿用... 目前常用优化母排结构参数、改变栅极驱动电阻、设计吸收电路等方法抑制因杂散电感引起的矿用变频器中绝缘栅双极型晶体管(IGBT)尖峰电压,但现有研究未揭示各方法之间的协调统一关系及协调优化准则。针对该问题,以BPJ5−630−1140型矿用四象限变频器为研究对象,在分析杂散电感对IGBT电−热性能影响的基础上,提出了IGBT尖峰电压抑制的协调优化方法:①分析母排结构参数、栅极驱动电阻对IGBT尖峰电压和功率损耗的影响,结果表明,随着交流母排长度增大、宽度减小,IGBT尖峰电压和功率损耗均增大;随着栅极驱动电阻增大,IGBT尖峰电压减小,功率损耗增大。②设计二极管钳位式吸收电路,通过试验验证了该电路可降低IGBT尖峰电压和功率损耗。③考虑到交流母排宽度对IGBT布局和散热性能无影响,选择栅极驱动电阻和交流母排长度为决策变量,采用BP神经网络−带精英策略的非支配排序遗传算法(BP−NSGAⅡ)实现IGBT尖峰电压、最高结温及散热器表面最高温度的多目标极值寻优。试验结果表明:在散热器表面最高温度为55~65℃、IGBT最高结温为74~80℃时,IGBT尖峰电压最小值为1861 V,相应的栅极驱动电阻为5Ω,交流母排长度为300 mm、宽度为200 mm;优化后BPJ5−630−1140型变频器IGBT尖峰电压为1856 V,较优化前的2856 V降低了35%,有效抑制了IGBT尖峰电压,提高了矿用变频器运行可靠性。 展开更多
关键词 矿用变频器 绝缘晶体管 尖峰电压抑制 栅极驱动电阻 管钳位式吸收电路 BP神经网络−带精英策略的非支配排序遗传算法
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针对高功率模块的4500VAmantysPowerDriveTM驱动器进入中国市场
17
《中国铁路》 2013年第11期103-103,共1页
10月22日,Amantys宣布推出一款针对高功率模块的全新绝缘栅双极晶体管(IGBT)栅极驱动器,其工作电压为4500V,额定电流从400~1200A。4500V栅极驱动器可满足电力机车、风力发电机组、高压直流和工业驱动应用不断增长的高压IGBT市场... 10月22日,Amantys宣布推出一款针对高功率模块的全新绝缘栅双极晶体管(IGBT)栅极驱动器,其工作电压为4500V,额定电流从400~1200A。4500V栅极驱动器可满足电力机车、风力发电机组、高压直流和工业驱动应用不断增长的高压IGBT市场需求。 展开更多
关键词 栅极驱动器 功率模块 中国市场 绝缘晶体管 风力发电机组 高压直流 工作电压 额定电流
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