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基于CMOS工艺毫米波宽带片上天线 被引量:2
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作者 张豪 王磊 刘涓 《雷达科学与技术》 北大核心 2018年第4期451-456,共6页
设计了一种基于0.18μm互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺的94GHz频段宽带片上天线。该天线采用改进的单极子天线形式,以实现较宽的阻抗带宽。天线馈电形式采用共面集成波导(CPW)馈电结构,该结... 设计了一种基于0.18μm互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺的94GHz频段宽带片上天线。该天线采用改进的单极子天线形式,以实现较宽的阻抗带宽。天线馈电形式采用共面集成波导(CPW)馈电结构,该结构便于毫米波天线探针台测试系统测试。此外,通过采用全波仿真软件HFSS,对天线衬底尺寸对天线阻抗和辐射性能的影响进行对比分析。所设计的天线工作频带(|S11|≤-10dB)为74~117.6GHz,94GHz频点处的增益为1.35dBi。该天线具有工作频带宽、辐射性能好等特性,可实现天线与IC芯片的一体化片上集成,满足宽带无线通信系统或毫米波雷达系统高集成度、小型化的应用需要。 展开更多
关键词 毫米波 硅基片上天线 0.18μm互补金属氧化物半导体 宽带天线
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