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基于硅波导分布布拉格取样光栅的四通道Ⅲ-V/Si激光器阵列
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作者 贾艳青 王海玲 +2 位作者 孟然哲 张建心 周旭彦 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第11期104-114,共11页
提出了一种波长间隔0.8 nm的四通道Ⅲ-V/Si激光器阵列。在四通道硅波导表面设计了两组分布布拉格取样光栅,分别作为前反射镜和后反射镜,形成Ⅲ-V/Si激光器的谐振腔。优化设计分布布拉格取样光栅的参数,选择四个通道的取样光栅的一阶子... 提出了一种波长间隔0.8 nm的四通道Ⅲ-V/Si激光器阵列。在四通道硅波导表面设计了两组分布布拉格取样光栅,分别作为前反射镜和后反射镜,形成Ⅲ-V/Si激光器的谐振腔。优化设计分布布拉格取样光栅的参数,选择四个通道的取样光栅的一阶子光栅对应的波长进行振荡和输出。采用直接晶片键合技术,将图案化的绝缘体上硅晶片和Ⅲ-V外延晶片非集成在一起,实现了Ⅲ-V波导与硅波导的自对准和高效倏逝波耦合。在室温下连续波条件下,制备的四通道Ⅲ-V/Si激光器阵列的硅波导输出功率均大于0.7 mW@60 mA,阈值电流均小于25 mA,激射波长分别为1 569.64 nm、1 570.45 nm、1 571.27 nm和1 572.08 nm,波长间距为0.8 nm±0.2 nm。这种四通道Ⅲ-V/Si激光器阵列经优化后可应用于密集波分复用硅光学系统。 展开更多
关键词 取样光栅 分布布拉格反射 直接晶片键合 硅基激光器阵列 异质集成 倏逝波耦合
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硅基喇曼激光器研究进展(本期优秀论文)
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作者 冯鸣 解康文 +2 位作者 曹宇 关炳坤 吕可诚 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2009年第4期21-24,共4页
硅基激光器的研制对于新兴的硅基光子学的发展具有重要意义,介绍了硅基材料中喇曼散射的原理、特点,并总结了硅基喇曼激光器的发展历程和最新进展,展示了硅基喇曼激光器发展的良好前景。
关键词 硅基激光器 喇曼散射 级联喇曼
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用于单片集成的硅基外延Ⅲ-Ⅴ族量子阱和量子点激光器研究 被引量:1
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作者 王俊 葛庆 +11 位作者 刘帅呈 马博杰 刘倬良 翟浩 林枫 江晨 刘昊 刘凯 杨一粟 王琦 黄永清 任晓敏 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第5期766-782,共17页
硅基光电子技术以光电子与微电子的深度融合为特征,是后摩尔时代的核心技术。硅基光电子芯片可以利用成熟的微电子平台实现量产,具有功耗低、集成密度大、传输速率快、可靠性高等优点,广泛应用于数据中心、通信系统等领域。除硅基激光器... 硅基光电子技术以光电子与微电子的深度融合为特征,是后摩尔时代的核心技术。硅基光电子芯片可以利用成熟的微电子平台实现量产,具有功耗低、集成密度大、传输速率快、可靠性高等优点,广泛应用于数据中心、通信系统等领域。除硅基激光器外,硅基光探测器、硅基光调制器等硅基光电子器件技术已经基本成熟,但作为最有希望实现低成本、大尺寸单片集成的硅基外延激光器仍然面临着诸多挑战。在此背景下,本文从直接外延无偏角Ⅲ-Ⅴ/Si(001)衬底、无偏角硅基激光器材料、外延技术,以及单片集成等方面探讨了近些年国内外硅基光源的研究进展,重点介绍了本研究组在硅基外延Ⅲ-Ⅴ族量子阱和量子点激光器方面的研究进展,包括无反相畴GaAs/Si(001)衬底的制备、硅基InGaAs/AlGaAs量子阱激光器材料外延、硅基InAs/GaAs量子点激光器材料外延和新型并联方式共面电极硅基激光器芯片制作等。 展开更多
关键词 光电子 外延激光器 无偏角Si(001)衬底 量子阱激光器 量子点激光器 对称负极芯片结构
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Ⅲ - Ⅴ/Si混合集成激光器研究进展 被引量:1
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作者 刘磊 魏涛 +3 位作者 肖希 杨奇 余金中 余少华 《光通信研究》 北大核心 2015年第6期6-10,共5页
硅基光互连技术是解决目前电互连制约瓶颈的有效手段,而实用化集成光源的制备对硅基芯片功耗的降低和尺寸的减小有着十分重要的意义。硅基集成激光器在过去的十多年间取得了一系列重要突破,其中III-V/Si混合集成激光器是近期最可能获得... 硅基光互连技术是解决目前电互连制约瓶颈的有效手段,而实用化集成光源的制备对硅基芯片功耗的降低和尺寸的减小有着十分重要的意义。硅基集成激光器在过去的十多年间取得了一系列重要突破,其中III-V/Si混合集成激光器是近期最可能获得实际应用的方案之一。文章简要分析了硅基集成激光器的研究现状,重点介绍了III-V/Si混合集成激光器的研究进展,包括III-V/Si键合激光器和III-V/Si倒装焊激光器的发展和各自存在的问题,并预测了硅基集成激光器的发展方向。 展开更多
关键词 光互连 硅基激光器 混合集成
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“半导体激光材料及器件”专题征稿
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《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第9期F0002-F0002,共1页
征稿范围:包括但不限于半导体激光器、半导体激光物理、半导体激光材料、硅基激光器、量子点激光器、窄线宽激光器、表面等离激元激光、微腔激光器与纳米腔激光器、新型半导体材料微纳激光、混合集成半导体微纳激光。时间安排:全文投稿... 征稿范围:包括但不限于半导体激光器、半导体激光物理、半导体激光材料、硅基激光器、量子点激光器、窄线宽激光器、表面等离激元激光、微腔激光器与纳米腔激光器、新型半导体材料微纳激光、混合集成半导体微纳激光。时间安排:全文投稿截止日期:2021年10月30日;专题出版时间:2022年第2期。 展开更多
关键词 半导体激光 新型半导体 量子点激光器 硅基激光器 表面等离激元 微腔激光器 投稿截止日期 纳米腔
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“半导体激光材料及器件”专题征稿
6
《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期F0002-F0002,共1页
征稿范围:包括但不限于半导体激光器、半导体激光物理、半导体激光材料、硅基激光器、量子点激光器、窄线宽激光器、表面等离激元激光、微腔激光器与纳米腔激光器、新型半导体材料微纳激光、混合集成半导体微纳激光。时间安排:全文投稿... 征稿范围:包括但不限于半导体激光器、半导体激光物理、半导体激光材料、硅基激光器、量子点激光器、窄线宽激光器、表面等离激元激光、微腔激光器与纳米腔激光器、新型半导体材料微纳激光、混合集成半导体微纳激光。时间安排:全文投稿截止日期:2021年10月30日;专题出版时间:2022年第2期。 展开更多
关键词 半导体激光 新型半导体 量子点激光器 硅基激光器 表面等离激元 微腔激光器 投稿截止日期 纳米腔
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“半导体激光材料及器件”专题征稿
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《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第7期F0002-F0002,共1页
征稿范围:包括但不限于半导体激光器、半导体激光物理、半导体激光材料、硅基激光器、量子点激光器、窄线宽激光器、表面等离激元激光、微腔激光器与纳米腔激光器、新型半导体材料微纳激光、混合集成半导体微纳激光。时间安排:全文投稿... 征稿范围:包括但不限于半导体激光器、半导体激光物理、半导体激光材料、硅基激光器、量子点激光器、窄线宽激光器、表面等离激元激光、微腔激光器与纳米腔激光器、新型半导体材料微纳激光、混合集成半导体微纳激光。时间安排:全文投稿截止日期:2021年10月30日;专题出版时间:2022年第2期。 展开更多
关键词 半导体激光 新型半导体 量子点激光器 硅基激光器 表面等离激元 微腔激光器 投稿截止日期 纳米腔
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“半导体激光材料及器件”专题征稿
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《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第10期F0002-F0002,共1页
征稿范围:包括但不限于半导体激光器、半导体激光物理、半导体激光材料、硅基激光器、量子点激光器、窄线宽激光器、表面等离激元激光、微腔激光器与纳米腔激光器、新型半导体材料微纳激光、混合集成半导体微纳激光。
关键词 半导体激光 新型半导体 量子点激光器 硅基激光器 表面等离激元 微腔激光器 窄线宽激光器 纳米腔
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“半导体激光材料及器件”专题征稿
9
《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第8期F0002-F0002,共1页
征稿范围:包括但不限于半导体激光器、半导体激光物理、半导体激光材料、硅基激光器、量子点激光器、窄线宽激光器、表面等离激元激光、微腔激光器与纳米腔激光器、新型半导体材料微纳激光、混合集成半导体微纳激光。
关键词 半导体激光 新型半导体 量子点激光器 硅基激光器 表面等离激元 微腔激光器 窄线宽激光器 纳米腔
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