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硅基参数对微带带通滤波器传输特性的影响 被引量:1
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作者 闫军喜 张淑莉 彭玉峰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期47-50,67,共5页
随着半导体工艺技术和IC设计技术的飞速发展,硅基滤波器技术也不断更新换代。滤波器传输性能取决于基片介电常数、损耗和厚度等参数。研究了硅基不同厚度、损耗以及掺杂浓度等情况下,中心频率为5.75 GHz附近的平行耦合微带带通滤波器的... 随着半导体工艺技术和IC设计技术的飞速发展,硅基滤波器技术也不断更新换代。滤波器传输性能取决于基片介电常数、损耗和厚度等参数。研究了硅基不同厚度、损耗以及掺杂浓度等情况下,中心频率为5.75 GHz附近的平行耦合微带带通滤波器的传输系数和反射系数的频率响应特性。结果表明:当微带线带通滤波器PCB版图确定时,滤波器正向传输系数S21随着基片材料厚度的减小,通频带宽变窄;随着硅掺杂浓度的增加,通带向低频方向偏移;当正切损耗为0.000 4,0.004和0.04时,中心频率处S21分别为-14.18,-2.08和-0.81 dB。理论结果与实验数据进行比较,两者符合较好。 展开更多
关键词 微带滤波器 耦合微带线 传输系数 介质参数 硅基滤波器
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