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应用于微电子的硅基氧化锆薄膜性质研究
被引量：
1
1
作者
郑航
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第8期71-73,77,共4页
用磁控溅射方法在Si (100) 衬底上沉积了氧化锆薄膜。研究和比较了退火前和退火后的薄膜晶体结构、表面形貌以及Al/ZrO2/Si电容的金属-绝缘体-半导体性质。700℃氮气退火后的薄膜具有高的介电常数18,且在2V时漏电流小于1×10-7A/cm2...
用磁控溅射方法在Si (100) 衬底上沉积了氧化锆薄膜。研究和比较了退火前和退火后的薄膜晶体结构、表面形貌以及Al/ZrO2/Si电容的金属-绝缘体-半导体性质。700℃氮气退火后的薄膜具有高的介电常数18,且在2V时漏电流小于1×10-7A/cm2,显示了良好的电学性质。氧化锆将是一种在未来的微电子器件中大有应用前景的新材料。
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关键词
微电子
硅基氧化锆
薄膜性质
MOS
半导体
磁控溅射法
晶体结构
介电常数
电学性质
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职称材料
题名
应用于微电子的硅基氧化锆薄膜性质研究
被引量：
1
1
作者
郑航
机构
复旦大学应用表面物理国家重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第8期71-73,77,共4页
基金
唐仲英学生科技创新基金资助
文摘
用磁控溅射方法在Si (100) 衬底上沉积了氧化锆薄膜。研究和比较了退火前和退火后的薄膜晶体结构、表面形貌以及Al/ZrO2/Si电容的金属-绝缘体-半导体性质。700℃氮气退火后的薄膜具有高的介电常数18,且在2V时漏电流小于1×10-7A/cm2,显示了良好的电学性质。氧化锆将是一种在未来的微电子器件中大有应用前景的新材料。
关键词
微电子
硅基氧化锆
薄膜性质
MOS
半导体
磁控溅射法
晶体结构
介电常数
电学性质
Keywords
MOS
zirconium oxide
semiconductor
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
O472.1 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
应用于微电子的硅基氧化锆薄膜性质研究
郑航
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
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