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硅基氧化物薄膜的结构及光吸收特性的研究
被引量：
1
1
作者
吴雪梅
董业民
+5 位作者
诸葛兰剑
叶春暖
汤乃云
俞跃辉
宁兆元
姚伟国
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期209-211,共3页
采用射频磁控共溅射方法制备了纳米Ge颗粒尺寸的Ge SiO2 薄膜、非晶Si SiO2 薄膜和非晶AlSiO复合薄膜 ,分析了样品的结构 ,研究发现 3类样品均存在较强的光吸收 ,对于Ge SiO2 薄膜观察到光吸收边随Ge颗粒尺寸变小而蓝移的现象 ,这主要...
采用射频磁控共溅射方法制备了纳米Ge颗粒尺寸的Ge SiO2 薄膜、非晶Si SiO2 薄膜和非晶AlSiO复合薄膜 ,分析了样品的结构 ,研究发现 3类样品均存在较强的光吸收 ,对于Ge SiO2 薄膜观察到光吸收边随Ge颗粒尺寸变小而蓝移的现象 ,这主要是由于Ge颗粒的量子限域效应所引起的。而对于非晶样品也出现了光吸收边蓝移和能隙展宽的现象 。
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关键词
硅基氧化物薄膜
结构
光吸收特性
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职称材料
题名
硅基氧化物薄膜的结构及光吸收特性的研究
被引量：
1
1
作者
吴雪梅
董业民
诸葛兰剑
叶春暖
汤乃云
俞跃辉
宁兆元
姚伟国
机构
苏州大学物理系
中国科学院上海冶金所离子束开放实验室
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期209-211,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目 (698760 4 3)
文摘
采用射频磁控共溅射方法制备了纳米Ge颗粒尺寸的Ge SiO2 薄膜、非晶Si SiO2 薄膜和非晶AlSiO复合薄膜 ,分析了样品的结构 ,研究发现 3类样品均存在较强的光吸收 ,对于Ge SiO2 薄膜观察到光吸收边随Ge颗粒尺寸变小而蓝移的现象 ,这主要是由于Ge颗粒的量子限域效应所引起的。而对于非晶样品也出现了光吸收边蓝移和能隙展宽的现象 。
关键词
硅基氧化物薄膜
结构
光吸收特性
Keywords
films
structure
absorption
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅基氧化物薄膜的结构及光吸收特性的研究
吴雪梅
董业民
诸葛兰剑
叶春暖
汤乃云
俞跃辉
宁兆元
姚伟国
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
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