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Si基长波长GeSiHPT探测器的研制
1
作者
毛容伟
李成
+7 位作者
成步文
黄昌俊
左玉华
李传波
罗丽萍
滕学恭
余金中
王启明
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第0Z2期155-159,共5页
随着波分复用技术的发展，成本低廉，易与Si基微电子集成电路集成的长波长探测器越来越受到人们的重视。Si1-kGek/Si量子阱材料在1.3μm石英光纤波段有着明显的响应。但是由于SiGe材料间接带隙结构，吸收系数小，SiGe探测器的应用受到...
随着波分复用技术的发展，成本低廉，易与Si基微电子集成电路集成的长波长探测器越来越受到人们的重视。Si1-kGek/Si量子阱材料在1.3μm石英光纤波段有着明显的响应。但是由于SiGe材料间接带隙结构，吸收系数小，SiGe探测器的应用受到限制。由于（heterojunction phototransistor异质结光敏晶体管）HPT具有内部增益，SiGeHPT有望得到广泛应用。本文在国内首次报道了利用自己研制的UHV-CVD生长的SiGeHPT。在该结衍射和TEM进行表征，并且制作了原型器件，器件的光电流谱表明器件在5V偏压下在1.3μm波段响应度达1mA/W，光增益约为10。同时我们设计了SOR上面的RCEHPT，并进行光电响应模拟，模拟表明RCE HPT的量子效率可达8%，增加吸收区材料Ge组分到0.5，量子效率可提高到30%，半高度为1.5nm，适应光通讯的要求。
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关键词
硅基微电子集成电路
异质结光敏晶体管
GeSiHPT探测器
长波长探测器
锗化
硅
半导体光电探测器
光通信
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职称材料
题名
Si基长波长GeSiHPT探测器的研制
1
作者
毛容伟
李成
成步文
黄昌俊
左玉华
李传波
罗丽萍
滕学恭
余金中
王启明
机构
中科院半导体所集成光电子学国家重点实验室
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第0Z2期155-159,共5页
文摘
随着波分复用技术的发展，成本低廉，易与Si基微电子集成电路集成的长波长探测器越来越受到人们的重视。Si1-kGek/Si量子阱材料在1.3μm石英光纤波段有着明显的响应。但是由于SiGe材料间接带隙结构，吸收系数小，SiGe探测器的应用受到限制。由于（heterojunction phototransistor异质结光敏晶体管）HPT具有内部增益，SiGeHPT有望得到广泛应用。本文在国内首次报道了利用自己研制的UHV-CVD生长的SiGeHPT。在该结衍射和TEM进行表征，并且制作了原型器件，器件的光电流谱表明器件在5V偏压下在1.3μm波段响应度达1mA/W，光增益约为10。同时我们设计了SOR上面的RCEHPT，并进行光电响应模拟，模拟表明RCE HPT的量子效率可达8%，增加吸收区材料Ge组分到0.5，量子效率可提高到30%，半高度为1.5nm，适应光通讯的要求。
关键词
硅基微电子集成电路
异质结光敏晶体管
GeSiHPT探测器
长波长探测器
锗化
硅
半导体光电探测器
光通信
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
TN929.1 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
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作者
出处
发文年
被引量
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1
Si基长波长GeSiHPT探测器的研制
毛容伟
李成
成步文
黄昌俊
左玉华
李传波
罗丽萍
滕学恭
余金中
王启明
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
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