硅基场发射阴极材料研究进展 被引量：6

1

作者 富笑男 李新建 《科学技术与工程》 2005年第3期165-173,共9页

场发射显示技术在原理上具有多种优越性能,可能在未来平板显示技术中居主导地位。硅基场发射阴极易于与其周边驱动电路实现集成,因而更具有明显的开发前景。在综述硅基场发射阴极材料最新研究进展的基础上,就其所面临的问题、可能的解... 场发射显示技术在原理上具有多种优越性能,可能在未来平板显示技术中居主导地位。硅基场发射阴极易于与其周边驱动电路实现集成,因而更具有明显的开发前景。在综述硅基场发射阴极材料最新研究进展的基础上,就其所面临的问题、可能的解决方案和未来的发展趋势做出了评述。 展开更多

关键词 硅基场致发射阴极材料 硅尖锥形阴极阵列 场发射

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碳基场发射冷阴极材料的研究 被引量：2

2

作者 钱开友 林仰魁 +2 位作者 徐东 蔡炳初 孙卓 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第5期12-15,共4页

场发射冷阴极材料作为真空微电子器件的核心部件,在真空微电子场发射的研究与应用中占有极其重要的地位。目前碳基材料金刚石、类金刚石和碳纳米管在场发射冷阴级的研究中居统治地位。阐述了以上3种材料的制备工艺,发射特性,提出了改进... 场发射冷阴极材料作为真空微电子器件的核心部件,在真空微电子场发射的研究与应用中占有极其重要的地位。目前碳基材料金刚石、类金刚石和碳纳米管在场发射冷阴级的研究中居统治地位。阐述了以上3种材料的制备工艺,发射特性,提出了改进其发射性能的措施,并对它们目前存在的问题及其应用前景进行了展望。 展开更多

关键词 碳基材料 场发射冷阴极 真空微电子器件 类金刚石 碳纳米管 发射传感器 场发射平板显示器 微波毫米波器件

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钛基纳米金刚石涂层场发射阴极 被引量：10

3

作者 翟春雪 张志勇 +2 位作者 王雪文 赵武 阎军锋 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期30-33,共4页

设计了一种新的金刚石场发射阴极工艺.用旋涂法在金属钛片上涂覆纳米金刚石涂层,经过适当条件的真空热处理,实现钛与金刚石之间的化学键合即欧姆接触,从而形成以金属钛为衬底,碳化钛键合层为过渡层,金刚石纳米颗粒为场发射体的场发射阴... 设计了一种新的金刚石场发射阴极工艺.用旋涂法在金属钛片上涂覆纳米金刚石涂层,经过适当条件的真空热处理,实现钛与金刚石之间的化学键合即欧姆接触,从而形成以金属钛为衬底,碳化钛键合层为过渡层,金刚石纳米颗粒为场发射体的场发射阴极.样品的阈值场强可达6.3 V/μm,场发射电流密度在21 V/μm场强下可达到60.7μA/cm2.提出了样品的结构模型,并分析了其电子输运方式.样品的Fowler-Nordheim曲线基本为一直线,根据经典场发射理论,可以证实其电子发射机制为场发射.观察到在获得稳定的场发射性能之前存在激发过程,并对其作了简单解释. 展开更多

关键词 半导体材料 场发射阴极 键合 纳米金刚石 钛衬底

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硅基籽晶上化学气相沉积金刚石薄膜及其场发射特性 被引量：3

4

作者 赵海峰 宋航 +4 位作者 元光 李志明 蒋红 缪国庆 金亿鑫 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期313-317,共5页

通过控制电泳沉积(EPD)时间,在硅基片上沉积不同密度的金刚石籽晶。再用热丝化学气相沉积(HFCVD)设备,在硅基籽晶上合成多晶金刚石薄膜。薄膜中通常含有非金刚石相碳成分。用扫描电子显微镜(SEM)和Raman光谱对样品的表面形貌和成分进行... 通过控制电泳沉积(EPD)时间,在硅基片上沉积不同密度的金刚石籽晶。再用热丝化学气相沉积(HFCVD)设备,在硅基籽晶上合成多晶金刚石薄膜。薄膜中通常含有非金刚石相碳成分。用扫描电子显微镜(SEM)和Raman光谱对样品的表面形貌和成分进行了表征,测量了样品的场发射特性。比较并分析了样品的表面形貌和非金刚石成分上的差异对金刚石薄膜场发射特性的影响。 展开更多

关键词 硅基籽晶 化学气相沉积 金刚石薄膜 场发射特性 电泳沉积 表面形貌

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碳纳米管冷阴极材料制备及其场发射性能研究 被引量：2

5

作者 房振乾 胡明 +1 位作者 李海燕 梁继然 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第6期715-718,共4页

在场发射显示器技术领域,碳纳米管被认为是目前最有前途的场发射冷阴极材料之一。碳纳米管具有低的场发射阈值电场,高的发射电流密度使它们比传统的热阴极材料以及其他的场发射冷阴极材料更适于实际的技术应用。介绍了碳纳米管的制备方... 在场发射显示器技术领域,碳纳米管被认为是目前最有前途的场发射冷阴极材料之一。碳纳米管具有低的场发射阈值电场,高的发射电流密度使它们比传统的热阴极材料以及其他的场发射冷阴极材料更适于实际的技术应用。介绍了碳纳米管的制备方法和场发射原理,并对碳纳米管的场发射性能研究进行了综合的评述。 展开更多

关键词 场发射显示器 碳纳米管 场发射 冷阴极材料

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兰州化物所石墨烯基阴极材料的场发射特性研究获得进展

6

《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第12期141-141,共1页

中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室低维材料摩擦学课题组在石墨烯基阴极材料场发射特性研究中取得重要进展。

关键词 中国科学院兰州化学物理研究所 场发射特性 阴极材料 固体润滑国家重点实验室 烯基 石墨 低维材料 课题组

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掺杂对碳基材料场发射的影响 被引量：1

7

作者 王隆洋 王小平 +2 位作者 王丽军 段新超 张雷 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期79-82,共4页

碳基材料作为场发射阴极的候选对象,一直是场发射领域中的研究热点,掺杂则是提高场发射性能的重要手段之一,由于基质材料和掺杂物的不同,掺杂可能产生提高电导率、调制功函数、改变粒度大小、引入缺陷等诸多效果。综述了这些可能的掺杂... 碳基材料作为场发射阴极的候选对象,一直是场发射领域中的研究热点,掺杂则是提高场发射性能的重要手段之一,由于基质材料和掺杂物的不同,掺杂可能产生提高电导率、调制功函数、改变粒度大小、引入缺陷等诸多效果。综述了这些可能的掺杂效果以及对场发射性能带来的影响,分析了各种碳基材料与杂质之间的关系,指出了今后需解决的主要问题,并为以后的研究提出了一些建议。 展开更多

关键词 碳基材料 掺杂 场发射

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阳极氧化条件对多孔硅冷阴极场发射特性的影响 被引量：2

8

作者 丁邦建 王维彪 《液晶与显示》 CAS CSCD 2000年第4期273-277,共5页

研究了多孔硅的制备条件对多孔硅冷阴极场发射特性的影响 ,实验表明多孔硅的制备条件如电解电流密度、电解时间等对多孔硅冷阴极的场发射特性有较大的影响。

关键词 阳极氧化 场发射 多孔硅冷阴极

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硅锥场发射阴极电热状态的数值模拟

9

作者 皇甫鲁江 朱长纯 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期427-432,共6页

用有限差分法求解相互耦合的电流连续方程和导热方程 ,对硅锥阴极的电热状态进行了数值模拟。模拟中采用了与温度、电场相关电导率模型以及和温度相关的热导率模型。模拟的结果表明 ,锥体顶端的电位变化比较突出 ,在较小的电流下其内部... 用有限差分法求解相互耦合的电流连续方程和导热方程 ,对硅锥阴极的电热状态进行了数值模拟。模拟中采用了与温度、电场相关电导率模型以及和温度相关的热导率模型。模拟的结果表明 ,锥体顶端的电位变化比较突出 ,在较小的电流下其内部电场即可以达到临界场强 ,使载流子漂移速度开始饱和 ,并表现出饱和的发射特性。在尖锥顶端内部电场达到临界场强直至发生碰撞电离时 。 展开更多

关键词 硅锥 场发射阴极 数值模拟 电热状态

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氮化碳在场发射冷阴极材料中的研究进展 被引量：1

10

作者 肖浩春 丰义兵 王继刚 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期75-85,共11页

氮化碳具有优良的热稳定性、高热导率、较大的禁带宽度和负的电子亲和势等优点,是一种极具潜力的场发射阴极材料。本文在介绍氮化碳的结构、性能以及作为场发射材料的研究现状的基础上,着重评述了氮化碳薄膜和粉体的制备方法;从优化结... 氮化碳具有优良的热稳定性、高热导率、较大的禁带宽度和负的电子亲和势等优点,是一种极具潜力的场发射阴极材料。本文在介绍氮化碳的结构、性能以及作为场发射材料的研究现状的基础上,着重评述了氮化碳薄膜和粉体的制备方法;从优化结构中的sp^(2)簇的数量及尺寸、调控表面形貌、元素掺杂,以及通过与其他场发射材料复合或表面修饰形成多级发射结构等方面,阐述了优化氮化碳场发射性能的方法。最后总结了氮化碳薄膜和粉体分别作为场发射阴极材料仍然存在的问题,并以此指出将来开展相关研究的重点在于继续优化其场发射性能,以及探索其内部结构、缺陷等对场发射性能的影响。 展开更多

关键词 氮化碳 场发射 阴极材料 电子发射

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纳米晶体硅量子点场发射冷阴极的研究

11

作者 吴成昌 肖夏 +1 位作者 赵新为 张生才 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期357-358,362,共3页

在n-Si(4～5Ω·cm)衬底上淀积了400nm厚的纳米晶体硅(nc-Si)量子点薄膜,将其制备成场致发射的冷阴极.介绍了nc-Si量子点冷阴极的制备,场致发射特性的测试,解释了nc-Si量子点冷阴极的工作模型及电子弹道发射的原理.透射电子显微镜(T... 在n-Si(4～5Ω·cm)衬底上淀积了400nm厚的纳米晶体硅(nc-Si)量子点薄膜,将其制备成场致发射的冷阴极.介绍了nc-Si量子点冷阴极的制备,场致发射特性的测试,解释了nc-Si量子点冷阴极的工作模型及电子弹道发射的原理.透射电子显微镜(TEM)对样片的结构分析证实样片中的nc-Si量子点具有很好的单晶结构;原子力显微镜(AFM)对样片的表面形貌分析表明,样片具有平滑的表面,有利于提高冷阴极的发射效率. 展开更多

关键词 纳米晶体硅量子点 场致发射 冷阴极 弹道电子

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分子基材料聚集态结构的场发射性质研究

12

作者 钱学旻 刘辉彪 李玉良 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2014年第1期62-74,共13页

场发射在扫描电子显微镜、平面显示器、压力传感器、加速度传感器以及电子束可寻址记忆器件等许多领域中得到了广泛的应用,分子基材料由于其结构和能带可设计,性质可调和柔性易加工等显著特点,被认为是新一代的场发射材料。本文综述了... 场发射在扫描电子显微镜、平面显示器、压力传感器、加速度传感器以及电子束可寻址记忆器件等许多领域中得到了广泛的应用,分子基材料由于其结构和能带可设计,性质可调和柔性易加工等显著特点,被认为是新一代的场发射材料。本文综述了近年来分子基材料聚集态结构的场发射性质研究的新进展,特别是分子基材料的结构和聚集态形貌和尺寸对场发射性质的影响以及通过对分子基材料的杂化优化其场发射的性质,展望了分子基材料聚集态结构场发射的应用前景和发展趋势。 展开更多

关键词 分子基材料 聚集态纳米结构 场发射性质

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全碳材料点状场发射阴极制备及其石墨烯填充场发射增强性能研究

13

作者 娄硕 陈欣雨 +2 位作者 张堃 宋也男 孙卓 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期83-88,共6页

目的设计一种利用常见的铅笔芯和碳纳米管复合的全碳材料点状场发射器件,通过石墨烯填充,增强场发射性能。方法导电玻璃作为阳极,铅笔芯与碳纳米管复合构成发射子,锡底座固定铅笔芯,并利用导电胶与导电玻璃粘接组成阴极。通过比较纯碳... 目的设计一种利用常见的铅笔芯和碳纳米管复合的全碳材料点状场发射器件,通过石墨烯填充,增强场发射性能。方法导电玻璃作为阳极,铅笔芯与碳纳米管复合构成发射子,锡底座固定铅笔芯,并利用导电胶与导电玻璃粘接组成阴极。通过比较纯碳纳米管与不同浓度石墨烯的场发射性能,找到效果最好的填充石墨烯浓度。结合扫描电镜表征结果,对石墨烯填充增强场发射性能的原因进行解释。结果实现了全碳材料点状场发射器件的制备及场发射性能的优化,发现7%的石墨烯浆料制备的器件场发射性能最好,得到的点状场发射阴极的阈值电场为1.05 V/μm,场发射增强因子高达13509,最大电流0.75 mA。结论点状场发射器件拥有更好的聚焦性、更低的开启场强以及更大的场发射电流密度,在制作X射线源和微波器件方面具有较高的应用价值。 展开更多

关键词 全碳材料器件 场发射阴极 点状发射 碳纳米管 氧化石墨烯 石墨烯填充

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“硅基氧化铝模板合成ZnO纳米结构及其场发射性能研究”项目通过天津市科委验收

14

作者 郭建辉 《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2012年第6期84-84,共1页

由我校理学院张海明副教授等承担的天津市科技计划项目“硅基氧化铝模板合成ZnO纳米结构及其场发射性能研究”于2012年6月28日通过市科委组织的专家验收．

关键词 场发射性能 纳米结构 模板合成 天津市 ZNO 氧化铝 科委 硅基

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场致发射硅尖阵列的研制 被引量：5

15

作者 吴海霞 仲顺安 +2 位作者 李文雄 邵雷 鲁雪峰 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期638-640,共3页

研究真空微电子器件场致发射硅尖阵列的制作工艺.利用HNA湿法腐蚀工艺制作场致发射硅尖阵列,比较带胶腐蚀与不带胶腐蚀的不同.采用氧化削尖技术对硅尖进行锐化处理.制作了50×60硅尖阵列,同时给出了硅尖阵列的I-V特性.利用HNA湿法... 研究真空微电子器件场致发射硅尖阵列的制作工艺.利用HNA湿法腐蚀工艺制作场致发射硅尖阵列,比较带胶腐蚀与不带胶腐蚀的不同.采用氧化削尖技术对硅尖进行锐化处理.制作了50×60硅尖阵列,同时给出了硅尖阵列的I-V特性.利用HNA湿法腐蚀制备的硅尖结构与理论分析一致,锐化处理改善了硅尖阴极阵列的场致发射特性. 展开更多

关键词 真空微电子器件 湿法腐蚀 场致发射阴极阵列 硅尖

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电泳法制备场发射阴极的性能优化研究 被引量：1

16

作者 王莉莉 陈奕卫 +5 位作者 陈婷 孙卓 冯涛 张燕萍 高阳 阙文修 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期701-707,共7页

电泳法是一种新型的大面积碳纳米管场发射阴极制备方法。文章在成功地用电泳法制备了适用于场发射显示器的碳纳米管阴极基础上,通过选用不同的碳纳米管原料、改变电泳条件等方法,进一步优化碳管阴极的性能。使用不同方法制备的碳纳米管... 电泳法是一种新型的大面积碳纳米管场发射阴极制备方法。文章在成功地用电泳法制备了适用于场发射显示器的碳纳米管阴极基础上,通过选用不同的碳纳米管原料、改变电泳条件等方法,进一步优化碳管阴极的性能。使用不同方法制备的碳纳米管配置电泳液,由于制备方法和碳管本身的特性,管子在电泳溶液中呈现不同的分散性。碳管管径较粗时由于表面自由能相对小,所以碳管在溶液中不易形成团聚物,电泳沉积的阴极会均匀平整;管径小的碳管则由于容易团聚,需要加入表面活性剂来改善其在电泳溶液中的分散性。场发射特性和发光显示图实验结果发现,即使得到相同均匀平整的阴极,但是由于碳管本身的发射能力的差异性最终导致电泳沉积得到的阴极的场发射特性的不同。另外,电泳的实验条件也会对沉积的阴极的场发射性能和形貌产生影响。在不同电泳直流电压条件下,碳管薄膜的密度分布和厚度不同,呈现出不同的场发射能力,结果表明当电压值在25V时可以得到性能最佳的场发射阴极。 展开更多

关键词 场发射材料 碳纳米管 电泳 场发射阴极 电压

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多孔硅场致电子发射 被引量：1

17

作者 丁邦建 王维彪 《液晶与显示》 CAS CSCD 2000年第4期268-272,共5页

研究了多孔硅冷阴极的场致电子发射特性 ,实验表明采用电化学阳极腐蚀、氧化、蒸电极等工艺可以制备一种平面薄膜型多孔硅冷阴极。

关键词 多孔硅 冷阴极 场致电子发射 多孔硅场发射器件

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硅场发射的WKB法和转移矩阵法比较

18

作者 张祖兴 桑明煌 +2 位作者 詹黎 叶志清 聂义友 《江西师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2004年第1期64-67,共4页

硅作为场发射阴极成为可能,硅的场发射研究又重新引起人们的重视.该文将半导体表面的能带弯曲视为一势阱,从而建立了表面势阱作用下硅场致发射的基本方程.并分别应用WKB法和转移矩阵法,求出了垂直于界面的量子能级,并计算了场发射电流.... 硅作为场发射阴极成为可能,硅的场发射研究又重新引起人们的重视.该文将半导体表面的能带弯曲视为一势阱,从而建立了表面势阱作用下硅场致发射的基本方程.并分别应用WKB法和转移矩阵法,求出了垂直于界面的量子能级,并计算了场发射电流.最后对两种方法的结果进行了比较,发现转移矩阵法的结果比WKB近似法更加接近于FN理论的结果,该方法可为复杂势场中的量子化效应及电子特性提供一个有效的分析方法. 展开更多

关键词 场发射 WKB法 转移矩阵法 势阱 量子能级 硅材料 量子势垒

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硅场致发射阵列的工艺研究 被引量：1

19

作者 刘善喜 皮德富 郑玉琦 《真空科学与技术》 CSCD 1994年第2期129-132,共4页

介绍了硅场致发射阵列工艺研究的初步结果。应用湿法化学腐蚀、硅锥切削及介质平坦化技术成功地制备出了理想形状的场致发射阵列。

关键词 场致发射阵列 硅 阴极电子学

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三种含钽化合物场发射阴极

20

作者 姜祥祺 加藤隆男 《应用科学学报》 CAS 1986年第2期126-131,共6页

采用电解腐蚀工艺制得了形态良好的钽场发射阴极针尖,其高度小于0.1mm,曲率半径在0.1～0.5μm间.再利用在钽针尖上的固-气相反应法,制得钽芯氮化钽、炭化钽和炭化氮化钽三种场发射阴极,给出了它们的场发射图象和有关场发射特性的实验数... 采用电解腐蚀工艺制得了形态良好的钽场发射阴极针尖,其高度小于0.1mm,曲率半径在0.1～0.5μm间.再利用在钽针尖上的固-气相反应法,制得钽芯氮化钽、炭化钽和炭化氮化钽三种场发射阴极,给出了它们的场发射图象和有关场发射特性的实验数据.实验结果表明含钽化合物是一类性能良好的场发射阴极材料. 展开更多

关键词 场发射 针尖 图象 加速电压 阴极材料 场发射电流

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