期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
3
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
基于锗量子点的硅基发光器件
被引量：
1
1
作者
夏金松
蒋最敏
+1 位作者
曾成
张永
《光通信研究》
北大核心
2015年第6期1-5,29,共6页
硅基光源是实现硅基集成光电子芯片的核心器件,虽然近年来国内外已经取得多项重要成果,但适合于下一代大规模光电集成芯片的小尺寸、低功耗、工艺兼容的高效硅基发光器件仍然缺乏。文章介绍了基于嵌入光学微腔中的锗量子点实现硅基发光...
硅基光源是实现硅基集成光电子芯片的核心器件,虽然近年来国内外已经取得多项重要成果,但适合于下一代大规模光电集成芯片的小尺寸、低功耗、工艺兼容的高效硅基发光器件仍然缺乏。文章介绍了基于嵌入光学微腔中的锗量子点实现硅基发光器件方面的研究成果,通过将分子束外延生长的锗自组装量子点嵌入硅光子晶体微腔中,实现了室温下处于通信波段的共振发光。通过在图形化衬底上生长实现锗量子点的定位,并精确嵌入光子晶体微腔中,实现了基于锗单量子点的硅基发光器件。
展开更多
关键词
硅基发光器件
锗量子点
光学微腔
在线阅读
下载PDF
职称材料
基于激子理论的硅基位错环发光器件模型参数的计算
2
作者
张彬
毛陆虹
+2 位作者
李善国
郭维廉
张世林
《天津大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期287-292,共6页
针对硅基位错环发光器件,根据激子理论的速率方程描述了发光二极管的光电特性,提出了一种模型参数的计算方法,建立了便于计算机仿真的HSPICE模型.计算的参数与已报道的实验基本一致,特别是理想系数大于2,束缚激子的热激活能级为6.3 meV...
针对硅基位错环发光器件,根据激子理论的速率方程描述了发光二极管的光电特性,提出了一种模型参数的计算方法,建立了便于计算机仿真的HSPICE模型.计算的参数与已报道的实验基本一致,特别是理想系数大于2,束缚激子的热激活能级为6.3 meV,自由激子复合概率和束缚激子分裂概率的比为0.006等参数比较符合物理事实.并得到了束缚激子和自由激子的发光强度与温度和注入电流的相互关系.结果表明激子在位错环发光器件中具有重要作用.
展开更多
关键词
硅基发光器件
位错环
CMOS
电路模型
参数
在线阅读
下载PDF
职称材料
发光窗口对MOS结构硅LED电光性能的影响
3
作者
吴克军
黄兴发
+4 位作者
李则鹏
易波
赵建明
钱津超
徐开凯
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第7期834-838,共5页
通过0.18μm标准CMOS工艺设计并制备了一种MOS结构的硅基发光器件。该光源器件在一个n阱中设计了两个相同的PMOS,分别利用p+源/漏区与n阱形成的p+n结进行反偏雪崩击穿而发射可见光。测试结果显示,该光源器件在正偏状态下的开启电压为0.8...
通过0.18μm标准CMOS工艺设计并制备了一种MOS结构的硅基发光器件。该光源器件在一个n阱中设计了两个相同的PMOS,分别利用p+源/漏区与n阱形成的p+n结进行反偏雪崩击穿而发射可见光。测试结果显示,该光源器件在正偏状态下的开启电压为0.8 V,在6 V的反偏电压下发生雪崩击穿,能够发出黄色的可见光,发光频谱范围为420~780 nm。本文对比了0.5μm和2μm两个不同发光窗口宽度的测试结果,发现该光源器件在更小发光窗口具有更高的发光强度和更好的发光均匀度,该特征与发光器件的反向电流密度分布和光在金属电极间的反射有关。研究成果在片上硅基光电集成回路中具有一定的应用价值。
展开更多
关键词
硅基发光器件
CMOS工艺
发光
窗口
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
基于锗量子点的硅基发光器件
被引量：
1
1
作者
夏金松
蒋最敏
曾成
张永
机构
华中科技大学
复旦大学
出处
《光通信研究》
北大核心
2015年第6期1-5,29,共6页
基金
国家"八六三"计划资助项目(2015AA016904)
国家"九七三"计划资助项目(2013CB632104
+3 种基金
2013CB933303)
国家自然科学基金资助项目(61335002
61177049)
教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-12-0218)
文摘
硅基光源是实现硅基集成光电子芯片的核心器件,虽然近年来国内外已经取得多项重要成果,但适合于下一代大规模光电集成芯片的小尺寸、低功耗、工艺兼容的高效硅基发光器件仍然缺乏。文章介绍了基于嵌入光学微腔中的锗量子点实现硅基发光器件方面的研究成果,通过将分子束外延生长的锗自组装量子点嵌入硅光子晶体微腔中,实现了室温下处于通信波段的共振发光。通过在图形化衬底上生长实现锗量子点的定位,并精确嵌入光子晶体微腔中,实现了基于锗单量子点的硅基发光器件。
关键词
硅基发光器件
锗量子点
光学微腔
Keywords
Si-based light-emitting device
Ge quantum dot
optical microcavity
分类号
TN256 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
基于激子理论的硅基位错环发光器件模型参数的计算
2
作者
张彬
毛陆虹
李善国
郭维廉
张世林
机构
天津大学电子信息工程学院
出处
《天津大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期287-292,共6页
基金
国家自然科学基金重点资助项目(60536030
60676038)
天津市应用基础计划重点项目(06YFJZC00200)
文摘
针对硅基位错环发光器件,根据激子理论的速率方程描述了发光二极管的光电特性,提出了一种模型参数的计算方法,建立了便于计算机仿真的HSPICE模型.计算的参数与已报道的实验基本一致,特别是理想系数大于2,束缚激子的热激活能级为6.3 meV,自由激子复合概率和束缚激子分裂概率的比为0.006等参数比较符合物理事实.并得到了束缚激子和自由激子的发光强度与温度和注入电流的相互关系.结果表明激子在位错环发光器件中具有重要作用.
关键词
硅基发光器件
位错环
CMOS
电路模型
参数
Keywords
silicon based emitting device
dislocation loop
CMOS
circuit model
model parameter
分类号
TN383 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
发光窗口对MOS结构硅LED电光性能的影响
3
作者
吴克军
黄兴发
李则鹏
易波
赵建明
钱津超
徐开凯
机构
电子科技大学电子科学与工程学院
中国电科第二十四研究所模拟集成电路重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第7期834-838,共5页
基金
四川省科技计划(2020JDJQ0022)
国家重点研发项目(2018YFE0181500)
国家自然科学基金(61674001,61704019)资助项目。
文摘
通过0.18μm标准CMOS工艺设计并制备了一种MOS结构的硅基发光器件。该光源器件在一个n阱中设计了两个相同的PMOS,分别利用p+源/漏区与n阱形成的p+n结进行反偏雪崩击穿而发射可见光。测试结果显示,该光源器件在正偏状态下的开启电压为0.8 V,在6 V的反偏电压下发生雪崩击穿,能够发出黄色的可见光,发光频谱范围为420~780 nm。本文对比了0.5μm和2μm两个不同发光窗口宽度的测试结果,发现该光源器件在更小发光窗口具有更高的发光强度和更好的发光均匀度,该特征与发光器件的反向电流密度分布和光在金属电极间的反射有关。研究成果在片上硅基光电集成回路中具有一定的应用价值。
关键词
硅基发光器件
CMOS工艺
发光
窗口
Keywords
silicon light-emitting device
CMOS process
light window
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于锗量子点的硅基发光器件
夏金松
蒋最敏
曾成
张永
《光通信研究》
北大核心
2015
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于激子理论的硅基位错环发光器件模型参数的计算
张彬
毛陆虹
李善国
郭维廉
张世林
《天津大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
发光窗口对MOS结构硅LED电光性能的影响
吴克军
黄兴发
李则鹏
易波
赵建明
钱津超
徐开凯
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
