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硅基GaN单片功率集成电路的研制
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作者 吕树海 谭永亮 +2 位作者 默江辉 周国 付兴中 《通讯世界》 2024年第8期1-3,共3页
研制了一款基于硅基GaN工艺,包含增强型器件、耗尽型器件和整流二极管的硅基GaN单片功率集成电路,实现了逻辑驱动电路和功率器件的集成。重点对增强型器件制作工艺流程进行研究,同时,优化“T”型栅栅脚电场工艺。经过测试,硅基GaN单片... 研制了一款基于硅基GaN工艺,包含增强型器件、耗尽型器件和整流二极管的硅基GaN单片功率集成电路,实现了逻辑驱动电路和功率器件的集成。重点对增强型器件制作工艺流程进行研究,同时,优化“T”型栅栅脚电场工艺。经过测试,硅基GaN单片功率集成电路的最大电流大于600 mA。研制结果验证了全GaN工艺实现逻辑驱动电路和功率器件系统集成的可行性,为复杂功能电路的开发提供方向和思路。 展开更多
关键词 GAN 集成功率IC 增强型器件 耗尽型器件
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截止频率1.2 THz的GaN肖特基二极管及其三倍频单片集成电路
2
作者 代鲲鹏 纪东峰 +4 位作者 李俊锋 李传皓 张凯 吴少兵 章军云 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第5期384-389,F0002,共7页
通过设计不同掺杂浓度和厚度的GaN低掺杂外延层,制造了两款SiC基GaN肖特基势垒二极管(Schott⁃ky barrier diode,SBD)。结果显示在低掺杂层厚度为80 nm,掺杂浓度为8×10^(17)cm^(−3)条件下制备的GaN SBD截止频率高达1.2 THz。基于该... 通过设计不同掺杂浓度和厚度的GaN低掺杂外延层,制造了两款SiC基GaN肖特基势垒二极管(Schott⁃ky barrier diode,SBD)。结果显示在低掺杂层厚度为80 nm,掺杂浓度为8×10^(17)cm^(−3)条件下制备的GaN SBD截止频率高达1.2 THz。基于该SBD管芯制备了平衡式三倍频单片集成电路,室温下三倍频电路在305~330 GHz频段内连续波饱和输出功率大于10 mW,带内最大输出功率达25 mW,最高倍频效率达到3.3%。 展开更多
关键词 GaN肖特势垒二极管 三倍频 集成电路 太赫兹 梁式引线
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基于精确模型的毫米波单片集成电路设计
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作者 薛勇健 孙先花 《半导体情报》 1996年第2期11-15,共5页
介绍了毫米波单片集成电路设计中的两个关键技术,有源器件(如PHEMT)等效电路模型的建立和无源元件(如微带T形结、十字结、转角等)精确电磁场模型的建立,同时介绍了毫米波单片放大器的CAD设计过程。
关键词 有源器件 无源元件 建模 毫米波 集成电路
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基于太赫兹单片集成电路的560 GHz次谐波混频器设计
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作者 张宜明 张勇 +3 位作者 牛斌 代鲲鹏 张凯 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第5期390-395,共6页
基于太赫兹单片集成技术,设计并加工了一款560 GHz次谐波混频器。建立了二极管的三维电磁模型进行全波仿真,并结合二极管SPICE参数模型,获得了包括寄生参数和本征参数的二极管完整模型。基于半分部−半整体设计法对电路进行了仿真优化,... 基于太赫兹单片集成技术,设计并加工了一款560 GHz次谐波混频器。建立了二极管的三维电磁模型进行全波仿真,并结合二极管SPICE参数模型,获得了包括寄生参数和本征参数的二极管完整模型。基于半分部−半整体设计法对电路进行了仿真优化,既具有灵活性,电路整体尺寸也较小。整体电路设计在3μm厚的GaAs薄膜上,有效地抑制了高次模的传输,同时降低传输损耗。通过铺大面积的梁氏引线提供足够的应力支撑,提高电路的稳定性。实验结果表明:本振驱动功率3 mW下,混频器在520~600 GHz射频范围内变频损耗小于11 dB。 展开更多
关键词 太赫兹集成电路 次谐波混频器 肖特势垒二极管
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毫米波PHEMT功率单片集成电路研究 被引量:1
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作者 刘晨晖 张穆义 高学邦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期194-198,共5页
介绍了膺配高电子迁移率材料结构和8mm PHEMT功率器件;利用窄脉冲高速Ⅰ-Ⅴ CAT系统测量系统,建立了8mm功率PHEMT非线性模型;应用设计软件来模拟和优化毫米波功率MMIC;通过解决研制过程中各关键工艺技术,使8mm功率PHEMT单片集成电路的... 介绍了膺配高电子迁移率材料结构和8mm PHEMT功率器件;利用窄脉冲高速Ⅰ-Ⅴ CAT系统测量系统,建立了8mm功率PHEMT非线性模型;应用设计软件来模拟和优化毫米波功率MMIC;通过解决研制过程中各关键工艺技术,使8mm功率PHEMT单片集成电路的投片一次成功,并给出了测得的功率单片集成电路性能为33-34GHz,Po>100mW。 展开更多
关键词 毫米波 膺配高电子迁移率晶体管 功率 集成电路
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微波和毫米波单片集成电路(MIMIC)计划的追溯
6
作者 艾略特·科恩 《微波学报》 CSCD 北大核心 2013年第2期I0049-I0060,共12页
自美国国防部(DoD)微波和毫水波单片集成电路(microwave and millimeter—wave monolithic integrated circuits—MIMIC)计划开始至今,已经过去了四分之一个世纪。
关键词 毫米波集成电路 MIMIC 微波 integrated 美国国防部 WAVE DOD
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IBM和爱立信推出基于5G基站的硅基毫米波相控阵集成电路
7
《中国集成电路》 2017年第3期7-7,共1页
IBM和爱立信(Ericsson)日前联合发布公告,正式宣布成功推出了应用于未来5G基站的硅基毫米波相控阵集成电路。根据公告,该相控阵集成电路在28GHz毫米波频率下工作,并已经在相控阵列天线模块中成功演示,为未来5G网络铺平了道路。
关键词 相控阵列天线 集成电路 毫米波 爱立信 IBM 公告
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100GHz的单片毫米波集成电路
8
作者 李静 党冀萍 《半导体情报》 1999年第2期42-43,共2页
当前30~300GHz的毫米波应用正在增加,特别是94GHz富有吸引力的系统特性,如较小的波长、较高的隔离和较小的天线尺寸促进了对该频率下器件和系统的研究开发。有源和无源毫米波系统可用于目标探测、地形成象、通信、数据... 当前30~300GHz的毫米波应用正在增加,特别是94GHz富有吸引力的系统特性,如较小的波长、较高的隔离和较小的天线尺寸促进了对该频率下器件和系统的研究开发。有源和无源毫米波系统可用于目标探测、地形成象、通信、数据传输、水平传感器及应用于红外系统不... 展开更多
关键词 毫米波IC 集成电路 MMIC
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毫米波CMOS集成电路的现状与趋势 被引量:2
9
作者 夏立诚 王文骐 祝远渊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期197-201,共5页
随着深亚微米和纳米CMOS工艺的成熟,设计和实现低成本的毫米波CMOS集成电路已成为可能。简述了毫米波CMOS技术的发展现状,介绍了毫米波CMOS集成电路的关键技术,即晶体管建模和传输线建模,并给出了毫米波CMOS电路的最新进展和发展趋势。
关键词 毫米波 集成电路 无线通信 建模 互补金属氧化物半导体 微波集成电路
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毫米波系统中的集成电路 被引量:3
10
作者 薛良金 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期346-352,共7页
讨论了毫米波精导武器和信道化接收机中的集成电路。低成本和批量生产能力是对这类系统RF 硬件提出的主要要求。可以采用两种方式,即混合集成和单片集成来实现这些硬件。说明为了获得最好的性能价格比。
关键词 毫米波系统 集成电路 混合集成 集成
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毫米波单片集成低噪声放大器电路
11
作者 王闯 钱蓉 孙晓玮 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期11-14,共4页
基于0.25μm PHEMT(赝配高电子迁移率场效应晶体管)工艺,给出了一款毫米波MMIC(单片集成电路)低噪声放大器。放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构,通过前级源极反馈电感的恰当选取获得了较好的输入驻波比和较低的噪声... 基于0.25μm PHEMT(赝配高电子迁移率场效应晶体管)工艺,给出了一款毫米波MMIC(单片集成电路)低噪声放大器。放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构,通过前级源极反馈电感的恰当选取获得了较好的输入驻波比和较低的噪声;采用直流偏置上加电阻电容网络,用来消除低频增益和振荡;三级电路通过电阻共用一组正负电源,使用方便,且电路性能较好:输入输出驻波比小于2.0,增益大于15dB,噪声系数小于3.0dB。1dB压缩点输出功率大于15dBm,芯片尺寸为lmm×2mm×0.1mm。这是国内报导的面积最小、性能最好的毫米波低噪声放大器。 展开更多
关键词 PHEMT 毫米波 微波集成电路 低噪声放大器
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Si基微波单片集成电路的发展 被引量:1
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作者 杨建军 刘英坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期205-208,281,共5页
随着半导体制造技术和材料技术的进步,Si基微波单片集成电路逐渐向高频、高线性、低噪声、低成本方向发展。介绍了近年国内外在Si基微波单片集成电路在制造工艺、电路结构和制作材料上的革新,阐述了三维Si微波单片集成电路技术、隔离槽... 随着半导体制造技术和材料技术的进步,Si基微波单片集成电路逐渐向高频、高线性、低噪声、低成本方向发展。介绍了近年国内外在Si基微波单片集成电路在制造工艺、电路结构和制作材料上的革新,阐述了三维Si微波单片集成电路技术、隔离槽技术、Si高阻衬底技术、SiGe技术等对Si基微波单片集成电路发展的影响,并列举了一些典型的应用。最后展望了Si基微波单片集成电路的发展前景。 展开更多
关键词 微波集成电路 三维 隔离槽 高阻衬底
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8毫米GaAs功率单片集成电路
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作者 张慕义 张玉清 +2 位作者 高学邦 王勇 李岚 《半导体情报》 1997年第1期29-31,共3页
介绍了以栅宽0.4mm 器件为基础的8mm 单级单片 IC 的设计、制造及性能测试等。该单片在32~33GHz,输出功率大于100mw,增益大于3dB,最大输出功率达150mW。
关键词 毫米波 砷化镓 集成电路
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基于微缩雷达应用的硅基毫米波片上天线(英文) 被引量:1
14
作者 张我弓 SCHULZE J?rg KASPER Erich 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2019年第11期42-50,共9页
为研究小型化、微型化天线在现代无线应用中的集成趋势,对当前工艺水平下的毫米波段片上天线(AoC)设计进行了总结。从集成角度,对单片集成和混合集成的概念分别进行了优劣比较和讨论。作为一个单片集成技术方案的可靠候选,对硅基单片毫... 为研究小型化、微型化天线在现代无线应用中的集成趋势,对当前工艺水平下的毫米波段片上天线(AoC)设计进行了总结。从集成角度,对单片集成和混合集成的概念分别进行了优劣比较和讨论。作为一个单片集成技术方案的可靠候选,对硅基单片毫米波集成电路(SIMMWIC)技术进行了介绍,并给出了利用该技术实现的整流天线例子。通过单片集成的雪崩二极管发射机展示了如何利用三维电磁仿真工具设计及证明片上天线的性能,利用仿真和实际验证探讨了硅基毫米波片上天线的挑战和方法,为小型化雷达系统方案提供了一个稳固的基础。 展开更多
关键词 汽车雷达 毫米波 上天线 硅基单片毫米波集成电路 整流天线 雪崩二极管发射机 三维电磁
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微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室
15
《微波学报》 CSCD 北大核心 2010年第S2期343-343,共1页
微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室依托于中国电子科技集团第55研究所,主任高涛研究员,学术委员会主任委员郑有炓院士。重点实验室位于江苏省南京市,于1999年开始建设,2001年起试运行,2004年起正式运行。
关键词 重点实验室 微波毫米波集成电路 模块电路 微波功率器件 国家级 江苏省 研制 宽禁带 数字 原子力显微镜
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微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室
16
《微波学报》 CSCD 北大核心 2010年第S1期753-753,共1页
微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室依托于中国电子科技集团第55研究所,主任高涛研究员,学术委员会主任委员郑有炓院士。重点实验室位于江苏省南京市,于1999年开始建设。
关键词 重点实验室 微波毫米波集成电路 模块电路 国家级 江苏省 中国电子 南京市 学术委员会 微波功率器件 科技集团
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瑞萨科技高性能硅锗单片微波集成电路
17
《电子产品世界》 2006年第07X期38-39,共2页
瑞萨科技公司(Renesas Technology)推出一种用于无线局域网终端发射功率放大器的高性能2.4GHz/5GHz双模硅锗(SiGe)单片微波集成电路(MMIC)HA31010。HA31010的主要特性如下:2AGHz/5GHz双模操作,在单个芯片中集成了支持IEEE802... 瑞萨科技公司(Renesas Technology)推出一种用于无线局域网终端发射功率放大器的高性能2.4GHz/5GHz双模硅锗(SiGe)单片微波集成电路(MMIC)HA31010。HA31010的主要特性如下:2AGHz/5GHz双模操作,在单个芯片中集成了支持IEEE802.1lb/g无线局域网标准的2.4GHz频段放大器电路,和支持IEEE802.11a标准的5GHz频段放大器电路; 展开更多
关键词 微波集成电路 瑞萨科技公司 IEEE802.11A标准 IEEE802.1lb 2.4GHz频段 无线局域网标准 放大器电路 功率放大器 双模
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光纤通信用的硅单片集成电路
18
作者 杨培根 《半导体情报》 1989年第1期39-48,共10页
本文介绍有关光通信用的硅单片集成电路的特点及性能指标,并简单介绍几种超高速电路自对准工艺。
关键词 光纤通信 集成电路
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DVD/VCD光学头硅基单片集成光电探测电路的进展
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作者 卞剑涛 陈朝 《中国集成电路》 2004年第8期41-45,共5页
本文介绍了用于DVD/VCD光学读取头的光电探测集成电路(PDIC)的结构和工作原理,分析并比较了硅基PDIC的关键技术和工艺,回顾总结了近年来的研究进展与成果,展望了今后的研究发展趋势。
关键词 集成 光电探测 DVD VCD 光学头 集成电路 读取 关键技术 工作原理
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GaAs PIN二极管大功率毫米波单刀双掷开关单片 被引量:3
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作者 蒋东铭 陈新宇 +1 位作者 杨立杰 黄子乾 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期37-41,共5页
采用76.2mm(3英寸)GaAs PIN二极管工艺设计和制作了大功率毫米波单刀双掷开关单片。采用并联结构的单刀双掷开关以获得较高的功率特性。在片测试表明,在30~36GHz工作频段,开关导通支路插损1.0dB,驻波优于1.5,开关关断端口隔离度大于34d... 采用76.2mm(3英寸)GaAs PIN二极管工艺设计和制作了大功率毫米波单刀双掷开关单片。采用并联结构的单刀双掷开关以获得较高的功率特性。在片测试表明,在30~36GHz工作频段,开关导通支路插损1.0dB,驻波优于1.5,开关关断端口隔离度大于34dB。开关在导通态下输入功率0.5dB压缩点P-0.5 dB大于5W。 展开更多
关键词 毫米波 砷化镓 PIN二极管 刀双掷开关 微波集成电路
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