毫米波PHEMT功率单片集成电路研究 被引量：1

1

作者 刘晨晖 张穆义 高学邦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期194-198,共5页

介绍了膺配高电子迁移率材料结构和8mm PHEMT功率器件;利用窄脉冲高速Ⅰ-Ⅴ CAT系统测量系统,建立了8mm功率PHEMT非线性模型;应用设计软件来模拟和优化毫米波功率MMIC;通过解决研制过程中各关键工艺技术,使8mm功率PHEMT单片集成电路的... 介绍了膺配高电子迁移率材料结构和8mm PHEMT功率器件;利用窄脉冲高速Ⅰ-Ⅴ CAT系统测量系统,建立了8mm功率PHEMT非线性模型;应用设计软件来模拟和优化毫米波功率MMIC;通过解决研制过程中各关键工艺技术,使8mm功率PHEMT单片集成电路的投片一次成功,并给出了测得的功率单片集成电路性能为33-34GHz,Po>100mW。 展开更多

关键词 毫米波 膺配高电子迁移率晶体管 功率 单片集成电路

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微波和毫米波单片集成电路（MIMIC）计划的追溯

2

作者 艾略特·科恩 《微波学报》 CSCD 北大核心 2013年第2期I0049-I0060,共12页

自美国国防部（DoD）微波和毫水波单片集成电路（microwave and millimeter—wave monolithic integrated circuits—MIMIC）计划开始至今，已经过去了四分之一个世纪。

关键词 毫米波单片集成电路 MIMIC 微波 integrated 美国国防部 WAVE DOD

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毫米波CMOS集成电路的现状与趋势 被引量：2

3

作者 夏立诚 王文骐 祝远渊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期197-201,共5页

随着深亚微米和纳米CMOS工艺的成熟,设计和实现低成本的毫米波CMOS集成电路已成为可能。简述了毫米波CMOS技术的发展现状,介绍了毫米波CMOS集成电路的关键技术,即晶体管建模和传输线建模,并给出了毫米波CMOS电路的最新进展和发展趋势。

关键词 毫米波 集成电路 无线通信 建模 互补金属氧化物半导体 单片微波集成电路

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毫米波系统中的集成电路 被引量：3

4

作者 薛良金 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期346-352,共7页

讨论了毫米波精导武器和信道化接收机中的集成电路。低成本和批量生产能力是对这类系统ＲＦ 硬件提出的主要要求。可以采用两种方式，即混合集成和单片集成来实现这些硬件。说明为了获得最好的性能价格比。

关键词 毫米波系统 集成电路 混合集成 单片集成

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毫米波单片集成低噪声放大器电路

5

作者 王闯 钱蓉 孙晓玮 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期11-14,共4页

基于0．25μm PHEMT（赝配高电子迁移率场效应晶体管）工艺，给出了一款毫米波MMIC（单片集成电路）低噪声放大器。放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构，通过前级源极反馈电感的恰当选取获得了较好的输入驻波比和较低的噪声... 基于0．25μm PHEMT（赝配高电子迁移率场效应晶体管）工艺，给出了一款毫米波MMIC（单片集成电路）低噪声放大器。放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构，通过前级源极反馈电感的恰当选取获得了较好的输入驻波比和较低的噪声；采用直流偏置上加电阻电容网络，用来消除低频增益和振荡；三级电路通过电阻共用一组正负电源，使用方便，且电路性能较好：输入输出驻波比小于2．0，增益大于15dB，噪声系数小于3．0dB。1dB压缩点输出功率大于15dBm，芯片尺寸为lmm×2mm×0．1mm。这是国内报导的面积最小、性能最好的毫米波低噪声放大器。 展开更多

关键词 PHEMT 毫米波 微波单片集成电路 低噪声放大器

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Si基微波单片集成电路的发展 被引量：1

6

作者 杨建军 刘英坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期205-208,281,共5页

随着半导体制造技术和材料技术的进步,Si基微波单片集成电路逐渐向高频、高线性、低噪声、低成本方向发展。介绍了近年国内外在Si基微波单片集成电路在制造工艺、电路结构和制作材料上的革新,阐述了三维Si微波单片集成电路技术、隔离槽... 随着半导体制造技术和材料技术的进步,Si基微波单片集成电路逐渐向高频、高线性、低噪声、低成本方向发展。介绍了近年国内外在Si基微波单片集成电路在制造工艺、电路结构和制作材料上的革新,阐述了三维Si微波单片集成电路技术、隔离槽技术、Si高阻衬底技术、SiGe技术等对Si基微波单片集成电路发展的影响,并列举了一些典型的应用。最后展望了Si基微波单片集成电路的发展前景。 展开更多

关键词 硅基微波单片集成电路 三维 隔离槽 硅高阻硅衬底 锗硅

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基于微缩雷达应用的硅基毫米波片上天线（英文） 被引量：1

7

作者 张我弓 SCHULZE J?rg KASPER Erich 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2019年第11期42-50,共9页

为研究小型化、微型化天线在现代无线应用中的集成趋势,对当前工艺水平下的毫米波段片上天线(AoC)设计进行了总结。从集成角度,对单片集成和混合集成的概念分别进行了优劣比较和讨论。作为一个单片集成技术方案的可靠候选,对硅基单片毫... 为研究小型化、微型化天线在现代无线应用中的集成趋势,对当前工艺水平下的毫米波段片上天线(AoC)设计进行了总结。从集成角度,对单片集成和混合集成的概念分别进行了优劣比较和讨论。作为一个单片集成技术方案的可靠候选,对硅基单片毫米波集成电路(SIMMWIC)技术进行了介绍,并给出了利用该技术实现的整流天线例子。通过单片集成的雪崩二极管发射机展示了如何利用三维电磁仿真工具设计及证明片上天线的性能,利用仿真和实际验证探讨了硅基毫米波片上天线的挑战和方法,为小型化雷达系统方案提供了一个稳固的基础。 展开更多

关键词 汽车雷达 毫米波 片上天线 硅基单片毫米波集成电路 整流天线 雪崩二极管发射机 三维电磁

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微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室

8

《微波学报》 CSCD 北大核心 2010年第S2期343-343,共1页

微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室依托于中国电子科技集团第55研究所,主任高涛研究员,学术委员会主任委员郑有炓院士。重点实验室位于江苏省南京市,于1999年开始建设,2001年起试运行,2004年起正式运行。

关键词 重点实验室 微波毫米波单片集成电路 模块电路 微波功率器件 国家级 江苏省 研制 宽禁带 数字 原子力显微镜

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微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室

9

《微波学报》 CSCD 北大核心 2010年第S1期753-753,共1页

微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室依托于中国电子科技集团第55研究所,主任高涛研究员,学术委员会主任委员郑有炓院士。重点实验室位于江苏省南京市,于1999年开始建设。

关键词 重点实验室 微波毫米波单片集成电路 模块电路 国家级 江苏省 中国电子 南京市 学术委员会 微波功率器件 科技集团

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用于单片集成传感系统的多晶硅级联自发光器件研究

10

作者 唐宇 罗谦 +2 位作者 刘斯扬 SNYMAN Lukas W 徐开凯 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期180-188,共9页

针对全硅光电生物传感器的硅基单片集成应用需求,提出了基于多晶硅级联自发光器件的单片集成传感器,对其中作为关键部分的多晶硅光源进行了试制,采用标准0.35μm的CMOS工艺对该光源进行了流片验证,并设计了适配的全硅波导检测结构。结... 针对全硅光电生物传感器的硅基单片集成应用需求,提出了基于多晶硅级联自发光器件的单片集成传感器,对其中作为关键部分的多晶硅光源进行了试制,采用标准0.35μm的CMOS工艺对该光源进行了流片验证,并设计了适配的全硅波导检测结构。结果表明,多晶硅光源发光特征峰为635 nm、700 nm和785 nm,该特征峰作为波导入射光源时,设计的全硅波导检测结构能够实现检测目的。 展开更多

关键词 单片集成 硅基光源 氮化硅波导 生物传感器 折射率传感

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基于平面肖特基二极管的平衡式亚毫米波倍频器芯片 被引量：1

11

作者 孟范忠 毕胜赢 +2 位作者 陈艳 周国 方园 《微波学报》 CSCD 北大核心 2021年第3期64-67,共4页

基于标准的平面肖特基二极管单片工艺设计了一款平衡式亚毫米波倍频单片集成电路。依据二极管实际结构进行电磁建模,提取了器件寄生参数,并与实测的器件本征参数相结合获得了二极管非线性模型;依据该模型,采用平衡式拓扑结构以实现良好... 基于标准的平面肖特基二极管单片工艺设计了一款平衡式亚毫米波倍频单片集成电路。依据二极管实际结构进行电磁建模,提取了器件寄生参数,并与实测的器件本征参数相结合获得了二极管非线性模型;依据该模型,采用平衡式拓扑结构以实现良好的基波抑制,设计了三线耦合巴伦电桥,并与肖特基二极管集成在同一芯片上,实现了单片集成,提高了设计准确度。芯片在片测试结果表明,在输入功率17 dBm下,输入频率75~105 GHz范围内,倍频器芯片峰值输出功率达到2.67 dBm。芯片整体尺寸为0.80 mm×0.50 mm。 展开更多

关键词 平面肖特基二极管 三线耦合巴伦 平衡式倍频器 单片集成电路

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毫米波超宽带大功率单片单刀双掷开关 被引量：1

12

作者 刘会东 魏洪涛 +1 位作者 吴洪江 高学邦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期581-584,共4页

采用GaAs pin工艺设计和制作了毫米波超宽带大功率单刀双掷开关单片集成电路。在GaAs pin二极管建模阶段充分考虑寄生效应对模型的影响,获得高精度模型;在电路设计阶段采用GaAs pin二极管单级并联结构,提高功率特性;在工艺加工阶段调整p... 采用GaAs pin工艺设计和制作了毫米波超宽带大功率单刀双掷开关单片集成电路。在GaAs pin二极管建模阶段充分考虑寄生效应对模型的影响,获得高精度模型;在电路设计阶段采用GaAs pin二极管单级并联结构,提高功率特性;在工艺加工阶段调整p+层、n+层的掺杂浓度和i层的厚度,获得低损耗、高功率特性的GaAs pin二极管;最终制备的单刀双掷开关芯片在片测试表明,在25～40 GHz范围内插入损耗小于1.0 dB,隔离度大于25 dB,输入输出电压驻波比小于2.0∶1,具有优异的宽带小信号特性;35 GHz下承受功率高达34 dBm,具有非常好的功率特性。 展开更多

关键词 毫米波 单刀双掷(SPDT) 砷化镓 PIN二极管 微波单片集成电路(MMIC)

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单片集成硅光接收器中p-i-n硅光电探测器的进展 被引量：2

13

作者 郭辉 郭维廉 +1 位作者 吴霞宛 陈迪平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第10期52-57,共6页

介绍了单片集成硅光接收器的研究背景、硅光电探测器工作机理以及它对实现高性能单片集成硅光接收器的影响，回顾总结了近年来的研究进展，并报道了我们的研究结果，展望了今后的发展。

关键词 单片集成电路 p-i-n硅光电探测器 SOI 单片集成硅光接收器

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一种基于双级支线功分/功合网络的毫米波固态功率放大器 被引量：2

14

作者 恽小华 孙琳琳 +1 位作者 楚然 申明磊 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第B12期2347-2349,共3页

本文综合考虑影响合成效率的因素以及毫米波段的工艺精度，设计了一种改进型的双级支线功分／功合网络，改善了驻波比和幅相特性，保证了良好的合成效率．并在此基础上，研制了一种高性能的毫米波固态功率放大器，在38～40GH：的通带内... 本文综合考虑影响合成效率的因素以及毫米波段的工艺精度，设计了一种改进型的双级支线功分／功合网络，改善了驻波比和幅相特性，保证了良好的合成效率．并在此基础上，研制了一种高性能的毫米波固态功率放大器，在38～40GH：的通带内，实现34．8dBm输出功率，55dB增益的良好电性能，具有结构简单、加工简易等特点. 展开更多

关键词 毫米波 功率分配/合成 微波单片集成电路 固态功率放大器

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毫米波矢量调制器芯片的设计和测试 被引量：2

15

作者 侯阳 吴亮 +1 位作者 钱蓉 孙晓玮 《电子测量与仪器学报》 CSCD 2009年第S1期332-336,共5页

矢量调制器芯片作为一种可以直接对载波同时进行幅度和相位调制的新型电路,是目前毫米波通信和雷达系统中的一个研究热点。本文首先利用Agilent ADS软件仿真设计了一款工作在Ka波段的毫米波矢量调制器芯片,并基于先进的GaAs pHEMT工艺... 矢量调制器芯片作为一种可以直接对载波同时进行幅度和相位调制的新型电路,是目前毫米波通信和雷达系统中的一个研究热点。本文首先利用Agilent ADS软件仿真设计了一款工作在Ka波段的毫米波矢量调制器芯片,并基于先进的GaAs pHEMT工艺线流片成功。同时完整的提出了矢量调制器芯片的测试系统和测试流程,利用Agilent的四款仪器设备搭建了一个芯片测试平台,实际测量结果显示,测试系统稳定可靠,该款芯片的各项指标均达到国际先进水平。 展开更多

关键词 毫米波芯片测试 单片集成电路 矢量调制器

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毫米波GaN基HEMT功率MMIC 被引量：1

16

作者 宋建博 方家兴 +4 位作者 程知群 崔玉兴 张力江 付兴昌 高学邦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期417-420,454,共5页

基于标准的Si C衬底Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺研制了毫米波段单片微波集成电路（MMIC）芯片。首先采用插入隔离层的方式得到复合沟道AlxGa1-xN/Al N/AlyGa1-yN/GaN HEMT结构。以EEHEMT模型作为粗糙模型,采用神经空间路... 基于标准的Si C衬底Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺研制了毫米波段单片微波集成电路（MMIC）芯片。首先采用插入隔离层的方式得到复合沟道AlxGa1-xN/Al N/AlyGa1-yN/GaN HEMT结构。以EEHEMT模型作为粗糙模型,采用神经空间路线图的方法建立了人工神经网络模型,更好地表征了器件特性,提高了模型在毫米波下的精度。基于器件模型,进行了毫米波MMIC的设计,运用网络综合设计出简洁的电路拓扑和最优的宽带性能。芯片工艺采用0.2μm介质栅场板结构提高器件的微波性能。研制的2级功率MMIC在27-30 GHz频段,工作电压25 V时,输出功率大于2.6 W,功率附加效率大于15%,功率增益大于9 d B。 展开更多

关键词 氮化镓 毫米波 模型 功率单片微波集成电路(MMIC) 人工神经网络

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绝缘体上硅功率半导体单芯片集成技术 被引量：1

17

作者 张龙 刘斯扬 +5 位作者 孙伟锋 马杰 盘成务 何乃龙 张森 苏巍 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期514-526,共13页

利用单芯片集成技术制造的智能功率芯片具有体积小、寄生小、损耗低等方面的优势,其技术难度远高于传统的多芯片、单封装形式的智能功率模块.本文首先介绍了单片智能功率芯片的架构与技术需求;然后,探讨了绝缘体上硅功率半导体单芯片集... 利用单芯片集成技术制造的智能功率芯片具有体积小、寄生小、损耗低等方面的优势,其技术难度远高于传统的多芯片、单封装形式的智能功率模块.本文首先介绍了单片智能功率芯片的架构与技术需求;然后,探讨了绝缘体上硅功率半导体单芯片集成的工艺流程和器件类型;接着,总结了高压横向IGBT器件技术、续流二极管器件技术、LDMOS器件技术的特征和效果;此外,还讨论了单片智能功率芯片的相关可靠性问题,包括高压互连线效应和低温雪崩不稳定.本课题组在功率半导体集成型器件的电流能力、关断速度、短路承受能力、反向恢复峰值电流、安全工作区、高压互连线屏蔽、低温可靠性等关键特性优化或可靠性提升方面进行了自主创新,构建了基于绝缘体上硅的功率半导体单芯片集成技术,并成功研制了单片智能功率芯片. 展开更多

关键词 功率半导体 绝缘体上硅 单片集成 功率集成电路 功率器件

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采用Ti/TiW/Au栅制作Si衬底上CaAs MESFET与集成电路

18

作者 李明祥 童勤义 庄庆德 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期37-40,共4页

本文从制备硅集成电路(SiIc)与砷化镓集成电路(GaAs IC)单片兼容电路的要求出发,提出了Ti/TiW/Au肖特基金属化结构,制备出了性能良好的Ti/TiW/Au栅Si衬底上分子束外延(MBE)的GaAsMESFET与GaAs IC。

关键词 硅衬底 集成电路 砷化镓 兼容 单片

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毫米波矢量调制器及其在有源相控阵天线中的应用 被引量：8

19

作者 韩克武 杨明辉 +3 位作者 孙芸 李凌云 侯阳 孙晓玮 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期425-428,474,共5页

矢量调制器芯片作为一种可以同时对载波进行相位和幅度调制的新型电路,能够替代传统的数字移相器和数字衰减器用在有源相控阵系统中.先设计了一款工作在Ka波段毫米波单片矢量调制器,在片测试结果显示可以实现-12～-40 dB的幅度调制与360... 矢量调制器芯片作为一种可以同时对载波进行相位和幅度调制的新型电路,能够替代传统的数字移相器和数字衰减器用在有源相控阵系统中.先设计了一款工作在Ka波段毫米波单片矢量调制器,在片测试结果显示可以实现-12～-40 dB的幅度调制与360°的相位调制.然后设计了一个Ka波段1×8阵有源相控阵天线,改变矢量调制器的控制电压,成功实现了波束扫描功能,验证了基于矢量调制技术的有源相控阵的可行性. 展开更多

关键词 毫米波 单片集成电路 矢量调制器 有源相控阵

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用于被动式毫米波成像的小型化Ka波段接收机(英文) 被引量：3

20

作者 关福宏 杨明辉 +3 位作者 许杰 钱蓉 时翔 孙晓玮 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期241-244,共4页

研制了一种工作于Ka波段用于被动式毫米波成像的基于单片微波集成电路(MMIC)的小型化接收机.该接收机主要由毫米波宽带低噪声放大器模块、毫米波小信号二极管检波器和视频放大电路组成.设计、制作、测试了接收机各个组成模块,对接收机... 研制了一种工作于Ka波段用于被动式毫米波成像的基于单片微波集成电路(MMIC)的小型化接收机.该接收机主要由毫米波宽带低噪声放大器模块、毫米波小信号二极管检波器和视频放大电路组成.设计、制作、测试了接收机各个组成模块,对接收机的整体特性进行了测试.测试结果表明,该接收机的有效带宽约为7.4GHz、噪声小于3.8dB、增益约为30dB.应用喇叭天线和该接收机获得的一些毫米波图像表明,该接收机可以应用于被动毫米波成像. 展开更多

关键词 被动式毫米波成像 毫米波接收机 单片微波集成电路

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