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题名硅基半导体功放模块邻道干扰特性优化方法
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作者
张立强
宋贺伦
吴菲
茹占强
张耀辉
赵景泰
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机构
上海大学材料科学与工程学院
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2019年第5期290-294,共5页
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基金
国家重点研发计划(2016YFE0129400)
中国科学院青年创新促进会(2016290)
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文摘
基于硅基半导体器件的功放模块,由于器件本身物理结构特性引起的功放开关时间以及开关时上升沿、下降沿斜率的控制不当,导致调制邻道功率(Modulation of Adjacent Channel Power,ACP)以及瞬态切换邻道功率(Adjacent channel transient power,ACTP)较差,从而引起邻道干扰。针对硅基半导体器件功放模块在数字对讲机中的应用,创造性地提出了一种新的方法,对功放栅极偏置电路优化,从理论上分析和推导出功放开关时间以及开关时上升沿、下降沿斜率对ACP以及ACTP的影响,并在实际应用中通过适当调节对讲机功放模块栅极偏置电路电容以及串联电阻,实现了功放开关的上升沿以及下降沿斜率调节。实验结果表明:该方法在不影响功放输出功率以及效率的前提下,当信道间隔为12.5 kHz时,ACP<-60 dBc,ACTP<-50 d Bc,有效改善了ACP、ACTP的性能,具有一定的实际意义和应用价值。
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关键词
硅基半导体器件
数字对讲机
调制邻道功率
瞬态切换邻道功率
偏置电路
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Keywords
silicon based semiconductor devices
digital two-way radio
modulation of adjacent channel power
adjacent channel transient power
bias circuit
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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