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题名先进硅基前驱体的应用研究与技术进展
被引量：4
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作者
常欣
万烨
赵雄
严大洲
袁振军
郭树虎
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机构
多晶硅制备技术国家工程实验室
洛阳中硅高科技有限公司
中国恩菲工程技术有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第6期409-418,共10页
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基金
河南省科技人才研发专项资助项目(174200510014)
郑洛新国家自主创新示范区创新引领型产业集群专项资助项目(181200212700)。
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文摘
前驱体材料广泛应用于集成电路的关键工艺中,如外延、光刻、化学气相沉积以及原子层沉积。其中硅基前驱体是重要且用量较大的一个分支,近年来一直是先进集成电路材料领域研究的热点之一。以集成电路制造工艺和器件结构的技术发展为基础,综述了业界几种较为流行的硅基前驱体材料的结构与性能,其中包括二氯硅烷(DCS)、乙硅烷(DS)、八甲基环四硅氧烷(OMCTS)、四甲基硅烷(4MS)、六氯乙硅烷(HCDS)、双(叔丁氨基)硅烷(BTBAS)、双(二乙氨基)硅烷(BDEAS)、三(二甲胺基)硅烷(3DMAS)和三甲硅烷基胺(TSA)。系统介绍了硅基前驱体的应用现状和研究进展,并对其合成和提纯工艺进行了探讨。
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关键词
集成电路(IC)
硅基前驱体
化学气相沉积(CVD)
原子层沉积
提纯工艺
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Keywords
integrated circuit(IC)
silicon-based precursor
chemical vapor deposition(CVD)
atomic layer deposition
purification process
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
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题名高纯三甲硅烷基胺制备工艺的技术进展
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作者
董玉成
王新鹏
郭永洁
杨振建
陈建永
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机构
天津绿菱气体有限公司
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出处
《低温与特气》
CAS
2023年第4期1-5,共5页
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文摘
三甲硅烷基胺是集成电路制造中重要的硅基前驱体,广泛用于高深宽比结构的硅介电膜沉积。介绍了合成三甲硅烷基胺的相关反应原理,综述了高纯三甲硅烷基胺的制备工艺,分析了各自的优点及不足,并展望了未来的发展趋势。
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关键词
三甲硅烷基胺
硅基前驱体
先进制程
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Keywords
trisilylamine
silicon-based precursor
advanced manufacturing process
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
TQ117
[化学工程—无机化工]
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