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硅基光功率监测技术的最新进展
被引量：
1
1
作者
卫欢
余辉
+6 位作者
邵海峰
李霞
李燕
姜建飞
秦晨
叶乔波
江晓清
《光通信研究》
北大核心
2015年第6期20-29,共10页
随着集成光路复杂度的增加,需要在不影响系统正常工作的情况下,在链路内使用光功率监测器对集成光路进行实时监测,有效地进行器件行为分析。文章综述了硅基光功率监测器的最新研究进展。重点阐述了表面态吸收、双光子吸收、锗吸收以及...
随着集成光路复杂度的增加,需要在不影响系统正常工作的情况下,在链路内使用光功率监测器对集成光路进行实时监测,有效地进行器件行为分析。文章综述了硅基光功率监测器的最新研究进展。重点阐述了表面态吸收、双光子吸收、锗吸收以及缺陷态吸收机制下的光功率监测方案以及各自的优缺点,最后详细讨论了利用缺陷态吸收机制实现光电转换的巨大优势。
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关键词
硅基光电子器件
光
功率监测器
光
电探测器
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职称材料
光电导型混晶Si_(1-x)Ge_x波导探测器
被引量：
1
2
作者
庄婉如
郑有炓
+2 位作者
朱顺明
刘夏冰
黄永箴
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2000年第5期39-42,共4页
首次报导了光电导型混晶Si1-xGex 波导探测器。混晶Si1-xGex 是在硅基SiON/SiO2 /Si上用快速加热超低压化学气相淀积生长并经 6 50℃退火 30min得到的。探测器宽 10 μm ,长 2mm。探测器加上 2 0V偏置电压时 ,探测灵敏度在 0 0 2 2～ 0...
首次报导了光电导型混晶Si1-xGex 波导探测器。混晶Si1-xGex 是在硅基SiON/SiO2 /Si上用快速加热超低压化学气相淀积生长并经 6 50℃退火 30min得到的。探测器宽 10 μm ,长 2mm。探测器加上 2 0V偏置电压时 ,探测灵敏度在 0 0 2 2～ 0 0 10A/W之间。混晶Si1-xGex 造成探测器的光谱响应曲线发生蓝移。当锗组分x =0 35、 0 4、0 5、和 0 6时 ,探测器峰值波长分别对应为 875nm、 892nm、 938nm和 984nm。这种探测器有望能直接制作在硅基SiO2 波导元器件的尾端上 ,可用于光互连和光数据处理。
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关键词
硅基光电子器件
光
探测器
光
电子
集成
半导体
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职称材料
西安交通大学微电子研究所
3
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期44-44,共1页
关键词
西安交通大学微
电子
研究所
集成电路
半导体
器件
硅基光电子器件
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职称材料
题名
硅基光功率监测技术的最新进展
被引量：
1
1
作者
卫欢
余辉
邵海峰
李霞
李燕
姜建飞
秦晨
叶乔波
江晓清
机构
浙江大学信息电子与工程学院
出处
《光通信研究》
北大核心
2015年第6期20-29,共10页
基金
国家"九七三"计划资助项目(2013CB632105)
国家自然科学基金资助项目(61177055
+2 种基金
61307074)
浙江省杰出青年科学基金资助项目(LR15F050002)
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目
文摘
随着集成光路复杂度的增加,需要在不影响系统正常工作的情况下,在链路内使用光功率监测器对集成光路进行实时监测,有效地进行器件行为分析。文章综述了硅基光功率监测器的最新研究进展。重点阐述了表面态吸收、双光子吸收、锗吸收以及缺陷态吸收机制下的光功率监测方案以及各自的优缺点,最后详细讨论了利用缺陷态吸收机制实现光电转换的巨大优势。
关键词
硅基光电子器件
光
功率监测器
光
电探测器
Keywords
silicon-based photoelectric device
optical power monitor
photoelectric detector
分类号
TN256 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
光电导型混晶Si_(1-x)Ge_x波导探测器
被引量：
1
2
作者
庄婉如
郑有炓
朱顺明
刘夏冰
黄永箴
机构
中国科学院半导体研究所集成光电子国家实验室
南京大学物理系
出处
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2000年第5期39-42,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目!( 6963 60 10 )
文摘
首次报导了光电导型混晶Si1-xGex 波导探测器。混晶Si1-xGex 是在硅基SiON/SiO2 /Si上用快速加热超低压化学气相淀积生长并经 6 50℃退火 30min得到的。探测器宽 10 μm ,长 2mm。探测器加上 2 0V偏置电压时 ,探测灵敏度在 0 0 2 2～ 0 0 10A/W之间。混晶Si1-xGex 造成探测器的光谱响应曲线发生蓝移。当锗组分x =0 35、 0 4、0 5、和 0 6时 ,探测器峰值波长分别对应为 875nm、 892nm、 938nm和 984nm。这种探测器有望能直接制作在硅基SiO2 波导元器件的尾端上 ,可用于光互连和光数据处理。
关键词
硅基光电子器件
光
探测器
光
电子
集成
半导体
Keywords
SiGe, Optoelectronic devices on Si based, Photodetector, OEIC
分类号
TN25 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
西安交通大学微电子研究所
3
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期44-44,共1页
关键词
西安交通大学微
电子
研究所
集成电路
半导体
器件
硅基光电子器件
分类号
G482 [文化科学—教育技术学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅基光功率监测技术的最新进展
卫欢
余辉
邵海峰
李霞
李燕
姜建飞
秦晨
叶乔波
江晓清
《光通信研究》
北大核心
2015
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
光电导型混晶Si_(1-x)Ge_x波导探测器
庄婉如
郑有炓
朱顺明
刘夏冰
黄永箴
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2000
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
西安交通大学微电子研究所
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
统计分析
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