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光电集成与器件
1
《中国光学》
EI
CAS
2002年第4期50-50,共1页
TN256 2002042749SOI 集成光电子器件=SOI - based optoelectronicdevices[刊,中]/魏红振,余金中,张小峰(中科院半导体所集成光电子国家重点实验室.北京(100083)),刘忠立(中科院半导体所微电子中心.北京(100083)),史伟,
关键词
半
导
体
光电子
器件
国家重点实验室
光开关
中科院
光电集成
硅
基
二氧化
硅
光波
导
器件
光谱宽度
光电子技术
微电子
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职称材料
一种新型SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器的设计
被引量:
2
2
作者
严清峰
余金中
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期555-558,共4页
在超紧缩双曲锥形 3dB多模干涉耦合器的基础上 ,设计了一种新的Silicon on insulator(SOI)Mach Zehnder干涉型电光调制器 与传统的Y分支器相比 ,双曲锥形 3dB耦合器的制作容差大 ,而长度缩短了近 30 % ,使得整个器件的尺寸大幅减小 ...
在超紧缩双曲锥形 3dB多模干涉耦合器的基础上 ,设计了一种新的Silicon on insulator(SOI)Mach Zehnder干涉型电光调制器 与传统的Y分支器相比 ,双曲锥形 3dB耦合器的制作容差大 ,而长度缩短了近 30 % ,使得整个器件的尺寸大幅减小 调制区采用横向注入的PIN结构 ,模拟结果表明 :当外加偏压为 0 .86V时 ,器件的调制深度最大 ,此时注入电流为 13.2mA ,对应的器件功耗为 11.
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关键词
SOI
Mach-Zehnder干涉型电光调制器
多模干涉耦合器
等离子色散效应
硅基光波导器件
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职称材料
题名
光电集成与器件
1
出处
《中国光学》
EI
CAS
2002年第4期50-50,共1页
文摘
TN256 2002042749SOI 集成光电子器件=SOI - based optoelectronicdevices[刊,中]/魏红振,余金中,张小峰(中科院半导体所集成光电子国家重点实验室.北京(100083)),刘忠立(中科院半导体所微电子中心.北京(100083)),史伟,
关键词
半
导
体
光电子
器件
国家重点实验室
光开关
中科院
光电集成
硅
基
二氧化
硅
光波
导
器件
光谱宽度
光电子技术
微电子
分类号
TN256 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一种新型SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器的设计
被引量:
2
2
作者
严清峰
余金中
机构
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期555-558,共4页
基金
国家自然科学重大基金 ( 69990 5 40
698962 60 )
"九七三"(G2 0 0 0 0 3 66)资助项目
文摘
在超紧缩双曲锥形 3dB多模干涉耦合器的基础上 ,设计了一种新的Silicon on insulator(SOI)Mach Zehnder干涉型电光调制器 与传统的Y分支器相比 ,双曲锥形 3dB耦合器的制作容差大 ,而长度缩短了近 30 % ,使得整个器件的尺寸大幅减小 调制区采用横向注入的PIN结构 ,模拟结果表明 :当外加偏压为 0 .86V时 ,器件的调制深度最大 ,此时注入电流为 13.2mA ,对应的器件功耗为 11.
关键词
SOI
Mach-Zehnder干涉型电光调制器
多模干涉耦合器
等离子色散效应
硅基光波导器件
Keywords
Electrooptical modulator
Plasma dispersion effect
SOI
Multimode interference coupler
Mach-Zehnder interferometer
分类号
TN252 [电子电信—物理电子学]
TN761 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
光电集成与器件
《中国光学》
EI
CAS
2002
0
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职称材料
2
一种新型SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器的设计
严清峰
余金中
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
2
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职称材料
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参考文献
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