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光电集成与器件
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《中国光学》 EI CAS 2002年第4期50-50,共1页
TN256 2002042749SOI 集成光电子器件=SOI - based optoelectronicdevices[刊,中]/魏红振,余金中,张小峰(中科院半导体所集成光电子国家重点实验室.北京(100083)),刘忠立(中科院半导体所微电子中心.北京(100083)),史伟,
关键词 光电子器件 国家重点实验室 光开关 中科院 光电集成 二氧化光波器件 光谱宽度 光电子技术 微电子
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一种新型SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器的设计 被引量:2
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作者 严清峰 余金中 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期555-558,共4页
在超紧缩双曲锥形 3dB多模干涉耦合器的基础上 ,设计了一种新的Silicon on insulator(SOI)Mach Zehnder干涉型电光调制器 与传统的Y分支器相比 ,双曲锥形 3dB耦合器的制作容差大 ,而长度缩短了近 30 % ,使得整个器件的尺寸大幅减小 ... 在超紧缩双曲锥形 3dB多模干涉耦合器的基础上 ,设计了一种新的Silicon on insulator(SOI)Mach Zehnder干涉型电光调制器 与传统的Y分支器相比 ,双曲锥形 3dB耦合器的制作容差大 ,而长度缩短了近 30 % ,使得整个器件的尺寸大幅减小 调制区采用横向注入的PIN结构 ,模拟结果表明 :当外加偏压为 0 .86V时 ,器件的调制深度最大 ,此时注入电流为 13.2mA ,对应的器件功耗为 11. 展开更多
关键词 SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器 多模干涉耦合器 等离子色散效应 硅基光波导器件
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