基于硅基三维异构集成技术的宽带双通道TR微系统研究

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作者 陈东博 赵宇 +2 位作者 高艳红 李晓林 刘星 《通讯世界》 2024年第12期1-3,共3页

为满足相控阵系统高容量和高效率的需求,对基于硅基三维异构集成技术的宽带双通道收发(TR)微系统进行研究。结合硅基板及硅通孔(TSV)金属化、无源结构集成(IPD)、硅腔芯片内埋置等技术,研制了一种高集成、小型化的6 GHz~18 GHz频段宽带... 为满足相控阵系统高容量和高效率的需求,对基于硅基三维异构集成技术的宽带双通道收发(TR)微系统进行研究。结合硅基板及硅通孔(TSV)金属化、无源结构集成(IPD)、硅腔芯片内埋置等技术,研制了一种高集成、小型化的6 GHz~18 GHz频段宽带双通道TR微系统,尺寸为12.0 mm×9.0 mm×2.8 mm,净重为0.8 g,与传统砖式组件相比,该TR微系统体积和重量至少减少1/10。测试结果表明,该TR微系统接收通道增益大于4 dB,回波损耗小于-15 dB;发射通道增益大于6 dB,回波损耗小于-15 dB;接收通道衰减均方根误差小于0.5 dB,移相均方根误差小于5°;发射通道移相均方根误差小于5°。系统测试验证了该设计方案的可行性,能够为相关工程提供参考。 展开更多

关键词 硅基三维异构集成技术 宽带 TR微系统 相控阵系统

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一种硅基三维异构集成W波段T/R组件的设计

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作者 林朋 高艳红 冯文杰 《电讯技术》 北大核心 2025年第4期608-613,共6页

针对W波段毫米波雷达的应用需求,采用硅基微电机系统(Micro-electromechanical System,MEMS)异构集成技术研制了一款高集成度W波段相控阵瓦片式T/R组件。该组件将多个单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuits,MMIC)... 针对W波段毫米波雷达的应用需求,采用硅基微电机系统(Micro-electromechanical System,MEMS)异构集成技术研制了一款高集成度W波段相控阵瓦片式T/R组件。该组件将多个单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuits,MMIC)进行硅腔埋置,并将其与基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide,SIW)结构的带通滤波器等无源结构进行一体化集成,设计了共面波导(Co-planar Waveguide,CPW)-SIW-CPW的射频穿墙结构,内部采用硅通孔(Through Silicon Via,TSV)实现互连。通过多层硅基板圆片级键合技术,组件最终实现了8层硅基堆叠的低损耗气密性封装。在装配完成后对该模块进行测试,在92~94 GHz内,饱和发射功率为29 dBm,单通道发射增益达到27 dB,接收增益为20 dB。该组件尺寸为9 mm×15 mm×1 mm,在4通道高密度集成的基础上实现了较高的性能,具有广阔的应用前景。 展开更多

关键词 相控阵雷达 瓦片式T/R组件 W波段 MMIC异构集成 硅基三维封装

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一种基于硅基MEMS三维异构集成技术的T/R组件

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作者 陈兴 张超 +1 位作者 李晓林 赵永志 《太赫兹科学与电子信息学报》 2024年第3期331-336,共6页

基于硅基微电子机械系统(MEMS)三维异构集成工艺,设计并制作了用于相控阵天线系统的三维堆叠式Ku波段双通道T/R组件。该组件由两层硅基结构通过球栅阵列(BGA)植球堆叠而成,上下两层硅基封装均采用5层硅片通过硅通孔(TSV)、晶圆级键合工... 基于硅基微电子机械系统(MEMS)三维异构集成工艺,设计并制作了用于相控阵天线系统的三维堆叠式Ku波段双通道T/R组件。该组件由两层硅基结构通过球栅阵列(BGA)植球堆叠而成,上下两层硅基封装均采用5层硅片通过硅通孔(TSV)、晶圆级键合工艺实现。组件集成了六位数控移相、六位数控衰减、串转并、电源调制、逻辑控制等功能,最终组件尺寸仅为15 mm×8 mm×3.8 mm。测试结果表明,在Ku波段内,该组件发射通道饱和输出功率大于24 dBm,单通道发射增益大于20 dB,接收通道增益大于20 dB,噪声系数小于3.0 dB。该组件性能好,质量轻,体积小,加工精确度高,组装效率高。 展开更多

关键词 微系统 硅基MEMS 收发组件 三维集成

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硅基三维异构集成射频微系统的多物理场耦合仿真与设计

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作者 张睿 朱旻琦 +6 位作者 杨兵 冯政森 王辂 张先荣 陆宇 蔡源 邱钊 《电子技术应用》 2024年第5期1-6,共6页

利用硅基三维异构集成工艺设计一款射频微系统,以满足设备对射频模组高性能、小型化的需求。为了在设计初期充分评估该微系统的潜在可靠性风险,根据工艺特征以及产品在多物理场中的耦合现象,建立一种面向硅基三维异构集成工艺射频微系... 利用硅基三维异构集成工艺设计一款射频微系统,以满足设备对射频模组高性能、小型化的需求。为了在设计初期充分评估该微系统的潜在可靠性风险,根据工艺特征以及产品在多物理场中的耦合现象,建立一种面向硅基三维异构集成工艺射频微系统的多物理场一体化仿真流程,逐一分析所涉及的电-热耦合和热-力耦合过程,预判产品在工作条件下的热学和力学特性,为设计环节提供针对性的指导,预先规避可靠性风险,从而有效提高一次性设计成功率。 展开更多

关键词 硅基三维异构集成射频微系统 多物理场耦合仿真 电-热耦合 热-力耦合

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基于三维异构集成技术的X波段4通道收发模组

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作者 李晓林 高艳红 +1 位作者 赵宇 许春良 《太赫兹科学与电子信息学报》 2024年第5期575-579,共5页

基于硅基微电子机械系统(MEMS)三维异构集成工艺,设计了一款适用于相控阵天线系统的三维堆叠4通道T/R模组。模组由3层功能芯片堆叠而成,3层功能芯片之间采用贯穿硅通孔(TSV)和球栅阵列实现电气互连;模组集成了6位数控移相、6位数控衰减... 基于硅基微电子机械系统(MEMS)三维异构集成工艺,设计了一款适用于相控阵天线系统的三维堆叠4通道T/R模组。模组由3层功能芯片堆叠而成,3层功能芯片之间采用贯穿硅通孔(TSV)和球栅阵列实现电气互连;模组集成了6位数控移相、6位数控衰减、串转并、负压偏置和电源调制等功能,最终尺寸为12 mm×12 mm×3.8 mm。测试结果表明,在X波段内,模组的饱和发射输出功率为30 dBm,单通道发射增益可达27 dB,接收通道增益为23 dB,噪声系数小于1.65 dB。该模组性能优异,集成度高,适合批量生产。 展开更多

关键词 微系统 T/R模组 三维异构集成 微电子机械系统 硅通孔

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硅桥芯片嵌入式高密度有机基板制备技术

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作者 袁渊 孟德喜 +2 位作者 田爽 刘书利 王刚 《半导体技术》 北大核心 2025年第2期194-200,共7页

基于硅桥芯片互连的异构集成技术可以有效提高芯粒间局域互连密度,满足高性能计算对芯粒间高密度互连日益增长的需求。提出了一种硅桥芯片嵌入式高密度有机基板的制备技术,介绍了嵌入式基板封装结构设计和关键工艺,并建立了嵌入式基板... 基于硅桥芯片互连的异构集成技术可以有效提高芯粒间局域互连密度,满足高性能计算对芯粒间高密度互连日益增长的需求。提出了一种硅桥芯片嵌入式高密度有机基板的制备技术,介绍了嵌入式基板封装结构设计和关键工艺,并建立了嵌入式基板结构仿真模型,对不同温度下应力分布进行了分析,通过可靠性试验重点检测了内嵌芯片边角。结果表明嵌入式基板制备工艺具有较好的可行性,可为硅桥芯片嵌入式高密度有机基板技术在国内的研究提供参考。 展开更多

关键词 芯粒 异构集成 局域互连 硅桥 嵌入式基板

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基于硅基MEMS三维集成技术的片式多波束发射前端 被引量：6

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作者 赵宇 赵玛利 +4 位作者 赵永志 张梦娇 王佳 李美苓 吴洪江 《遥测遥控》 2021年第5期85-94,共10页

基于多波束发射前端的相控阵,具有波束灵活扫描和多目标同时通信的能力,是低轨互联网通信卫星的重要微波子系统。采用硅基MEMS三维异构集成技术,将多个微波单片集成电路MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)和硅基MEMS功分交... 基于多波束发射前端的相控阵,具有波束灵活扫描和多目标同时通信的能力,是低轨互联网通信卫星的重要微波子系统。采用硅基MEMS三维异构集成技术,将多个微波单片集成电路MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)和硅基MEMS功分交叉网络等无源结构一体化集成,实现了一种K频段8波束32通道瓦片式相控阵发射前端。该器件由五个硅基封装模块堆叠而成,不同封装模块之间通过植球(金球凸点及铅锡焊球)的方式互连,内部通过TSV通孔技术实现垂直互连。为展示其性能,制备了19 GHz-21 GHz频段的样件,尺寸为16.25 mm×14.25 mm×6.3 mm。经测试,单通道发射增益≥18 dB,输入输出端口驻波≤2.0,同时具备6位数控移相和5位数控衰减功能。 展开更多

关键词 硅基MEMS技术 三维异构集成 封装堆叠 多波束发射前端

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玻璃基三维集成技术领域系列研究新进展 被引量：1

8

作者 吉力小兵 张继华 《电子与封装》 2024年第3期97-98,共2页

三维集成是后摩尔时代集成电路发展的主要技术途径。玻璃通孔(TGV)技术与传统的三维封装技术相比,有着成本低、高频损耗小、集成度高、热膨胀系数可调等显著优势,已成为国内外研究的热点,被英特尔誉为“新的游戏规则改变者”。电子科技... 三维集成是后摩尔时代集成电路发展的主要技术途径。玻璃通孔(TGV)技术与传统的三维封装技术相比,有着成本低、高频损耗小、集成度高、热膨胀系数可调等显著优势,已成为国内外研究的热点,被英特尔誉为“新的游戏规则改变者”。电子科技大学张继华教授团队在国内率先开启三维集成玻璃通孔材料和集成技术研究,联合成都迈科科技有限公司在新型可光刻玻璃基板、超细玻璃通孔及超高深径比通孔填充等方面取得了一系列新进展。 展开更多

关键词 电子科技大学 三维集成 玻璃基板 游戏规则 热膨胀系数 通孔 集成电路 集成技术

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硅通孔三维互连与集成技术

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作者 马书英 付东之 +5 位作者 刘轶 仲晓羽 赵艳娇 陈富军 段光雄 边智芸 《电子与封装》 2024年第6期81-94,共14页

随着电子技术的高速发展,更高密度、更小型化、更高集成化以及更高性能的封装需求给半导体制造业提出了新的挑战。由于物理限制,芯片的功能密度已达到二维封装技术的极限,不能再通过减小线宽来满足高性能、低功耗和高信号传输速度的要求... 随着电子技术的高速发展,更高密度、更小型化、更高集成化以及更高性能的封装需求给半导体制造业提出了新的挑战。由于物理限制,芯片的功能密度已达到二维封装技术的极限,不能再通过减小线宽来满足高性能、低功耗和高信号传输速度的要求;同时,开发先进节点技术的时间和成本很难控制,该技术的成熟需要相当长的时间。摩尔定律已经变得不可持续。为了延续和超越摩尔定律,芯片立体堆叠式的三维硅通孔(TSV)技术已成为人们关注的焦点。综述了TSV结构及其制造工艺,并对业内典型的TSV应用技术进行了分析和总结。 展开更多

关键词 硅通孔 三维互连 集成技术 先进封装

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小型化硅基毫米波MEMS三维异构集成开关滤波器件 被引量：2

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作者 侯芳 孙超 +3 位作者 栾华凯 黄旼 朱健 胡三明 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2021年第5期330-336,共7页

针对传统开关滤波器组件体积庞大、重量重、调试复杂、集成度低的问题,设计并制作了一种小型化六通道毫米波硅基MEMS三维异构集成开关滤波器件。该器件以四层堆叠的高阻硅材料为衬底,工作频段覆盖18~40 GHz,内部集成了6款小型化空间堆叠... 针对传统开关滤波器组件体积庞大、重量重、调试复杂、集成度低的问题,设计并制作了一种小型化六通道毫米波硅基MEMS三维异构集成开关滤波器件。该器件以四层堆叠的高阻硅材料为衬底,工作频段覆盖18~40 GHz,内部集成了6款小型化空间堆叠的MEMS滤波器和2个单片开关,采用3D-TSV(硅通孔)异构集成工艺,实现了开关与滤波器组的晶圆级集成。为了优化毫米波频段集成滤波器性能,提出了MEMS混合交叉耦合多层堆叠SIW(基片集成波导)滤波器拓扑结构,且其工艺与整个开关滤波器件兼容,极大提升了滤波器的带外抑制。经测试,该开关滤波器件带内插损<8.2 dB(包括2个开关共约4 d B的损耗),反射损耗>10 dB,带边1 GHz处带外抑制>40 dBc。该器件体积仅19.0 mm×16.5 mm×1.1 mm,比传统开关滤波器体积减小了99.7%。 展开更多

关键词 三维异构集成 微电子机械系统 硅通孔 滤波器 基片集成波导

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硅基晶圆级封装的三维集成X波段8通道变频模块 被引量：9

11

作者 周明 张君直 +4 位作者 王继财 黄旼 张洪泽 潘晓枫 张斌 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期F0003-F0003,共1页

南京电子器件研究所将CMOS芯片、GaAs多功能芯片、硅基IPD芯片、TCSAW滤波器等多种工艺制程的芯片异构集成到硅基晶圆上,再采用TSV、微凸点以及晶圆低温键合等工艺在国内首次实现了基于硅基射频微系统集成工艺的三维集成微波模块。如图... 南京电子器件研究所将CMOS芯片、GaAs多功能芯片、硅基IPD芯片、TCSAW滤波器等多种工艺制程的芯片异构集成到硅基晶圆上,再采用TSV、微凸点以及晶圆低温键合等工艺在国内首次实现了基于硅基射频微系统集成工艺的三维集成微波模块。如图1所示,该模块包含了接收多功能、8通道滤波、镜像抑制混频多功能、中频多功能以及三种中频带宽可切换功能的集成。 展开更多

关键词 晶圆级封装 异构集成 8通道 硅基 模块 三维 X波段 CMOS芯片

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基于MEMS三维异构集成技术的超宽带开关滤波限幅放大模块设计

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作者 赵玛利 赵宇 +1 位作者 侯茂辉 李美苓 《通讯世界》 2021年第8期57-59,共3页

本文采用硅基MEMS三维异构集成技术,完成了一种应用于通信系统中的超宽带开关滤波限幅放大模块的设计。该器件通过将多个硅基MEMS滤波器采用垂直叠层布局,实现了多路硅基MEMS滤波器与硅基封装基板的一体化三维集成,在保证设计性能的前提... 本文采用硅基MEMS三维异构集成技术,完成了一种应用于通信系统中的超宽带开关滤波限幅放大模块的设计。该器件通过将多个硅基MEMS滤波器采用垂直叠层布局,实现了多路硅基MEMS滤波器与硅基封装基板的一体化三维集成,在保证设计性能的前提下,提高了模块的集成度,大大缩小了模块的体积。模块的最终尺寸为17 mm×19 mm×1.3 mm,仅为传统工艺下相同特性产品体积的几百分之一。经过测试,在0.8~12.1 GHz范围内,模块的增益为7~9 dB,端口回波损耗≤-12 dB,噪声系数为7~11 dB。 展开更多

关键词 硅基MEMS 三维异构集成 开关滤波 超宽带

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基于MEMS技术的三维集成射频收发微系统 被引量：10

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作者 祁飞 杨拥军 +1 位作者 杨志 汪蔚 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第3期183-187,共5页

基于电学互连的贯穿硅通孔(TSV)和高精度圆片级键合等MEMS加工技术,提出了一种硅基射频收发微系统的三维集成结构设计方案,在硅基衬底上将MEMS滤波器、MMIC芯片和控制芯片在垂直方向上集成为单个系统级封装芯片,开发了一套可应用于制备... 基于电学互连的贯穿硅通孔(TSV)和高精度圆片级键合等MEMS加工技术,提出了一种硅基射频收发微系统的三维集成结构设计方案,在硅基衬底上将MEMS滤波器、MMIC芯片和控制芯片在垂直方向上集成为单个系统级封装芯片,开发了一套可应用于制备三维集成射频收发微系统的MEMS加工工艺流程。通过基于MEMS技术的三维集成工艺,成功制备了三维集成C波段射频收发微系统芯片样品,芯片样品尺寸为14 mm×11 mm×1.4 mm,测试结果表明,制作的三维集成C波段射频收发微系统样品技术指标符合设计预期,实现了在硅基衬底上有源器件和无源器件的三维集成,验证了所开发工艺的可行性。 展开更多

关键词 微电子机械系统(MEMS)技术 三维集成 贯穿硅通孔(TSV) 射频收发 微系统

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欧洲“e-BRAINS”研究项目为采用三维和纳米技术的异构系统的集成奠定基础

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《电子与电脑》 2011年第7期101-101,共1页

英飞凌科技股份公司与19家合作伙伴携手合作．启动了欧洲e-BRAINS（最可靠的环境智能纳米传感器系统）研究项目，围绕异构系统的集成展开研究。这个项目由英飞凌和弗劳恩霍夫模块化固态技术研究所负责技术管理，将于2013年底完成。纳米... 英飞凌科技股份公司与19家合作伙伴携手合作．启动了欧洲e-BRAINS（最可靠的环境智能纳米传感器系统）研究项目，围绕异构系统的集成展开研究。这个项目由英飞凌和弗劳恩霍夫模块化固态技术研究所负责技术管理，将于2013年底完成。纳米传感器将与IC（集成电路）、功率半导体、电池或无线通信模块等组件结合使用，从而大幅提升e-BRAINS应用的能源效率、成本效益、使用寿命和运行可靠性。 展开更多

关键词 集成电路 异构系统 纳米技术 欧洲 基础 三维 无线通信模块 合作伙伴

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一种基于MEMS体硅工艺的三维集成T/R模块 被引量：14

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作者 王清源 吴洪江 +1 位作者 赵宇 赵永志 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第4期300-304,336,共6页

采用微电子机械系统(MEMS)体硅三维异构集成技术,设计了一种应用于雷达的四通道瓦片式三维集成T/R模块。该模块由三层硅基封装堆叠而成,每层硅基封装内部腔体异构集成多个单片微波集成电路(MMIC),内部采用硅通孔(TSV)实现互连,层间通过... 采用微电子机械系统(MEMS)体硅三维异构集成技术,设计了一种应用于雷达的四通道瓦片式三维集成T/R模块。该模块由三层硅基封装堆叠而成,每层硅基封装内部腔体异构集成多个单片微波集成电路(MMIC),内部采用硅通孔(TSV)实现互连,层间通过焊球互连。模块最终尺寸为8 mm×8 mm×3.5 mm。装配完成后对该模块进行测试,测试结果表明,在34~36 GHz内,模块的饱和发射功率为21 dBm,单通道发射增益达到21 dB,接收增益为23 dB,接收噪声系数小于3.5 dB,同时具备6 bit数控移相和5 bit数控衰减等功能。该模块在4个通道高密度集成的基础上实现了较高的性能。 展开更多

关键词 微系统 微电子机械系统(MEMS)体硅工艺 T/R前端 三维异构集成 硅通孔(TSV)

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新型硅基3D异构集成毫米波AiP相控阵列 被引量：1

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作者 沈国策 周骏 +3 位作者 陈继新 师建行 杨驾鹏 沈亚 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2021年第5期323-329,共7页

基于硅基3D异构集成工艺,提出了一种低剖面、轻质化2×2硅基毫米波AiP阵列,内部集成了微带贴片天线阵列、单通道Ga As收发放大芯片、四通道SiGe幅相多功能芯片和电源调制电路等。采用硅片与低介电常数材料相结合的方式,降低天线衬... 基于硅基3D异构集成工艺,提出了一种低剖面、轻质化2×2硅基毫米波AiP阵列,内部集成了微带贴片天线阵列、单通道Ga As收发放大芯片、四通道SiGe幅相多功能芯片和电源调制电路等。采用硅片与低介电常数材料相结合的方式,降低天线衬底的复合介电常数,提升辐射效率和增益。通过高深宽比TSV和高密度微凸点,实现微波信号、数字信号和电源的垂直传输,对外采用标准的BGA端口。测试结果表明:在34~36 GHz内,2×2硅基AiP的等效全向辐射功率大于31.5 dBm,接收增益大于22 dB,射频输入口回波损耗小于-13 dB,具有5位移相、5位衰减功能,外形尺寸为12.0 mm×14.0 mm×2.6 mm,重量仅为0.75 g,可实现±30°的波束扫描。 展开更多

关键词 硅基 3D异构集成 毫米波AiP

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基于硅基MEMS工艺的Ka波段四通道短砖式三维集成T/R微系统 被引量：3

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作者 杨栋 赵宇 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第6期506-511,共6页

基于硅基微电子机械系统(MEMS)工艺设计了一种Ka波段四通道短砖式三维集成T/R微系统,实现四通道收发及功率合成功能。器件每个通道具备6 bit数控移相、5 bit数控衰减、电源调制等功能。该T/R微系统由两层硅基MEMS模块堆叠而成,每层硅基... 基于硅基微电子机械系统(MEMS)工艺设计了一种Ka波段四通道短砖式三维集成T/R微系统,实现四通道收发及功率合成功能。器件每个通道具备6 bit数控移相、5 bit数控衰减、电源调制等功能。该T/R微系统由两层硅基MEMS模块堆叠而成,每层硅基模块内部异构集成多个单片微波集成电路(MMIC),内部采用硅通孔(TSV)实现垂直互连,层间采用植球互连,器件尺寸为18 mm×19.5 mm×3 mm。经测试,在33~37 GHz频段内,器件单通道饱和发射功率大于30 dBm,接收增益约为35 dB,噪声系数小于4.6 dB。器件兼顾高性能和高集成度,可应用于雷达相控阵系统。 展开更多

关键词 相控阵雷达 硅基微电子机械系统(MEMS)工艺 T/R微系统 三维异构集成 硅通孔(TSV)

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一种三维集成的Ku波段高功率T/R模块

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作者 陈兴 张超 +1 位作者 陈东博 赵永志 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第6期569-574,共6页

基于硅基微电子机械系统(MEMS)三维(3D)异构集成工艺,设计并制作了用于相控阵天线系统的三维堆叠式Ku波段四通道高功率收发(T/R)模块。该模块由两层硅基封装堆叠而成,层间采用球栅阵列(BGA)植球堆叠,实现模块小型化;采用高低阻抗匹配建... 基于硅基微电子机械系统(MEMS)三维(3D)异构集成工艺,设计并制作了用于相控阵天线系统的三维堆叠式Ku波段四通道高功率收发(T/R)模块。该模块由两层硅基封装堆叠而成,层间采用球栅阵列(BGA)植球堆叠,实现模块小型化;采用高低阻抗匹配建模,保证低损耗输出,采用导热垫加微流道散热板达到了良好的散热效果,实现模块高功率输出;对模块的微波垂直互连结构和散热进行建模和仿真。测试结果表明,在14~18 GHz内发射通道饱和输出功率大于40 dBm,接收通道增益大于21 dB,噪声系数小于3.5 dB,模块尺寸仅为14.0 mm×14.0 mm×3.3 mm。该模块在兼顾高集成度的同时性能指标得到了进一步提升。 展开更多

关键词 硅基微电子机械系统(MEMS) 收发(T/R)模块 三维集成 高功率 散热设计

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硅基光电集成材料及器件的研究进展 被引量：1

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作者 韦文生 张春熹 +1 位作者 周克足 王天民 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第5期31-35,共5页

以硅基光电集成回路为主线,综述了不同的硅基光波导材料的制备技术和硅基光波导的制作工艺及其对光传输损耗的影响。分析了硅基光波导与锗硅光探测器集成用两种不同的耦合方式,阐明了波导与探测器集成的机理及设计理论基础。归纳出硅基... 以硅基光电集成回路为主线,综述了不同的硅基光波导材料的制备技术和硅基光波导的制作工艺及其对光传输损耗的影响。分析了硅基光波导与锗硅光探测器集成用两种不同的耦合方式,阐明了波导与探测器集成的机理及设计理论基础。归纳出硅基键合激光器的四种技术方案,指出其共同优点是克服材料异质外延引起的晶格失配和热膨胀非共容,对实现OEIC行之有效。 展开更多

关键词 硅基光电集成材料 光电集成器件 硅基光波导材料 制备技术 硅基光波导 光传输损耗 锗硅光探测器 耦合方式

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毫米波缝隙天线的三维非硅微加工制造技术 被引量：1

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作者 陆闻静 宿智娟 丁桂甫 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第4期242-248,共7页

讨论了面向毫米波缝隙天线集成制造应用的三维非硅微加工技术方案,重点解决多种材料兼容、多层复杂微结构集成和大悬空高度等独特难题。针对天线器件中金属和介质材料的结合,提出了加法工艺、减法工艺以及一种通用型图形化微加工工艺,... 讨论了面向毫米波缝隙天线集成制造应用的三维非硅微加工技术方案,重点解决多种材料兼容、多层复杂微结构集成和大悬空高度等独特难题。针对天线器件中金属和介质材料的结合,提出了加法工艺、减法工艺以及一种通用型图形化微加工工艺,其中通用型图形化工艺为各种非硅薄膜材料在MEMS体系中的灵活运用创造了条件;为了实现多层复杂微结构的加工,提出工艺整合和工艺兼容性设计,针对天线器件中的悬空结构对牺牲层工艺进行了研究;最后以一种单向宽带毫米波平面缝隙天线为例,阐述其具体工艺流程,验证了上述工艺的可行性。 展开更多

关键词 毫米波天线 缝隙天线 三维非硅微加工技术 通用型图形化工艺 集成制造

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