1
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不同特征频率高频硅双极晶体管静电放电机器模型敏感特性 |
张希军
董康宁
杨洁
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《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2015 |
3
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2
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一种高性能的低温硅双极晶体管 |
郭维廉
郑云光
李树荣
张咏梅
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《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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1994 |
1
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3
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低温硅双极晶体管电流增益研究 |
李彦波
薄仕群
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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1998 |
1
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4
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低温高注入硅双极晶体管电流增益的定量模拟 |
肖志雄
魏同立
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《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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1996 |
0 |
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5
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77K多晶硅发射区双极型晶体管 |
郑茳
王曙
王燕
吴金
魏同立
童勤义
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《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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1992 |
3
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6
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静电放电对高频小功率硅晶体管的双重作用 |
杨洁
刘升
武占成
张希军
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《河北大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
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2010 |
0 |
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7
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高频小功率硅双极器件ESD潜在失效的无损检测方法 |
杨洁
殷中伟
张希军
王振兴
武占成
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《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2011 |
6
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8
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SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益的研究 |
陈越政
钱钦松
孙伟锋
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
2
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9
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一种新型可调驱动电压的SiC/Si混合开关驱动电路 |
付永升
任海鹏
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《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
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2024 |
1
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10
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中子位移损伤监测技术研究 |
邹德慧
高辉
鲁艺
艾自辉
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《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
6
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11
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静电放电次数与半导体器件潜在性失效的关系 |
杨洁
刘尚合
刘红兵
祁树锋
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《河北大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
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2007 |
2
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12
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SiGe HBT和Si BJT的γ射线辐照效应比较 |
康爱国
孟祥提
王吉林
贾宏勇
陈培毅
钱佩信
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2002 |
1
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13
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新型低温高增益SiGe/SiHBT的研究 |
邹德恕
陈建新
张时明
高国
杜金玉
董欣
沈光地
安玉芹
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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1997 |
0 |
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