不同特征频率高频硅双极晶体管静电放电机器模型敏感特性 被引量：3

1

作者 张希军 董康宁 杨洁 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期1631-1636,共6页

为了发掘不同特征频率的高频硅双极晶体管在静电放电(ESD)机器模型(MM)作用下敏感特性的相关规律,选取了12种典型的高频硅双极晶体管进行静电放电效应试验。试验结果表明:由于发射极E基极B之间的PN结(EB结)基区宽度比集电极C和基极B之间... 为了发掘不同特征频率的高频硅双极晶体管在静电放电(ESD)机器模型(MM)作用下敏感特性的相关规律,选取了12种典型的高频硅双极晶体管进行静电放电效应试验。试验结果表明:由于发射极E基极B之间的PN结(EB结)基区宽度比集电极C和基极B之间的PN结(CB结)窄,因而反偏注入MM ESD时,高频硅硅双极晶体管(BJT)的ESD最敏感端对是EB反偏结;当特征频率fT=600 MHz时,失效电压最大,并且随着fT的升高或降低,器件的失效电压逐渐减小;随着注入电压的升高,当fT≤600 MHz时,共发射极电流增益hFE突变至失效,当fT>600MHz时,hFE渐变至失效。该研究结果对于分析高频硅BJT在ESD作用下的敏感特性具有指导意义。 展开更多

关键词 硅双极晶体管 静电放电 机器模型 特征频率 基区宽度 电流增益

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一种高性能的低温硅双极晶体管 被引量：1

2

作者 郭维廉 郑云光 +1 位作者 李树荣 张咏梅 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第8期30-35,共6页

本文设计并研制出在液氮温度（７７Ｋ）下，ｈＦＥ≈３００；在１０Ｋ下，ｈＦＥ＝２１．７的高性能硅双极晶体管，此值优于文献报导的水平［７］．测量了该器件在７７Ｋ的ＩＣ，ＩＢ－ＶＢＥ特性和ｈＦＥ－１／Ｔ特性，并对这些曲线的... 本文设计并研制出在液氮温度（７７Ｋ）下，ｈＦＥ≈３００；在１０Ｋ下，ｈＦＥ＝２１．７的高性能硅双极晶体管，此值优于文献报导的水平［７］．测量了该器件在７７Ｋ的ＩＣ，ＩＢ－ＶＢＥ特性和ｈＦＥ－１／Ｔ特性，并对这些曲线的解释进行了新的理论探讨。 展开更多

关键词 低温 晶体管 硅双极晶体管

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低温硅双极晶体管电流增益研究 被引量：1

3

作者 李彦波 薄仕群 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期32-36,共5页

着重分析了多晶硅发射极对提高电流增益的作用和低温下集电区中性杂质碰撞电离引起的电流倍增效应。导出多晶硅发射极晶体管电流增益的表达式，很好地解释了实验结果。

关键词 硅双极晶体管 电流倍增 多晶硅发射极

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低温高注入硅双极晶体管电流增益的定量模拟

4

作者 肖志雄 魏同立 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期83-86,共4页

本文考虑了基区复合电流，发射结空间电荷区复合电流，基区高注入引起的禁带变窄效应，Ｅａｒｌｙ效应，基区和发射区电导调制效应，有效基区展宽效应以及发射区电流集边效应，定量地模拟了硅双极晶体管电流增益在７７Ｋ和３００Ｋ时与... 本文考虑了基区复合电流，发射结空间电荷区复合电流，基区高注入引起的禁带变窄效应，Ｅａｒｌｙ效应，基区和发射区电导调制效应，有效基区展宽效应以及发射区电流集边效应，定量地模拟了硅双极晶体管电流增益在７７Ｋ和３００Ｋ时与集电极电流的关系，并且与实验结果相吻合，计算还表明在低温７７Ｋ时，电流增益的大注入效应由基区电导调制效应和发射区电流集边效应决定，而在３００Ｋ时则由有效基区展宽效应决定。 展开更多

关键词 硅双极晶体管 电流增益 低温 高注入 定量模拟

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77K多晶硅发射区双极型晶体管 被引量：3

5

作者 郑茳 王曙 +3 位作者 王燕 吴金 魏同立 童勤义 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第8期23-28,共6页

本文介绍了适于77K工作的多晶硅发射区双极型晶体管,给出了在不同工作电流条件下的电流增益的温度模型。结果表明在小电流条件下电流增益随温度下降而下降得更为剧烈,并且讨论了在不同注入情况下,浅能级杂质的陷阱作用对截止频率的影响。

关键词 77K 硅双极晶体管 发射区

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静电放电对高频小功率硅晶体管的双重作用

6

作者 杨洁 刘升 +1 位作者 武占成 张希军 《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2010年第5期590-593,共4页

为了深入研究静电放电对双极晶体管的作用效应是否发生改变,对目前广泛使用的高频小功率硅双极晶体管的静电放电失效进行了实验分析.采用相应的静电放电模拟器,进行不同电压的静电放电注入实验再配合加速寿命实验,一方面验证了低于失效... 为了深入研究静电放电对双极晶体管的作用效应是否发生改变,对目前广泛使用的高频小功率硅双极晶体管的静电放电失效进行了实验分析.采用相应的静电放电模拟器,进行不同电压的静电放电注入实验再配合加速寿命实验,一方面验证了低于失效阈值的静电放电注入可能在该类晶体管内部造成潜在性失效,另一方面发现静电放电的注入也可能类似退火,对部分该类晶体管起到了训练加固的作用. 展开更多

关键词 硅双极晶体管 静电放电 潜在性失效 加固 高频小功率

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高频小功率硅双极器件ESD潜在失效的无损检测方法 被引量：6

7

作者 杨洁 殷中伟 +2 位作者 张希军 王振兴 武占成 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期164-169,共6页

目前国内外研究人员多集中于研究MOS器件和GaAs器件的静电放电(ESD)潜在性失效,而对高频小功率硅双极晶体管的静电放电潜在性失效则研究较少。为此,参考国内外研究人员的研究结果,选择采用高温反偏法、低频噪声法以及电参数测量法来对... 目前国内外研究人员多集中于研究MOS器件和GaAs器件的静电放电(ESD)潜在性失效,而对高频小功率硅双极晶体管的静电放电潜在性失效则研究较少。为此,参考国内外研究人员的研究结果,选择采用高温反偏法、低频噪声法以及电参数测量法来对高频小功率硅双极晶体管静电放电潜在性失效的无损检测方法进行了较为细致的分析研究。通过详细比较后可以确定,高温反偏法和低频噪声法均不能用来检测高频小功率硅双极晶体管的静电放电失效,也就更不能用来检测判别此类器件的静电放电潜在性失效。最后,通过对多个电参数的测量与对比发现,高频小功率硅双极晶体管集电极-基极反偏结漏电流的大范围变化可以表征此类器件静电放电潜在性失效的存在。 展开更多

关键词 静电放电(ESD) 潜在性失效 硅双极晶体管 检测方法 高频小功率 低频噪声 漏电流

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SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益的研究 被引量：2

8

作者 陈越政 钱钦松 孙伟锋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期54-57,共4页

采用二维器件模拟仿真软件Tsuprem4和Medici模拟了SOI-LIGBT的n型缓冲层掺杂剂量、阳极p+阱区长度、漂移区长度以及阳极所加电压对SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益β的影响,通过理论分析定性的解释了产生上述现象的原因和机理,并且通过实... 采用二维器件模拟仿真软件Tsuprem4和Medici模拟了SOI-LIGBT的n型缓冲层掺杂剂量、阳极p+阱区长度、漂移区长度以及阳极所加电压对SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益β的影响,通过理论分析定性的解释了产生上述现象的原因和机理,并且通过实验测试结果进一步验证了分析结论的正确性。其中,n型缓冲层掺杂剂量对电流增益β的影响最为明显,漂移区长度的影响最弱。基本完成了对SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益β主要工艺影响因素的定性分析,对于SOI-LIGBT的设计有一定的借鉴意义。 展开更多

关键词 绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管 电流增益β n型缓冲层 漂移区长度

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一种新型可调驱动电压的SiC/Si混合开关驱动电路 被引量：1

9

作者 付永升 任海鹏 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第7期2774-2785,I0021,共13页

为提高碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(silicon carbide metal oxide semiconductor filed effect transistor,SiC-MOSFET)与硅基绝缘栅极双极晶体管(silicon insulated gate bipolar transistor,Si-IGBT)并联混合开关(SiC/Si hybr... 为提高碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(silicon carbide metal oxide semiconductor filed effect transistor,SiC-MOSFET)与硅基绝缘栅极双极晶体管(silicon insulated gate bipolar transistor,Si-IGBT)并联混合开关(SiC/Si hybrid switch,SiC/Si HyS)的可靠性与适用性,该文提出一种可变驱动电压的SiC/Si HyS栅极驱动电路结构,采用一路脉冲宽度调制(pulse width modulation,PWM)控制信号和一个驱动芯片产生不同电压幅值的栅极控制信号,分别控制SiC/Si HyS中的SiC-MOSFET和Si-IGBT。相比于传统采用2个独立驱动电路的SiC/Si HyS驱动结构,该驱动电路大幅度降低SiC/Si HyS栅极驱动电路的复杂度,降低SiC-MOSFET关断过程中Si-IGBT误导通的可能性,提升混合开关的工作可靠性。该文首先分析所设计驱动电路工作原理,给出驱动电压调节方法;其次,建立耦合电容端电压纹波和系统启动时电容端电压暂态数学模型,通过仿真和实验验证模型准确性;搭建2 kW的SiC/Si混合开关Buck电路,验证该文所提混合开关驱动电路可行性,从SiC/Si HyS功率器件关断损耗、驱动电路功率损耗、成本以及体积4个方面分析所提驱动结构的优势。 展开更多

关键词 宽禁带半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 硅基绝缘栅极双极晶体管 混合开关 门极驱动电路 耦合电容

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中子位移损伤监测技术研究 被引量：6

10

作者 邹德慧 高辉 +1 位作者 鲁艺 艾自辉 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B09期472-475,共4页

利用硅双极晶体管直流增益倒数与中子注量具有线性关系的特点,将其作为位移损伤监测器以获取不同中子辐射场的损伤特性。采用两种不同的数据分析方法,分别得到了两种位移损伤监测器阵列的相对损伤常数。研究结果为在现有的实验条件和测... 利用硅双极晶体管直流增益倒数与中子注量具有线性关系的特点,将其作为位移损伤监测器以获取不同中子辐射场的损伤特性。采用两种不同的数据分析方法,分别得到了两种位移损伤监测器阵列的相对损伤常数。研究结果为在现有的实验条件和测试手段基础上选择位移损伤监测器和分析监测结果奠定了基础。 展开更多

关键词 位移损伤 能谱 硅双极晶体管 损伤常数 数据分析方法

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静电放电次数与半导体器件潜在性失效的关系 被引量：2

11

作者 杨洁 刘尚合 +1 位作者 刘红兵 祁树锋 《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2007年第6期620-624,共5页

为研究硅双极晶体管中由ESD注入引起的潜在性失效与放电次数间的关系,对微波低噪声小功率硅双极器件进行了同一电压不同次数的人体模型ESD注入实验.注入电压为1.50 kV.注入管脚为器件对ESD最敏感的端对.器件分组注入不同次数的ESD后,将... 为研究硅双极晶体管中由ESD注入引起的潜在性失效与放电次数间的关系,对微波低噪声小功率硅双极器件进行了同一电压不同次数的人体模型ESD注入实验.注入电压为1.50 kV.注入管脚为器件对ESD最敏感的端对.器件分组注入不同次数的ESD后,将注入和未注入过ESD的器件同时进行加速寿命实验.通过比较各组器件损伤率的大小来反映器件使用寿命的变化.经统计分析与计算发现:开始时,随放电次数的增加,器件出现潜在性失效的概率增大,当概率达到一定极限值后,又会随放电次数的增大而减小,说明ESD的注入不仅可能在部分硅器件内部造成潜在性失效,也可能提高另外一部分器件的可靠性. 展开更多

关键词 硅双极晶体管 静电放电 潜在性失效 注人次数 微波低噪声小功率 加速寿命实验

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SiGe HBT和Si BJT的γ射线辐照效应比较 被引量：1

12

作者 康爱国 孟祥提 +3 位作者 王吉林 贾宏勇 陈培毅 钱佩信 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第12期68-71,共4页

比较了经剂量为400 krad(Si)的γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流电学性能的变化。 通常SiGe HBT辐照后的Ib增加,Ic下降,直流放大倍数变化很小;Si BJT辐照后的Ib增加,而Ic通常也增加,并且变化幅度很大,直流放大倍数明显下降,相同剂量下... 比较了经剂量为400 krad(Si)的γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流电学性能的变化。 通常SiGe HBT辐照后的Ib增加,Ic下降,直流放大倍数变化很小;Si BJT辐照后的Ib增加,而Ic通常也增加,并且变化幅度很大,直流放大倍数明显下降,相同剂量下变化幅度比SiGe HBT约高一个量级。表明SiGe HBT比Si BJT有更好的抗辐照性能,并对辐照导致的电特性的变化原因进行了初步解释。 展开更多

关键词 SiGe HBT SI BJT γ射线辐射 直流电学特性 硅锗异质结对极晶体管 同硅双极晶体管

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新型低温高增益SiGe/SiHBT的研究

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作者 邹德恕 陈建新 +5 位作者 张时明 高国 杜金玉 董欣 沈光地 安玉芹 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第6期31-33,共3页

分析了硅双极晶体管电流增益在低温下减少的原因，通过优化设计，研制出了在液氮温度下具有高增益的ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ。

关键词 异质结 应变层 电流增益 硅双极晶体管

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