一种高性能的低温硅双极晶体管 被引量：1

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作者 郭维廉 郑云光 +1 位作者 李树荣 张咏梅 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第8期30-35,共6页

本文设计并研制出在液氮温度（７７Ｋ）下，ｈＦＥ≈３００；在１０Ｋ下，ｈＦＥ＝２１．７的高性能硅双极晶体管，此值优于文献报导的水平［７］．测量了该器件在７７Ｋ的ＩＣ，ＩＢ－ＶＢＥ特性和ｈＦＥ－１／Ｔ特性，并对这些曲线的... 本文设计并研制出在液氮温度（７７Ｋ）下，ｈＦＥ≈３００；在１０Ｋ下，ｈＦＥ＝２１．７的高性能硅双极晶体管，此值优于文献报导的水平［７］．测量了该器件在７７Ｋ的ＩＣ，ＩＢ－ＶＢＥ特性和ｈＦＥ－１／Ｔ特性，并对这些曲线的解释进行了新的理论探讨。 展开更多

关键词 低温 晶体管 硅双极晶体管

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硅双极晶体管直流特性低温效应的研究 被引量：2

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作者 郑茳 王曙 +3 位作者 王燕 吴金 魏同立 童勤义 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期173-179,共7页

从理论和实验上研究了硅双极晶体管直流特性的低温效应,建立了不同发射结结深的硅双极晶体管电流增益的温度模型,讨论了不同工作电流下H_(FE)的温度特性,并分析了大电流下基区展宽效应的温度关系。

关键词 低温 硅双极晶体管 直流特性

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低温硅双极晶体管电流增益研究 被引量：1

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作者 李彦波 薄仕群 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期32-36,共5页

着重分析了多晶硅发射极对提高电流增益的作用和低温下集电区中性杂质碰撞电离引起的电流倍增效应。导出多晶硅发射极晶体管电流增益的表达式，很好地解释了实验结果。

关键词 硅双极晶体管 电流倍增 多晶硅发射极

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低温高注入硅双极晶体管电流增益的定量模拟

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作者 肖志雄 魏同立 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期83-86,共4页

本文考虑了基区复合电流，发射结空间电荷区复合电流，基区高注入引起的禁带变窄效应，Ｅａｒｌｙ效应，基区和发射区电导调制效应，有效基区展宽效应以及发射区电流集边效应，定量地模拟了硅双极晶体管电流增益在７７Ｋ和３００Ｋ时与... 本文考虑了基区复合电流，发射结空间电荷区复合电流，基区高注入引起的禁带变窄效应，Ｅａｒｌｙ效应，基区和发射区电导调制效应，有效基区展宽效应以及发射区电流集边效应，定量地模拟了硅双极晶体管电流增益在７７Ｋ和３００Ｋ时与集电极电流的关系，并且与实验结果相吻合，计算还表明在低温７７Ｋ时，电流增益的大注入效应由基区电导调制效应和发射区电流集边效应决定，而在３００Ｋ时则由有效基区展宽效应决定。 展开更多

关键词 硅双极晶体管 电流增益 低温 高注入 定量模拟

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低温下硅双极晶体管击穿电压的温度特性与分析

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作者 李彦波 薄仕群 张旭东 《半导体情报》 1997年第4期39-42,共4页

给出了从２００～１０Ｋ低温下，硅双极晶体管击穿电压随温度而变化的实验结果，建立了理论模型，并对实验结果作出合理解释。

关键词 硅双极晶体管 低温 击穿电压

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硅双极晶体管失效分析举例

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作者 申云琴 王娟萍 《电子与自动化仪表信息》 1989年第4期2-4,共3页

关键词 硅双极晶体管 失效分析 功率晶体管

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77K多晶硅发射区双极型晶体管 被引量：3

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作者 郑茳 王曙 +3 位作者 王燕 吴金 魏同立 童勤义 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第8期23-28,共6页

本文介绍了适于77K工作的多晶硅发射区双极型晶体管,给出了在不同工作电流条件下的电流增益的温度模型。结果表明在小电流条件下电流增益随温度下降而下降得更为剧烈,并且讨论了在不同注入情况下,浅能级杂质的陷阱作用对截止频率的影响。

关键词 77K 硅双极晶体管 发射区

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1．2～1．4GHz370W硅双极型晶体管研制 被引量：3

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作者 刘洪军 王建浩 +5 位作者 丁晓明 高群 冯忠 庸安明 严德圣 蒋幼泉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期124-128,共5页

通过进一步优化芯片设计与工艺设计，研制出L波段370W硅双极型功率晶体管。该器件在42V工作电压下，脉宽150μs，占空比10％，频率1．2～1．4GHz全带内，输出功率可达370W以上，增益达8．7dB，效率大于55％，具有良好的抗失配性能。

关键词 硅双极型晶体管 L波段 脉冲功率管

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微波硅功率双极型管脉冲顶降和增益压缩特性分析

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作者 傅义珠 盛国兴 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期371-376,共6页

对影响微波硅功率双极型晶体管脉冲波形顶降、顶升和增益压缩特性的器件设计、工艺和使用因素进行了分析。脉冲顶降的本质原因是结温上升,结温又同芯片特性、内匹配电路与芯片键合一致性密切相关;脉冲顶降还与器件在电路中的工作状态相... 对影响微波硅功率双极型晶体管脉冲波形顶降、顶升和增益压缩特性的器件设计、工艺和使用因素进行了分析。脉冲顶降的本质原因是结温上升,结温又同芯片特性、内匹配电路与芯片键合一致性密切相关;脉冲顶降还与器件在电路中的工作状态相关。脉冲顶升主要是与肖特基势垒接触和较低的器件工作温度有关;影响增益压缩的主要原因是电流饱和与电压饱和,其次还与基区宽变效应、大注入效应和工作状态等因素相关。从器件设计、工艺和电路应用等方面提出了改进器件脉冲顶降和增益压缩特性的途径。 展开更多

关键词 微波 硅功率双极型晶体管 脉冲顶降 增益压缩

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Sirenza优质LDMOS功率晶体管介绍

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《电视技术》 北大核心 2007年第8期49-49,共1页

LDMOS是横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET（lateral double—dif fused MOSFET）的简称。LDMOS制造工艺结合了硅双极晶体管制造工艺和砷化镓制造工艺。与标准MOS工艺不同的是，在器件封装上，LDMOS没有采用BeO氧化铍隔离层... LDMOS是横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET（lateral double—dif fused MOSFET）的简称。LDMOS制造工艺结合了硅双极晶体管制造工艺和砷化镓制造工艺。与标准MOS工艺不同的是，在器件封装上，LDMOS没有采用BeO氧化铍隔离层，而是直接硬焊接在衬底上，导热性能得到较大改善，提高了器件的耐高温性，大大延长了器件寿命。 展开更多

关键词 LDMOS 功率晶体管 金属氧化物半导体场效应管 优质 制造工艺 硅双极晶体管 器件封装 MOS工艺

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硅微波BJT集电极-发射极漏电的失效机理分析

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作者 胡顺欣 李明月 +1 位作者 苏延芬 邓建国 《电子工业专用设备》 2015年第7期18-22,共5页

介绍了硅微波双极晶体管中一种集电极-发射极漏电的失效模式,着重从芯片制造工艺方面研究了失效机理。建立了RIE等离子体刻蚀等效电容模型,研究了电容介质隧穿/击穿诱发的工艺损伤和接触孔侧壁角度对Pt Si的影响。结果表明:RIE干法刻蚀... 介绍了硅微波双极晶体管中一种集电极-发射极漏电的失效模式,着重从芯片制造工艺方面研究了失效机理。建立了RIE等离子体刻蚀等效电容模型,研究了电容介质隧穿/击穿诱发的工艺损伤和接触孔侧壁角度对Pt Si的影响。结果表明:RIE干法刻蚀在接触孔局部诱发Si损伤,接触孔侧壁角度减小导致参与合金的Pt总量增加,部分Pt沿此通道穿透发射结进入中性基区形成深能级陷阱,在高反偏集电极-发射极电压VCE作用下进入扩展的集电结空间电荷区,增加了空间电荷区电子-空穴对的产生率和集电结反偏电流ICO,形成快速增大的集电极-发射极漏电流ICEO,导致芯片失效。 展开更多

关键词 硅微波双极晶体管 介质击穿/隧穿 等离子体充电效应 等离子体损伤 PtSi合金

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SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益的研究 被引量：2

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作者 陈越政 钱钦松 孙伟锋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期54-57,共4页

采用二维器件模拟仿真软件Tsuprem4和Medici模拟了SOI-LIGBT的n型缓冲层掺杂剂量、阳极p+阱区长度、漂移区长度以及阳极所加电压对SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益β的影响,通过理论分析定性的解释了产生上述现象的原因和机理,并且通过实... 采用二维器件模拟仿真软件Tsuprem4和Medici模拟了SOI-LIGBT的n型缓冲层掺杂剂量、阳极p+阱区长度、漂移区长度以及阳极所加电压对SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益β的影响,通过理论分析定性的解释了产生上述现象的原因和机理,并且通过实验测试结果进一步验证了分析结论的正确性。其中,n型缓冲层掺杂剂量对电流增益β的影响最为明显,漂移区长度的影响最弱。基本完成了对SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益β主要工艺影响因素的定性分析,对于SOI-LIGBT的设计有一定的借鉴意义。 展开更多

关键词 绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管 电流增益β n型缓冲层 漂移区长度

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中子位移损伤监测技术研究 被引量：6

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作者 邹德慧 高辉 +1 位作者 鲁艺 艾自辉 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B09期472-475,共4页

利用硅双极晶体管直流增益倒数与中子注量具有线性关系的特点,将其作为位移损伤监测器以获取不同中子辐射场的损伤特性。采用两种不同的数据分析方法,分别得到了两种位移损伤监测器阵列的相对损伤常数。研究结果为在现有的实验条件和测... 利用硅双极晶体管直流增益倒数与中子注量具有线性关系的特点,将其作为位移损伤监测器以获取不同中子辐射场的损伤特性。采用两种不同的数据分析方法,分别得到了两种位移损伤监测器阵列的相对损伤常数。研究结果为在现有的实验条件和测试手段基础上选择位移损伤监测器和分析监测结果奠定了基础。 展开更多

关键词 位移损伤 能谱 硅双极晶体管 损伤常数 数据分析方法

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SiGe HBT和Si BJT的γ射线辐照效应比较 被引量：1

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作者 康爱国 孟祥提 +3 位作者 王吉林 贾宏勇 陈培毅 钱佩信 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第12期68-71,共4页

比较了经剂量为400 krad(Si)的γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流电学性能的变化。 通常SiGe HBT辐照后的Ib增加,Ic下降,直流放大倍数变化很小;Si BJT辐照后的Ib增加,而Ic通常也增加,并且变化幅度很大,直流放大倍数明显下降,相同剂量下... 比较了经剂量为400 krad(Si)的γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流电学性能的变化。 通常SiGe HBT辐照后的Ib增加,Ic下降,直流放大倍数变化很小;Si BJT辐照后的Ib增加,而Ic通常也增加,并且变化幅度很大,直流放大倍数明显下降,相同剂量下变化幅度比SiGe HBT约高一个量级。表明SiGe HBT比Si BJT有更好的抗辐照性能,并对辐照导致的电特性的变化原因进行了初步解释。 展开更多

关键词 SiGe HBT SI BJT γ射线辐射 直流电学特性 硅锗异质结对极晶体管 同硅双极晶体管

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新型低温高增益SiGe/SiHBT的研究

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作者 邹德恕 陈建新 +5 位作者 张时明 高国 杜金玉 董欣 沈光地 安玉芹 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第6期31-33,共3页

分析了硅双极晶体管电流增益在低温下减少的原因，通过优化设计，研制出了在液氮温度下具有高增益的ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ。

关键词 异质结 应变层 电流增益 硅双极晶体管

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SOI NLIGBT热载流子效应研究

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作者 张炜 张世峰 +1 位作者 韩雁 吴焕挺 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期309-313,317,共6页

SOI NLIGBT中热载流子效应分别通过直流电压的应力测试、TCAD仿真和电荷泵测试三种方法进行了研究。其中,不同直流电压应力条件下测得的衬底电流Isub和导通电阻Ron用来评估因热载流子效应引起的器件退化程度。为了进行理论分析,对器件... SOI NLIGBT中热载流子效应分别通过直流电压的应力测试、TCAD仿真和电荷泵测试三种方法进行了研究。其中,不同直流电压应力条件下测得的衬底电流Isub和导通电阻Ron用来评估因热载流子效应引起的器件退化程度。为了进行理论分析,对器件内部的电场强度和碰撞离化率也进行了仿真。测试得到的电荷泵电流直接验证了器件表面的损伤程度。最后讨论了SOI LIGBT在不同栅压条件下的退化机制。 展开更多

关键词 绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管 热载流子效应 碰撞离化率 电荷泵 界面态 氧化层陷阱空穴

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