为了消除环境温度对硅压阻式传感器输出的影响,大幅提升硅压阻式传感器的测量精度,将传感器芯片与热源和测温原件封装在一起,通过控制加热的方式使传感器工作在恒定50℃的环境中,对传感器进行线性标定和测试。结果显示:在-45~45℃环境下...为了消除环境温度对硅压阻式传感器输出的影响,大幅提升硅压阻式传感器的测量精度,将传感器芯片与热源和测温原件封装在一起,通过控制加热的方式使传感器工作在恒定50℃的环境中,对传感器进行线性标定和测试。结果显示:在-45~45℃环境下,600~1 100 h Pa量程内气压传感器的测量误差小于0.3 h Pa。展开更多
传统的硅扩散压阻式压力传感器用重掺杂4个 P 型硅应变电阻构成惠斯顿电桥的力敏检测模式,采用 PN 结隔离,高温压阻式压力传感器取消了 PN 结隔离,与半导体集成电路平面工艺兼容,符合传感器的发展方向。根据力敏材料的分类,分别介绍了...传统的硅扩散压阻式压力传感器用重掺杂4个 P 型硅应变电阻构成惠斯顿电桥的力敏检测模式,采用 PN 结隔离,高温压阻式压力传感器取消了 PN 结隔离,与半导体集成电路平面工艺兼容,符合传感器的发展方向。根据力敏材料的分类,分别介绍了多晶硅中高温压力传感器、SiC 高温压力传感器和单晶硅 SOI(silicon on insulator)高温压力传感器的基本工作原理和国内外的发展现状,重点论述了 BESOI(bonding and etch-back SOI)、SMARTCUT 和 SIMOX(separation by implanted oxygen)技术的 SOI 晶片加工工艺,以及由此晶片微机械加工成的芯片封装的高温微型压力传感器部分特性,对此领域的发展作了展望。展开更多
文摘为了消除环境温度对硅压阻式传感器输出的影响,大幅提升硅压阻式传感器的测量精度,将传感器芯片与热源和测温原件封装在一起,通过控制加热的方式使传感器工作在恒定50℃的环境中,对传感器进行线性标定和测试。结果显示:在-45~45℃环境下,600~1 100 h Pa量程内气压传感器的测量误差小于0.3 h Pa。
文摘传统的硅扩散压阻式压力传感器用重掺杂4个 P 型硅应变电阻构成惠斯顿电桥的力敏检测模式,采用 PN 结隔离,高温压阻式压力传感器取消了 PN 结隔离,与半导体集成电路平面工艺兼容,符合传感器的发展方向。根据力敏材料的分类,分别介绍了多晶硅中高温压力传感器、SiC 高温压力传感器和单晶硅 SOI(silicon on insulator)高温压力传感器的基本工作原理和国内外的发展现状,重点论述了 BESOI(bonding and etch-back SOI)、SMARTCUT 和 SIMOX(separation by implanted oxygen)技术的 SOI 晶片加工工艺,以及由此晶片微机械加工成的芯片封装的高温微型压力传感器部分特性,对此领域的发展作了展望。
