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点接触平面栅型硅单电子晶体管
被引量：
1
1
作者
孙劲鹏
王太宏
《微纳电子技术》
CAS
2002年第4期8-10,36,共4页
设计了点接触平面栅型硅单电子晶体管,利用自对准技术实现了点接触平面栅,并通过给平面栅施加偏压实现了量子点。讨论了点接触平面栅型单电子晶体管与其通道宽度和平面栅上电压的关系。对一个具有70nm宽通道的器件,先在其表面栅上施加...
设计了点接触平面栅型硅单电子晶体管,利用自对准技术实现了点接触平面栅,并通过给平面栅施加偏压实现了量子点。讨论了点接触平面栅型单电子晶体管与其通道宽度和平面栅上电压的关系。对一个具有70nm宽通道的器件,先在其表面栅上施加很小的正偏压,然后又在其平面栅上施加负偏压耗尽通道,最终的研究结果显示在通道中形成了单个量子点。
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关键词
自对准技术
库仑振荡
点接触
平面栅型
硅单电子晶体管
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职称材料
硅基单电子晶体管的制备
2
作者
张杨
韩伟华
杨富华
《微纳电子技术》
CAS
2006年第2期73-79,共7页
硅基单电子晶体管是一种极具潜力的新型量子器件。大多数硅基单电子晶体管的制备方法可以很好地与主流的CMOS工艺兼容。介绍了硅基单电子晶体管一些典型的具体制备工艺和方法以及该领域近年来的研究热点。
关键词
硅
基
单
电子
晶体管
制备方法
硅
-绝缘体技术
电子
束曝光
在线阅读
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职称材料
题名
点接触平面栅型硅单电子晶体管
被引量：
1
1
作者
孙劲鹏
王太宏
机构
中国科学院物理研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
2002年第4期8-10,36,共4页
基金
国家重点基础研究专项经费
国家自然科学基金资助课题
文摘
设计了点接触平面栅型硅单电子晶体管,利用自对准技术实现了点接触平面栅,并通过给平面栅施加偏压实现了量子点。讨论了点接触平面栅型单电子晶体管与其通道宽度和平面栅上电压的关系。对一个具有70nm宽通道的器件,先在其表面栅上施加很小的正偏压,然后又在其平面栅上施加负偏压耗尽通道,最终的研究结果显示在通道中形成了单个量子点。
关键词
自对准技术
库仑振荡
点接触
平面栅型
硅单电子晶体管
Keywords
single-electron transistor
self-aligned process
Coulomb blockade oscillation
分类号
TN325.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
硅基单电子晶体管的制备
2
作者
张杨
韩伟华
杨富华
机构
中国科学院半导体研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
2006年第2期73-79,共7页
基金
国家自然科学基金项目(60506017)
中国科学院半导体研究所所长基金资助项目(2005DF01)
文摘
硅基单电子晶体管是一种极具潜力的新型量子器件。大多数硅基单电子晶体管的制备方法可以很好地与主流的CMOS工艺兼容。介绍了硅基单电子晶体管一些典型的具体制备工艺和方法以及该领域近年来的研究热点。
关键词
硅
基
单
电子
晶体管
制备方法
硅
-绝缘体技术
电子
束曝光
Keywords
silicon single electron transistors
fabrication
silicon on insulator （SOI）
e-beam lithography
分类号
TN321 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
点接触平面栅型硅单电子晶体管
孙劲鹏
王太宏
《微纳电子技术》
CAS
2002
1
在线阅读
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职称材料
2
硅基单电子晶体管的制备
张杨
韩伟华
杨富华
《微纳电子技术》
CAS
2006
0
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职称材料
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