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表面活性剂对硅单晶片表面吸附颗粒的作用
被引量：
13
1
作者
刘玉岭
桑建新
叶占江
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第7期59-61,共3页
提出了新抛光硅片镜面吸附动力学过程；深入研究表面活性剂的性质和作用；利用表面活性剂特性，有效地控制硅片表面颗粒处于易清洗的物理吸附状态。
关键词
硅
片
表面吸附颗粒
表面活性剂
渗透模型
硅单晶片
ULSI
集成电路
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职称材料
快速退火对大直径CZSi单晶中原生微缺陷的影响
被引量：
1
2
作者
郝秋艳
乔治
+3 位作者
张建峰
任丙彦
李养贤
刘彩池
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期747-750,共4页
本文利用快速退火对φ8″直拉硅单晶片中的流动图形缺陷(FPDs)进行了研究。首先用Secco腐蚀液腐蚀了大直径直拉硅片,利用光学显微镜观察了FPDs的宏观分布,并用原子力显微镜(AFM)对原生FPDs的微观形貌进行观察,证明了FPDs是一种空位型原...
本文利用快速退火对φ8″直拉硅单晶片中的流动图形缺陷(FPDs)进行了研究。首先用Secco腐蚀液腐蚀了大直径直拉硅片,利用光学显微镜观察了FPDs的宏观分布,并用原子力显微镜(AFM)对原生FPDs的微观形貌进行观察,证明了FPDs是一种空位型原生缺陷,然后采用了高温快速热处理,分别在N2、N2／O2(3％)、Ar三种气氛中对原生直拉单晶硅片进行了处理。对比退火前后FPDs密度的变化,分析了高温快速热处理对直拉硅单晶片中FPDs的影响,实验表明1200℃快速热处理180s可以显著降低硅片表面的FPDs。
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关键词
快速退火
原生微缺陷
流动图形缺陷
原子力显微镜
直拉
硅单晶片
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职称材料
题名
表面活性剂对硅单晶片表面吸附颗粒的作用
被引量：
13
1
作者
刘玉岭
桑建新
叶占江
机构
河北工业大学
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第7期59-61,共3页
文摘
提出了新抛光硅片镜面吸附动力学过程；深入研究表面活性剂的性质和作用；利用表面活性剂特性，有效地控制硅片表面颗粒处于易清洗的物理吸附状态。
关键词
硅
片
表面吸附颗粒
表面活性剂
渗透模型
硅单晶片
ULSI
集成电路
Keywords
Si wafer
adsorption
particles
nonionic surfactant
penetration model
分类号
TN405.2 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
快速退火对大直径CZSi单晶中原生微缺陷的影响
被引量：
1
2
作者
郝秋艳
乔治
张建峰
任丙彦
李养贤
刘彩池
机构
天津大学电信学院
河北工业大学信息功能材料研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期747-750,共4页
基金
国家自然科学基金(No.60076001
No.50032010)河北省自然科学基金资助项目(No.502061)
文摘
本文利用快速退火对φ8″直拉硅单晶片中的流动图形缺陷(FPDs)进行了研究。首先用Secco腐蚀液腐蚀了大直径直拉硅片,利用光学显微镜观察了FPDs的宏观分布,并用原子力显微镜(AFM)对原生FPDs的微观形貌进行观察,证明了FPDs是一种空位型原生缺陷,然后采用了高温快速热处理,分别在N2、N2／O2(3％)、Ar三种气氛中对原生直拉单晶硅片进行了处理。对比退火前后FPDs密度的变化,分析了高温快速热处理对直拉硅单晶片中FPDs的影响,实验表明1200℃快速热处理180s可以显著降低硅片表面的FPDs。
关键词
快速退火
原生微缺陷
流动图形缺陷
原子力显微镜
直拉
硅单晶片
Keywords
CZSi
grown-in defect
flow pattern defects (FPDs)
atomic force microscopy (AFM)
rapid thermal annealing (RTA)
分类号
O613.72 [理学—无机化学]
O77 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
表面活性剂对硅单晶片表面吸附颗粒的作用
刘玉岭
桑建新
叶占江
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001
13
在线阅读
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职称材料
2
快速退火对大直径CZSi单晶中原生微缺陷的影响
郝秋艳
乔治
张建峰
任丙彦
李养贤
刘彩池
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
在线阅读
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职称材料
已选择
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参考文献
引证文献
统计分析
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