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题名钇离子注入硅薄层硅化钇的合成的研究
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作者
张通和
吴瑜光
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机构
北京师范大学低能核物理所
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出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第B05期62-64,共3页
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基金
国家自然科学基金! ( 59671 0 51 )
863计划资助项目
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文摘
用大束流密度的钇金属离子注入硅 ,能够直接合成性能良好的薄层硅化物。随束流密度的增加 ,硅化钇生长 ,薄层硅化物的方块电阻Rs 明显下降 ,当束流密度为 0 .5A/m2 时 ,Rs达到最小值 54Ω/□ ,说明连续的硅化物已经形成。X衍射分析表明 ,注入层中形成了二种硅化钇YSi和YSi2 。透射电子显微镜观察表明 ,当束流密度为 0 .5A/m2 时 ,连续硅化钇薄层已经形成 ,硅化钇薄层厚度为 80nm ,但是在硅化钇层下有高密度损伤层 ,增大束流密度注入 ,连续硅化钇薄层起皱 ,说明为改善硅化钇层质量 ,不能依靠加大束流密度 ,而必须要退火。经过10 50℃退火 6 0s后 ,Rs 下降至 14Ω/□ ,电阻率可小到 0 .56 μΩ·cm ,说明硅化钇薄层质量得到了进一步的改善。
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关键词
钇离子注入
硅化钇合成
大束流密度
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Keywords
Y ion
implantation
yttrium silicide synthesis
high ion flux
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分类号
TN304.12
[电子电信—物理电子学]
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