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达林顿硅光电晶体管的光放大特性 被引量:1
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作者 郑云光 张培宁 +2 位作者 郭维廉 李树荣 王海英 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期9-11,29,共4页
通过提高达林顿硅光电晶体管的光电灵敏度, 并用12V、025A 的小灯泡作为输出发光元件, 在265μW (即90lx) 的红光照射下, 器件可输出光电流100m A 以上, 输出光功率为2000μW 。
关键词 达林顿 硅光电晶体管 光功率增益 DSPT
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新结构多晶硅发射极光电晶体管 被引量:1
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作者 王晓慧 李国辉 阎凤章 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期473-476,共4页
报导了一种以多晶硅作发射极并带有隔离环电极,工作时基区处于穿通状态下的新结构硅光电晶体管.用多晶硅作发射极比同结构单晶硅晶体管的光电增益提高了2倍;隔离环电极极大地提高了器件的灵敏度;穿通型的工作状态提高了器件的增益... 报导了一种以多晶硅作发射极并带有隔离环电极,工作时基区处于穿通状态下的新结构硅光电晶体管.用多晶硅作发射极比同结构单晶硅晶体管的光电增益提高了2倍;隔离环电极极大地提高了器件的灵敏度;穿通型的工作状态提高了器件的增益和响应速度.已研制成的这种新型结构的光电晶体管在10V工作电压下,对0.8μm,0.174μW的光增益达到了3083. 展开更多
关键词 多晶发射极 硅光电晶体管 隔离环 穿通型
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