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达林顿硅光电晶体管的光放大特性
被引量:
1
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作者
郑云光
张培宁
+2 位作者
郭维廉
李树荣
王海英
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第5期9-11,29,共4页
通过提高达林顿硅光电晶体管的光电灵敏度, 并用12V、025A 的小灯泡作为输出发光元件, 在265μW (即90lx) 的红光照射下, 器件可输出光电流100m A 以上, 输出光功率为2000μW 。
关键词
达林顿
硅光电晶体管
光功率增益
DSPT
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职称材料
新结构多晶硅发射极光电晶体管
被引量:
1
2
作者
王晓慧
李国辉
阎凤章
《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第4期473-476,共4页
报导了一种以多晶硅作发射极并带有隔离环电极,工作时基区处于穿通状态下的新结构硅光电晶体管.用多晶硅作发射极比同结构单晶硅晶体管的光电增益提高了2倍;隔离环电极极大地提高了器件的灵敏度;穿通型的工作状态提高了器件的增益...
报导了一种以多晶硅作发射极并带有隔离环电极,工作时基区处于穿通状态下的新结构硅光电晶体管.用多晶硅作发射极比同结构单晶硅晶体管的光电增益提高了2倍;隔离环电极极大地提高了器件的灵敏度;穿通型的工作状态提高了器件的增益和响应速度.已研制成的这种新型结构的光电晶体管在10V工作电压下,对0.8μm,0.174μW的光增益达到了3083.
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关键词
多晶
硅
发射极
硅光电晶体管
隔离环
穿通型
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职称材料
题名
达林顿硅光电晶体管的光放大特性
被引量:
1
1
作者
郑云光
张培宁
郭维廉
李树荣
王海英
机构
天津大学电子信息工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第5期9-11,29,共4页
基金
国家自然科学基金
文摘
通过提高达林顿硅光电晶体管的光电灵敏度, 并用12V、025A 的小灯泡作为输出发光元件, 在265μW (即90lx) 的红光照射下, 器件可输出光电流100m A 以上, 输出光功率为2000μW 。
关键词
达林顿
硅光电晶体管
光功率增益
DSPT
Keywords
Darlington silicon photo transistor Light power gain
分类号
TN322.3 [电子电信—物理电子学]
TN364.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
新结构多晶硅发射极光电晶体管
被引量:
1
2
作者
王晓慧
李国辉
阎凤章
机构
北京师范大学低能核物理研究所
出处
《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第4期473-476,共4页
基金
国家自然科学基金!69676030
北京市自然科学基金!4962004
文摘
报导了一种以多晶硅作发射极并带有隔离环电极,工作时基区处于穿通状态下的新结构硅光电晶体管.用多晶硅作发射极比同结构单晶硅晶体管的光电增益提高了2倍;隔离环电极极大地提高了器件的灵敏度;穿通型的工作状态提高了器件的增益和响应速度.已研制成的这种新型结构的光电晶体管在10V工作电压下,对0.8μm,0.174μW的光增益达到了3083.
关键词
多晶
硅
发射极
硅光电晶体管
隔离环
穿通型
Keywords
phototransistor
ploycrystalline silicon emitter
punchthrough
guard- ring
分类号
TN364.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
达林顿硅光电晶体管的光放大特性
郑云光
张培宁
郭维廉
李树荣
王海英
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999
1
在线阅读
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职称材料
2
新结构多晶硅发射极光电晶体管
王晓慧
李国辉
阎凤章
《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1997
1
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职称材料
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参考文献
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