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与标准集成电路工艺兼容的硅基光学器件研究 被引量:1
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作者 刘海军 高鹏 +4 位作者 陈弘达 顾明 许奇明 刘金彬 黄北举 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期985-989,共5页
着重介绍了与标准集成电路工艺兼容的硅基光学器件的最新研究进展,包括硅基光发射器、硅基光波导和调制器件、硅基光电探测器和接收机以及硅基光电子集成回路的工作原理、制作工艺和集成技术.与标准集成电路工艺兼容的硅基光电子集成回... 着重介绍了与标准集成电路工艺兼容的硅基光学器件的最新研究进展,包括硅基光发射器、硅基光波导和调制器件、硅基光电探测器和接收机以及硅基光电子集成回路的工作原理、制作工艺和集成技术.与标准集成电路工艺兼容的硅基光电子集成回路能有效地解决电互连芯片内部串扰、带宽和能耗等问题,并能够充分利用现有成熟的集成电路工艺,实现大规模生产,具有广阔的实用前景. 展开更多
关键词 集成电路工艺 电子集成回路 硅光互连
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基于硅光MZ调制器的光电混合集成发射机设计
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作者 王浩正 纪鹏飞 何卫峰 《信息通信》 2020年第3期1-4,共4页
在高速硅光互连系统中,基于键合线的光电混合集成方式具有低成本、高灵活性特点而得到广泛应用。但是,键合线的寄生效应会带来高速信号的反射和阻抗匹配等问题,成为混合集成发射机中设的难点。基于多通道硅光Mach–Zehnder调制器结构,... 在高速硅光互连系统中,基于键合线的光电混合集成方式具有低成本、高灵活性特点而得到广泛应用。但是,键合线的寄生效应会带来高速信号的反射和阻抗匹配等问题,成为混合集成发射机中设的难点。基于多通道硅光Mach–Zehnder调制器结构,设计了一种基于金线键合的光电混合集成方案,并针对其中键合线寄生效应问题,在开发了键合线模型的基础上提出了寄生效应的补偿方法,并最终设计实现了一款4通道的光电混合集成发射机。仿真和实验证明,该方法能够改善由键合线引起的信号反射问题,使得键合金线的损耗从1.55dB降低至0.75dB,并能够实现每通道25Gb/s的速率的高速互联。 展开更多
关键词 硅光互连 马赫曾德调制器 调制器驱动 电集成 键合线补偿
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硅基片上刻蚀衍射光栅及其平坦化设计 被引量:2
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作者 陈鑫 武爱民 +5 位作者 仇超 黄海阳 赵瑛璇 盛振 李伟 甘甫烷 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期361-366,共6页
刻蚀衍射光栅(EDG)作为实现波分复用功能的关键器件,对于片上光互连的实现至关重要。为了实现1310nm波段通道间隔为20nm的硅基EDG,采用了基尔霍夫标量衍射理论仿真方法进行理论设计和仿真验证,通过在闪耀光栅反射面引入布喇格反射光栅... 刻蚀衍射光栅(EDG)作为实现波分复用功能的关键器件,对于片上光互连的实现至关重要。为了实现1310nm波段通道间隔为20nm的硅基EDG,采用了基尔霍夫标量衍射理论仿真方法进行理论设计和仿真验证,通过在闪耀光栅反射面引入布喇格反射光栅来提高反射效率、降低器件插入损耗,并在入射波导处引入多模干涉耦合器以实现通道频谱平坦化设计。结果表明,闪耀光栅反射面的反射效率由35%提高到了85%,1d B带宽达到12nm。这对于提高系统稳定性、增大传输距离和容量、降低系统成本具有显著作用,能够满足光互连系统的实际应用需求。 展开更多
关键词 集成 刻蚀衍射 互连 波分复用技术
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基于CMOS平台的硅光子关键器件与工艺研究
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作者 赵瑛璇 武爱民 甘甫烷 《中兴通讯技术》 2018年第4期8-14,共7页
面向互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容的硅基光互连体系,研制了包括光波导、光栅耦合器、刻蚀衍射光栅、偏振旋转分束器、光频梳以及3D互连新器件等的硅光子关键器件,并对相应器件的设计及工艺给出了最新的研究结果。基于以上关键硅... 面向互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容的硅基光互连体系,研制了包括光波导、光栅耦合器、刻蚀衍射光栅、偏振旋转分束器、光频梳以及3D互连新器件等的硅光子关键器件,并对相应器件的设计及工艺给出了最新的研究结果。基于以上关键硅光子器件进行了大规模光子集成,实现了片上集成的微波任意波形发生器,并集成了300多个光器件,包括高速调制、延迟线和热调等功能。面向数据通信研制了八通道偏振不敏感波分复用(WDM)接收器,解决了集成系统中的偏振敏感问题。 展开更多
关键词 子技术 互连 大规模子集成
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