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硅三极管电子辐照的残余电压效应: 1; 作者巫晓燕田野 +3 位作者石瑞英龚敏温景超王靳君《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期881-884,共4页; 研究了双极型晶体管(BJT)高能电子(1.5MeV)辐照的总注量效应,电子辐照的总注量为5×1013～1.2×1016 cm-2。实验结果表明,三极管经电子辐照后,有残余电压产生,残余电压随电子总注量的增加而增大。认为是由于辐照后产生的缺陷能... 展开更多; 关键词硅三极管电子辐照残余电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

采用MEMS技术制造硅磁敏三极管被引量：7: 2; 作者温殿忠穆长生赵晓峰《传感器技术》 CSCD 北大核心 2001年第5期49-52,共4页; 阐述了采用MEMS技术与反外延技术相结合在硅片表面制造具有矩形板状立体结构的硅磁敏三极管的设计原理、结构和工艺。结果表明 ,设计的硅磁敏三极管制造技术不但能与IC工艺相兼容 ,而且便于集成化 ,将有广泛的应用领域。; 关键词 MEMS技术反外延技术硅磁敏三极管; 在线阅读下载PDF 职称材料

采用MEMS制作新型硅磁敏三极管特性研究被引量：3: 3; 作者赵晓锋田凤军温殿忠《传感器技术》 CSCD 北大核心 2004年第9期86-88,共3页; 给出采用MEMS技术在硅片表面制作矩形板状立体结构新型硅磁敏三极管的基本结构及灵敏度特性、电压-电流特性、磁电特性和温度特性,对新型硅磁敏三极管样品基本特性进行研究的结果表明:该新型硅磁敏三极管的集电极电流相对磁灵敏度较高,... 展开更多; 关键词硅磁敏三极管 MEMS技术磁灵敏度; 在线阅读下载PDF 职称材料